公开(公告)号：CN107342324A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710286328.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴美善 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  卓容奭 ,  朴起演

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍、在有源鳍上的栅结构、直接在栅结构的侧壁上的栅间隔物结构、以及在有源鳍的与栅间隔物结构相邻的部分上的源极/漏极层。栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO2)图案。

公开(公告)号：CN107068680A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710063574.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  金泫升 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  朴起宽 ,  朴美善

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。

公开(公告)号：CN107068537A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/0214 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0226 ,  H01L29/42364

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

公开(公告)号：CN107068537B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

公开(公告)号：CN107068536B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201610948185.8

申请日：2016-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

公开(公告)号：CN104603716B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201380045172.4

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许昌龙 ,  朴根亨 ,  朴起演 ,  金镛圯

IPC: G06F1/32

CPC classification number: G06F1/3206 ,  G06F1/1694 ,  G06F1/3209 ,  G06F1/3215 ,  G06F1/3231 ,  G06F1/3293 ,  G06F3/017 ,  G06F3/167 ,  Y02D10/122 ,  Y02D10/173 ,  Y02D50/20

Abstract: 一种在低功率或超低功率设备中用于唤醒主处理器(MP)的装置和方法，其优选地包括MP和副处理器(SP)，比起该MP，该SP使用比MP少的功率以检测周围环境条件，并且可以被内部化在MP中。在中断传感器监测周围环境中的改变时，该MP和SP能够保持在睡眠模式中。传感器优选为中断类型传感器，与之相对照的是传统地被用于检测周围环境改变的轮询类型传感器。由于低功率或超低功率的中断传感器在SP处在睡眠模式时操作，因此该MP和SP可以保持在睡眠模式中，并且经由指示所检测的改变的中断来唤醒该SP。然后，该SP在将来自中断传感器的数据与存储器中的或其他传感器的值进行比较之后，唤醒该MP。

公开(公告)号：CN107039436A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710017588.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成贤 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  徐元吾

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

公开(公告)号：CN107039436B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710017588.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔成贤 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  徐元吾

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

公开(公告)号：CN106847812B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610884035.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。

公开(公告)号：CN107068680B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201710063574.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  金泫升 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  朴起宽 ,  朴美善

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。