公开(公告)号：CN102157204B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010622089.7

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  尹铉竣 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  金武星

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454

Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。

公开(公告)号：CN102087878B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201010573000.2

申请日：2010-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金武星 ,  李汉埈

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/3404

Abstract: 一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，其包括沿行和列布置的存储单元。在存储单元阵列的选中存储单元中编程第一页数据，并且在选中存储单元中随后编程第二页数据。使用具有第一起始值的编程电压编程第一页数据编程，并且使用具有通过选中存储单元的编程特性确定的第二起始值的编程电压编程第二页数据。

公开(公告)号：CN101630531B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200910166966.1

申请日：2009-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  金杜坤 ,  金武星 ,  金汉洙

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/10 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/16

Abstract: 在一个实施例中，一种包含至少具有串联的第一和第二可编程晶体管的存储阵列的存储器的擦除方法包括：在擦除操作期间限制从第一可编程晶体管进入到第二可编程晶体管的电子流动。

公开(公告)号：CN102298966A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110144117.3

申请日：2011-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金武星

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/34 ,  G11C16/24 ,  G11C29/38

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459

Abstract: 本申请给出了非易失性存储器设备、存储系统和操作非易失性存储器设备的相关方法。在编程操作期间，非易失性存储器设备能够使用位线强制，并且还能够基于所评估的编程条件，从一组验证模式中选择验证模式以便在验证操作期间使用。

公开(公告)号：CN102087878A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010573000.2

申请日：2010-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金武星 ,  李汉埈

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/3404

Abstract: 一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，其包括沿行和列布置的存储单元。在存储单元阵列的选中存储单元中编程第一页数据，并且在选中存储单元中随后编程第二页数据。使用具有第一起始值的编程电压编程第一页数据编程，并且使用具有通过选中存储单元的编程特性确定的第二起始值的编程电压编程第二页数据。

公开(公告)号：CN111223509B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201911173506.1

申请日：2019-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟律 ,  金武星

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别布置在多条字线与多条位线交叉的点处的多个存储器单元；以及控制逻辑电路，被配置为在读取操作中对连接到选择的存储器单元的选择的字线进行预充电，并且对连接到选择的存储器单元的选择的位线进行预充电，其中，控制逻辑电路还被配置为在将选择的字线预充电到第一电压时，将未选择的字线中的第一未选择的字线预充电到第二电压，当选择的字线被预充电到第一电压时，第一电压的电平低于施加到未选择的位线的第三电压的电平，第二电压的电平高于第三电压的电平。

公开(公告)号：CN111383687B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201910976693.0

申请日：2019-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曺溶成 ,  金武星 ,  白承柔 ,  白钟民 ,  郑凤吉

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供一种电阻式存储器装置及其编程方法。在一些示例实施例中，编程脉冲被施加到电阻式存储器单元，并且多个后脉冲在从编程脉冲的施加完成时的时间点起的弛豫时间之后的时间点被施加到电阻式存储器单元，所述多个后脉冲具有顺序增大的电压电平。电阻式存储器装置的编程速度和/或性能可以通过使用具有顺序增大的电压电平的所述多个后脉冲加速电阻式存储器单元的电阻漂移来得以提高。

公开(公告)号：CN106920569B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201610902984.1

申请日：2011-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金武星

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/34

Abstract: 本申请给出了非易失性存储器设备、存储系统和操作非易失性存储器设备的相关方法。在编程操作期间，非易失性存储器设备能够使用位线强制，并且还能够基于所评估的编程条件，从一组验证模式中选择验证模式以便在验证操作期间使用。

公开(公告)号：CN105931671B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201610245371.5

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  尹铉竣 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  金武星

IPC: G11C16/34

Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。

公开(公告)号：CN109273028A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201810784989.8

申请日：2018-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋教秀 ,  朴智贤 ,  尹治元 ,  金武星

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/30

Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。