公开(公告)号：CN109037210B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201810600087.4

申请日：2018-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛珉 ,  任峻成 ,  金智慧

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/70

Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件和制造半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括：体导电层，其包括单元阵列部分和外围电路部分；电极结构，其位于所述体导电层的所述单元阵列部分上；垂直结构，其贯穿所述电极结构；残余衬底，其位于所述体导电层的所述外围电路部分上；以及连接导电图案，其贯穿所述残余衬底。所述电极结构包括在彼此上方层叠的多个电极。所述垂直结构连接到所述体导电层的所述单元阵列部分。所述连接导电图案连接到所述体导电层的外围电路部分。

公开(公告)号：CN108073889B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201710984236.7

申请日：2017-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智慧 ,  徐成住 ,  李贤廷 ,  崔昌圭

IPC: G06V40/18 ,  G06V40/19 ,  G06V10/82 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 公开一种虹膜区域提取的方法和设备。所述设备可使用训练的神经网络模型从眼睛图像产生与虹膜区域相关联的分类图，使用产生的分类图估计与虹膜区域相关联的几何参数，并基于估计的几何参数从眼睛图像提取虹膜区域。

公开(公告)号：CN109642733A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052489.9

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬穆 ,  林正洙 ,  吴有姃 ,  金智慧 ,  成翰俊 ,  朴宰民 ,  金泰熏 ,  全寅基

IPC: F24C14/00 ,  F24C15/00 ,  F24C7/08 ,  F24C3/12 ,  B08B3/00

CPC classification number: A21B3/04 ,  A47J27/04 ,  A47J2027/043 ,  F24C7/087 ,  F24C14/005 ,  F24C15/327

Abstract: 本公开涉及一种烹饪器具及其控制方法，烹饪器具包括清洁环境，清洁环境被设置成能够通过将烹饪室的内部加热到使污染物非晶化的温度来容易地去除烹饪器具内部的污染物。烹饪器具包括：主体，其配置为具有烹饪室；蒸汽产生器，其配置为向烹饪室供应蒸汽；供水器，其布置在主体中并配置为储存水；以及泵组件，其配置为从供水器向蒸汽产生器和烹饪室供水。

公开(公告)号：CN108073889A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710984236.7

申请日：2017-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智慧 ,  徐成住 ,  李贤廷 ,  崔昌圭

IPC: G06K9/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

CPC classification number: G06K9/0061 ,  G06K9/00604 ,  G06K9/4628 ,  G06K9/50 ,  G06K9/6257 ,  G06K9/6267 ,  G06N3/0454 ,  G06N3/08 ,  G06N3/084

Abstract: 公开一种虹膜区域提取的方法和设备。所述设备可使用训练的神经网络模型从眼睛图像产生与虹膜区域相关联的分类图，使用产生的分类图估计与虹膜区域相关联的几何参数，并基于估计的几何参数从眼睛图像提取虹膜区域。

公开(公告)号：CN108022929A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711064262.4

申请日：2017-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载株 ,  曹盛纯 ,  金智慧 ,  辛京准

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11526

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种竖直存储器装置。该竖直存储器装置包括衬底，衬底具有单元阵列区和位于单元阵列区的外部的连接区。栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区和连接区上，在连接区中形成台阶结构。沟道结构布置在单元阵列区中，在垂直于衬底的上表面的方向上延伸，同时穿过栅电极层。伪沟道结构布置在连接区中，与沟道结构在相同的方向上延伸，同时穿过形成台阶结构的栅电极层。第一半导体图案布置在沟道结构下方，并且第二半导体图案布置在伪沟道结构下方。第一半导体图案和第二半导体图案包括多晶半导体材料。

公开(公告)号：CN107106098A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580067496.7

申请日：2015-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟曙 ,  金成南 ,  金智慧 ,  辛宗炫 ,  李恩宰

IPC: A61B6/00

Abstract: 提供了X光成像装置和控制X光成像装置的方法。X光成像装置包括X光检测器和用户界面，所述用户界面配置为显示X光检测器的大小，并且在显示X光检测器的大小的同时，显示X光检测器当中的X光检测器能够在其中使用的模态。

公开(公告)号：CN107393927B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201710307715.5

申请日：2017-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉一 ,  辛京准 ,  殷东锡 ,  金智慧 ,  李炫国

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：交替地层叠在基板上的栅电极和层间绝缘层；穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层；以及设置在栅电极和沟道层之间在沟道层的外表面上的栅电介质层。此外，沟道层包括第一区和第二区，第一区在垂直于基板的顶表面的方向上延伸，第二区在第一区的下部分中连接到第一区并且第二区在栅电介质层的底部分下面延伸。

公开(公告)号：CN107106098B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201580067496.7

申请日：2015-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟曙 ,  金成南 ,  金智慧 ,  辛宗炫 ,  李恩宰

IPC: A61B6/00

Abstract: 提供了X光成像装置和控制X光成像装置的方法。X光成像装置包括X光检测器和用户界面，所述用户界面配置为显示X光检测器的大小，并且在显示X光检测器的大小的同时，显示X光检测器当中的X光检测器能够在其中使用的模态。

公开(公告)号：CN106057813B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201610203765.4

申请日：2016-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑夛恽 ,  金智慧 ,  朴株院

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：在基板上的电极结构，该基板包括第一区和第二区，该电极结构包括顺序地层叠在基板上的接地选择电极、单元电极和串选择电极，其中接地选择电极、单元电极和串选择电极分别包括接地选择焊盘、单元焊盘和串选择焊盘，该接地选择焊盘、该单元焊盘和该串选择焊盘在基板的第二区中限定阶梯结构；穿透每个单元焊盘和在每个单元焊盘下面的电极结构的一部分的多个虚设柱；和电连接到每个单元焊盘的单元接触插塞，其中每个虚设柱穿透在相邻的单元焊盘之间的边界，以及其中相邻的单元焊盘共用虚设柱。

公开(公告)号：CN110123351B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910438391.8

申请日：2015-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟曙 ,  金成南 ,  金智慧 ,  辛宗炫 ,  李恩宰

IPC: A61B6/00

Abstract: 提供了X光成像装置和控制X光成像装置的方法。X光成像装置包括X光检测器和用户界面，所述用户界面配置为显示X光检测器的大小，并且在显示X光检测器的大小的同时，显示X光检测器当中的X光检测器能够在其中使用的模态。