公开(公告)号：CN104037125B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410076999.8

申请日：2014-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大益 ,  金冈昱 ,  金那罗 ,  朴济民 ,  李圭现 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

公开(公告)号：CN102157527B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201010614320.8

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉雨 ,  金冈昱 ,  吴容哲 ,  金熙中 ,  金铉琦

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括分别设置在形成于有源部分和器件隔离图案中的凹槽的两个内侧壁上的第一掩埋栅和第二掩埋栅。第一掩埋栅和第二掩埋栅彼此独立地受控。

公开(公告)号：CN101783348B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010004595.X

申请日：2010-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  吴容哲 ,  郑铉雨 ,  金铉琦 ,  金冈昱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器器件和制造半导体器件的方法。该半导体存储器器件，包括：第一有源柱结构和第二有源柱结构，所述第一有源柱结构和第二有源柱结构在衬底的上部处突出；掩埋位线，所述掩埋位线中的每个在第一方向上延伸；以及第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和第二栅极图案中的每个在第二方向上延伸。第一有源柱结构和第二有源柱结构分别占据奇数行和偶数列行。第一有源柱结构和第二有源柱结构还分别占据偶数列和奇数列。第二有源柱结构的列在第二方向上与第一有源柱结构的列偏移。每个掩埋位线被连接到占据偶数列之一的第一有源柱结构的下部，并且连接到占据相邻奇数列之一的第二有源柱结构的下部。

公开(公告)号：CN101794736B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201010110970.9

申请日：2010-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金冈昱 ,  吴容哲

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括单晶硅并且具有第一区和第二区；在所述第一区中，从所述衬底的顶表面开始生长柱；形成包括第一栅结构的垂直沟道晶体管，使得所述第一栅结构环绕所述柱的中部；以及在所述衬底的所述第二区上形成第二晶体管，使得所述第二晶体管包括第二栅结构。

公开(公告)号：CN102157527A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010614320.8

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉雨 ,  金冈昱 ,  吴容哲 ,  金熙中 ,  金铉琦

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括分别设置在形成于有源部分和器件隔离图案中的凹槽的两个内侧壁上的第一掩埋栅和第二掩埋栅。第一掩埋栅和第二掩埋栅彼此独立地受控。

公开(公告)号：CN102104005A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010593037.1

申请日：2010-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金冈昱 ,  吴容哲 ,  金熙中 ,  郑铉雨 ,  金铉琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10876 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了一种制造垂直沟道晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成线型有源图案从而在第一水平方向上延伸；在衬底上形成垂直沟道，该垂直沟道在与第一水平方向交叉的第二水平方向上使有源图案隔离，且该垂直沟道垂直地延伸；在衬底上形成在第一水平方向上延伸的掩埋位线；以及沿垂直沟道的至少一个侧表面形成在第二水平方向上延伸的字线。

公开(公告)号：CN101794736A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010110970.9

申请日：2010-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金冈昱 ,  吴容哲

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括单晶硅并且具有第一区和第二区；在所述第一区中，从所述衬底的顶表面开始生长柱；形成包括第一栅结构的垂直沟道晶体管，使得所述第一栅结构环绕所述柱的中部；以及在所述衬底的所述第二区上形成第二晶体管，使得所述第二晶体管包括第二栅结构。