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公开(公告)号：CN101685077B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910174231.3
申请日：2009-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N29/036 , G01N2291/0257 , Y10S977/957
Abstract: 本发明提供了一种使用薄膜感测部件的化学传感器，所述化学传感器可包括：第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面。化学传感器可构造为当将被感测的化合物被吸附到感测部件上时测量电特性的变化。还提供一种包括化学传感器的阵列的化学传感器阵列。
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公开(公告)号：CN103730491A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310168042.1
申请日：2013-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H03K3/012
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN101855727B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286522A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710093282.4
申请日：2007-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1246 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供了一种相变存储装置、其制造方法和操作方法。该相变存储装置包括开关装置和与该开关装置连接的存储节点。存储节点包括底部叠层、设置在底部叠层上的相变层和设置在相变层上的顶部叠层。相变层包括用于增加流经相变层的电流通路和减少相变存储区域体积的单元。和底部叠层相对设置的单元的表面面积大于或等于与相变层接触的底部叠层的表面面积。
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公开(公告)号：CN1407130A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02106239.0
申请日：2002-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3402
Abstract: 一种溅射装置，包括溅射室，放置在溅射室中的靶极，以及在靶极前面产生旋转磁场的磁场发生器。该磁场发生器包括朝向该靶极背面的主磁场产生部件，并且相对于穿过该靶极中心的垂直线水平偏移。主磁场产生部件的磁环形成一面向靶极中心部分和边缘部分的位置有穿过磁环的开口的磁性围栏。该磁场产生部分因此在靶极前面产生一非均匀分布的磁场。一个衬底被放置在溅射室内部，面对靶极的前面。由靶极前面溅射出的原子在衬底上形成一金属层。该被溅射出的原子的动作被该磁场有效地控制着。
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公开(公告)号：CN107025318A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610958896.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06N99/005 , G06F17/30424 , G06F17/5009 , G06F19/704 , G06F19/707 , G06N7/005 , G06F2217/10
Abstract: 本发明涉及用于探索新材料的方法和装置。用于探索新材料的方法包括：对基于已知材料建模的材料模型执行学习；通过向所述学习的结果输入目标物理性质而确定候选材料；和从所述候选材料确定所述新材料。
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公开(公告)号：CN102569642B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110404641.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了存储节点、包括该存储节点的磁存储器件及其制造方法。磁存储器件的存储节点包括：下磁性层；隧道阻挡层，形成在下磁性层上；以及自由磁性层，形成在隧道阻挡层上且其中磁化方向通过自旋电流转换。自由磁性层包括平面内磁各向异性材料层或垂直磁各向异性材料层，并且具有围绕形成在自由磁性层下面的至少一个材料层的盖子结构。
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公开(公告)号：CN102065247B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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