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公开(公告)号：CN108305655A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711272709.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0023 , G11C7/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2207/2245 , G11C13/0009 , G11C13/004
Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。
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公开(公告)号：CN105575424A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510716402.6
申请日：2015-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/1675 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0071 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092
Abstract: 本公开涉及电阻式存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过在第一置位写间隔期间向连接至所选择的存储单元的第一信号线施加第一电压和向连接至所选择的存储单元的第二信号线施加第二电压，来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。
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公开(公告)号：CN105320471A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455794.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C13/004 , G06F11/00 , G06F11/1048 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054
Abstract: 提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。
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公开(公告)号：CN105244055A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510394397.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0038 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/5006 , G11C2213/71
Abstract: 提供了一种电阻型存储器装置和一种电阻型存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压；测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果；基于测量结果来产生控制信号；响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118314938A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202311777726.1
申请日：2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件及其操作方法以及存储器系统。包括连接到多条字线、多条串选择线和多条接地选择线的多个单元串的非易失性存储器件的操作方法包括：在编程执行时段期间，向所述多条字线当中的选定字线施加编程电压；在所述编程执行时段期间，通过将所述编程电压与负放电参考电压进行比较来确定放电电压；在所述编程执行时段之后的验证时段期间，向所述多条串选择线施加预充电电压直到第一时间点，所述预充电电压小于所述编程电压并且大于所述放电电压；以及在所述验证时段期间，向串选择晶体管的衬底施加所述放电电压直到所述第一时间点之后的第二时间点，所述串选择晶体管连接到所述多条串选择线当中的未选串选择线。
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公开(公告)号：CN116110468A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211402218.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：第一存储单元和第二存储单元，存储多位数据；第一字线，耦接到第一存储单元；以及第二字线，连接到第二存储单元并且与第一字线相邻；其中，施加用于读取存储在第一存储单元中的数据的第一字线电压的时段包括：第一时段，在其中施加第一电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第一位数据；第二时段，具有低于第一电压电平的第二电压电平；以及第三时段，在其中施加高于第二电压电平的第三电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第二位数据，其中，在第二时段中，第二字线处于浮置状态。
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公开(公告)号：CN105304114B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510451618.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作存储系统的方法和一种存储装置，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。
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公开(公告)号：CN105702285B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510925446.X
申请日：2015-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0026 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/2255 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069
Abstract: 提供了一种电阻式存储器装置和一种列解码器，所述电阻式存储器装置包括：列解码器，具有第一开关单元和第二开关单元，第一开关单元包括与多条信号线中的每条对应地布置的至少一个开关对，第二开关单元包括与第一开关单元的所述至少一个开关对对应地布置的一个开关对。第一开关单元的第一开关对包括相同类型的第一开关和第二开关，第二开关单元的第二开关对包括连接到第一开关对的第三开关和第四开关。选择电压通过经由第一开关被提供到第一信号线，抑制电压通过选择性地经由第一开关或第二开关被提供至第一信号线。
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