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公开(公告)号：CN116110468A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211402218.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：第一存储单元和第二存储单元，存储多位数据；第一字线，耦接到第一存储单元；以及第二字线，连接到第二存储单元并且与第一字线相邻；其中，施加用于读取存储在第一存储单元中的数据的第一字线电压的时段包括：第一时段，在其中施加第一电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第一位数据；第二时段，具有低于第一电压电平的第二电压电平；以及第三时段，在其中施加高于第二电压电平的第三电压电平以从第一存储单元中存储的多位数据中读取第二位数据，其中，在第二时段中，第二字线处于浮置状态。
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