公开(公告)号：CN107045891A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610944976.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹铉竣 ,  任载禹

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/20 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C7/08 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/20 ,  G11C16/32 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明提供了一种操作非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：接收第一读命令；响应于第一读命令执行第一读出操作；以及接收第二读命令。所述方法还包括：当在完成第一读出操作之前接收到第二读命令时，在不执行恢复操作的情况下完成对应于第一读命令的存储器操作；以及响应于第二读命令执行第二读出操作。

公开(公告)号：CN106960681A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710017111.7

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹铉竣 ,  李知尚

IPC: G11C8/08 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C16/20 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；地址解码器，被配置为通过多条字线连接到存储器单元，并且将选择读取电压和未选择读取电压提供至字线；控制逻辑，被配置为控制地址解码器，以在连续读取模式下执行多个读取序列，并且调节至少一个读取序列中的字线设置开始点，以与在至少一个其它读取序列中的字线设置开始点不同，其中，字线设置开始点是选择读取电压和未选择读取电压开始被提供至字线的时刻。

公开(公告)号：CN102157204B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010622089.7

申请日：2010-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹翔镛 ,  尹铉竣 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  金武星

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454

Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。