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公开(公告)号：CN109584918B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201811138895.X
申请日：2018-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种非易失性存储器装置和包括其的存储装置，所述非易失性存储器装置包括连接至先进先出存储器的输出级的串行流水线结构。先进先出存储器被构造为基于多个先进先出输入时钟信号存储通过具有波流水线结构的数据路径发送的数据，并且基于多个先进先出输出时钟信号输出存储的数据。串行器被构造为基于选择时钟信号将数据输出至输入/输出焊盘。串行流水线结构连接在先进先出存储器与串行器之间，并且被构造为补偿从先进先出存储器输出的存储的数据与选择时钟信号之间的相位差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107293320B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710129322.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G06F13/12 , H03K19/0175 , H04B1/40
Abstract: 接收接口电路包括终止电路、缓冲器和接口控制器。终止电路被配置为响应于终止控制信号来改变终止模式。缓冲器被配置为响应于缓冲器控制信号来改变接收特性。接口控制器被配置为生成终止控制信号和缓冲器控制信号，使得缓冲器的接收特性与终止模式的改变相关联地改变。接收接口电路可以通过与终止模式相关联地改变缓冲器的接收特性来支持各种通信标准。使用接收接口电路，可以改善诸如存储系统的收发机系统的通信效率和/或发射机设备与接收机设备之间的兼容性。
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公开(公告)号：CN112486866A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010676592.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了接口电路、存储装置、存储设备及操作存储装置的方法。一种包括多个存储器裸片的存储装置的接口电路包括：分别与所述多个存储器裸片相对应的多个寄存器，所述多个寄存器均被配置为存储与数据操作命令有关的命令信息；解复用器电路，被配置为：将输入命令信息提供给根据第一地址或第一芯片选择信号中的至少一者从所述多个寄存器当中选择的寄存器，所述输入命令信息是从所述接口电路的外部接收的；以及复用器电路，被配置为：根据第二地址或第二芯片选择信号中的至少一者从自所述多个寄存器当中选择的寄存器接收输出命令信息，并输出所述输出命令信息。
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公开(公告)号：CN110911386A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910402840.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法。所述半导体装置包括半导体裸片、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体裸片包括中心区域和围绕中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。缺陷检测结构包括位于左下角区域中的第一导电回路、位于右下角区域中的第二导电回路、位于左下角区域和左上角区域中的第三导电回路以及位于右下角区域和右上角区域中的第四导电回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路中的端节点。
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公开(公告)号：CN110021320A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811322657.4
申请日：2018-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093
Abstract: 本发明提供了一种存储装置及包括该存储装置的存储系统。所述存储装置包括：接口，被配置为从外部装置接收数据信号和选通信号，所述选通信号对应于所述数据信号；选通缓冲器，被配置为从所述接口接收所述选通信号；相位检测单元，被配置为检测从所述接口输出的所述数据信号与从所述选通缓冲器输出的所述选通信号之间的相位差；相位调整单元，被配置为基于所述相位差来调整从所述选通缓冲器输出的所述选通信号的相位；以及采样单元，被配置为基于从所述相位调整单元输出的已经调整了相位的所述选通信号，对从所述接口输出的所述数据信号进行采样。
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