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公开(公告)号：CN115084362A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609538.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法。该具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；铪基铁电背栅介质，其为正交相，覆盖所述背栅电极；二维沟道材料，形成在所述铪基铁电背栅介质上，其在水平方向的投影与背栅电极在水平方向的投影有交叠；源电极和漏电极，形成在所述二维沟道材料两端；铪基铁电顶栅介质，其为正交相，覆盖上述器件；顶栅电极，形成在所述铁电顶栅介质上，其在水平方向的投影与二维沟道材料和背栅电极在水平方向的投影有交叠，在垂直方向上实现基于双铁电耦合的双突触调控，完成时间与空间信息调整。
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公开(公告)号：CN115050890A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210780821.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种量子点修饰的柔性视觉突触忆阻器及其制备方法。该量子点修饰的柔性视觉突触忆阻器包括：柔性衬底；底层电极，形成在所述柔性衬底上；复合功能薄膜，由钙钛矿量子点和有机铁电聚合物组成，形成在所述底层电极上；多个相互间隔的透明顶层电极，形成在所述复合功能薄膜上，对器件施加光源信号与电学脉冲信号，利用钙钛矿量子点的光电响应以及铁电聚合物的电导调制功能，模拟人工视觉系统的光信号感知、数据存储与计算。
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公开(公告)号：CN112652620B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011527813.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种三维集成结构,包括：壳体，上下设置的第一纳米电容和第二纳米电容，所述壳体具有二个间隔设置第一通孔；导电组件，分别通过二个所述第一通孔使所述第一底部金属电极层和所述第二底部金属电极层电连接，使所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接。本发明通过将电组件，分别通过二个所述第一通孔使所述第一底部金属电极层和所述第二底部金属电极层电连接，使所述第一顶部金属电极层和所述第二顶部金属电极层电连接，实现了第一纳米电容和第二纳米电容并联设置，增大了电容密度，提高了电容的整体性能。另外，本发明还提供了三维集成结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN115036419A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210780823.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种柔性存算一体忆阻器及其制备方法。该柔性存算一体忆阻器包括：底电极，其为第一金属织物；铁电功能薄膜叠层，其包括三层以上掺杂铪基高k介质薄膜，包覆在所述底电极上；顶电极，其为第二金属织物，以与所述底电极交叉的方式形成在所述底电极上，通过对两个顶电极施加电压序列脉冲，实现存储数据与逻辑计算双重功能。
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公开(公告)号：CN115020970A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210615304.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K3/10 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，具体地，涉及一种芯片间无线互连的天线系统及其制造方法。本公开提供的技术方案，利用在第一介质层和第二介质层的第一通孔内填充导电物质作为发射天线和/或接收天线，电磁波在第一介质层和第二介质层中传播，实现了芯片与芯片之间无线互连，替代金属有线互连，以解决采用金属有线互连造成的导致芯片功耗、串扰以及平面内和平面外导体布线相关的复杂程度明显增加及限制芯片间高速通信的问题。并且，通过设置第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，可以屏蔽外界信号对天线信号的干扰，及提高天线的信号方向性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112435984B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202011329627.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体衬底，包括相对的第一衬底表面和第二衬底表面，贯通所述第一衬底表面和所述第二衬底表面的通孔结构，以及堆叠设置的第一隔离层和电感层。所述半导体衬底的通孔结构内表面开设有凹陷部，能够增加所述通孔结构的比表面积，所述凹陷部的内表面与所述通孔结构的内表面相接以形成连续内表面，且所述第一隔离层覆盖所述连续内表面以及所述电感层填充所述凹陷部，有利于通过提高所述电感层的截面积来增加电感值，同时也便于通过改变所述通孔结构的结构以及所述凹陷部的深宽比来调节所述电感值，从而扩大应用范围。本发明还提供了所述半导体衬底的制备方法以及包括所述半导体衬底的电子元器件。
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公开(公告)号：CN113889413B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111070721.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，环栅器件的源漏制备方法，包括：形成基底上的鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极，所述鳍片包括交替层叠的鳍片沟道层与鳍片牺牲层；所述鳍片沟道层包括处于所述伪栅极内侧的第一沟道层部分，以及未处于所述伪栅极内侧的第二沟道层部分；释放所述鳍片牺牲层；在所述鳍片沿沟道方向的两侧，基于所述第二沟道层部分，分别外延硅，形成硅材料层，并以所述第一沟道层部分作为环栅器件的沟道层；所述硅材料层连接所有沟道层；基于所需的源漏区域，对所述硅材料层进行刻蚀；基于剩余的硅材料层，外延锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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公开(公告)号：CN114944440A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210693525.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种仿生视觉神经突触器件及其制备方法。该仿生视觉神经突触器件包括：衬底，作为栅电极；栅介质层，形成在所述栅电极上；沟道，形成在所述栅介质层上，包括能带相匹配的第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜，两者相互邻接且有重叠的区域，形成异质结；源电极和漏电极分别形成在所述沟道两侧，通过光脉冲输入图像信息，利用两种二维半导体薄膜构建的异质结形成的光电响应增强效果，对光电信息进行采集、处理与存储，实现视觉系统的图像处理功能，用于构建感存算一体化的神经形态感知系统。
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公开(公告)号：CN112466846B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202011329699.8
申请日：2020-11-24
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种TSV结构及其制备方法，所述TSV结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构设置在所述衬底结构内部并上下贯穿所述衬底结构；嵌入层，所述嵌入层设置在所述通孔结构内壁并插入所述衬底结构内部；化合物层，所述化合物层设置在所述通孔结构内壁，所述化合物层与所述嵌入层的接触部位设置有反应生成层；金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述通孔结构内壁；其中，所述金属互连结构顶端设置有顶部金属接触层，所述金属互连结构底端设置有底部金属接触层，本发明的TSV结构不仅能够实现芯片之间的快速互连，而且具有良好的散热效果，有效提高了TSV结构的性能。
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公开(公告)号：CN111463212B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010172782.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种快速可擦写浮栅存储器及其制备方法。本发明的快速可擦写浮栅存储器，包括：衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为绝缘介质；形成在阻挡层上的浮栅；平行邻接放置在所述浮栅上的第一异质结和第二异质结，由二维材料组成；覆盖第一异质结和所述第二异质结的隧穿层，其为二维材料；形成在所述隧穿层上的沟道层，其为二维材料；以及形成在沟道层表面的源极和漏极。本发明采用两个导通方向相反的二维半导体材料构成的异质结作为电荷擦写通道，能够有效改善电荷擦写速度的对称性、加快读写速度。
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