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公开(公告)号：CN113837130A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111150158.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种人体手部骨架检测方法，首先处理待识别图片，获取目标人体手部骨架的初始姿态，然后获取处理所述待识别图片过程中不同解码层输出的特征图，之后处理所述特征图得到特征图数据，并从所述特征图数据中提取与所述初始姿态对应的位置数据作为输入数据，最后输入所述初始姿态以及所述输入数据至经过训练的图卷积神经网络，获取所述目标手部骨架的最终姿态，其中，所述图卷积神经网络的矩阵表示根据人体手部骨架结构的约束关系确定。该技术方案通过结合人体关节结构之间的基本约束信息以及挖掘出的特征图中包含的被遮挡关键点的相关数据，能够精确地调整被遮挡关键点的位置，因此对于人体手部骨架的检测具有较高的正确率。
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公开(公告)号：CN111834506B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010536751.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法，包括缓冲层、第一半导体层至第四半导体层、第一至第三接触电极、发光层以及非导电层；第一至第三半导体层、发光层以及第四半导体层从下自上依次堆叠于缓冲层之上；其中，第一半导体层与第二半导体层均具有台面结构；第一接触电极设置于第一半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第二接触电极设置于第二半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第三接触电极设置于第四半导体层上，并与其形成欧姆接触；第一半导体层与第二半导体层的台面之间设置有非导电层。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，具有较大的放大系数，可实现用小功率输入信号驱动半导体发光。
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公开(公告)号：CN111834502B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113471092A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110532077.3
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无接触检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、位移装置、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一基板尺寸不大于待测LED芯片的尺寸，且不与待测LED芯片发生接触；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述位移装置用于控制第一基板和第二基板的相对位置；所述光信号检测系统用于检测LED芯片的发光信息；所述电信号检测系统用于检测LED芯片的电信号；所述供电系统分别连接第一导电板和第二导电板。每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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公开(公告)号：CN113436806A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110519898.3
申请日：2021-05-13
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676250B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910982161.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极，设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极，连接所述上、下透明基板的障壁微结构，设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块；障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元，绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触，通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮，激发波长下转换发光层而实现全彩化显示，可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN110690329B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910984757.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的像素单元，每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极；其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极，外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒，绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒；所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺，有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN112951103A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110115072.0
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED制造方法，该方法包括：在阵列基板的受光面涂覆光刻胶；调整掩膜版，使掩膜版的透光区对应至每个显示像素；维持掩膜版与阵列基板相对位置不变，采用入射方向不同的三组光源同时透过掩膜版的透光区对不同组别的子像素进行曝光；其中，每组光源对应一组相同颜色的子像素，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定；使用显影液对阵列基板上的光刻胶进行第一时间的溶解；烘干阵列基板，并对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。该方法有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112947009A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110106838.9
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN112436096A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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