公开(公告)号：CN102795871A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210147844.X

申请日：2012-05-14

Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学 ,  北京科技大学

Inventor： 胡海峰 ,  梅敏 ,  张玉娣 ,  何新波 ,  曲选辉 ,  陈思安 ,  李广德 ,  张长瑞

IPC: C04B35/83 ,  C04B35/565 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于C/SiC陶瓷基复合材料制备的技术领域，涉及一种快速制备C/SiC陶瓷基复合材料的方法。本发明以低分子液态聚碳硅烷为先驱体，碳纤维预制件为骨架，采用脉冲式加热的化学液气相沉积工艺快速制备C/SiC陶瓷基复合材料。本发明采用脉冲式的加热方式，可以有效改善化学液气相沉积工艺中先驱体的渗透过程，使得制备的C/SiC陶瓷基复合材料密度分布均匀且致密度高；同时，本发明制备C/SiC陶瓷基复合材料的方法具有生产周期短、原料利用率高、生产成本低等优点。本发明技术制备C/SiC复合材料的工艺过程及设备简单，对环境无污染。

公开(公告)号：CN102251131B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110180744.2

申请日：2011-06-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 章林 ,  刘烨 ,  何新波 ,  曲选辉 ,  秦明礼

IPC: C22C1/05 ,  C22C19/03

Abstract: 本发明提供一种注射成形工艺制备镍基氧化物弥散强化(Oxide Dispersion Strengthening，ODS)合金的方法，属于粉末注射成形技术领域，其工艺流程为：首先将原料粉末进行高能球磨使Y2O3颗粒均匀分散在镍基体中，然后采用气流磨使机械合金粉末细化，接着将气流磨细化后的粉末进行等离子体球化。气流磨细化和等离子球化后的粉末与粘结剂混合均匀后进行混炼，制得均匀喂料。喂料经过注射成形、两步脱脂和烧结后得到致密度为93-96％的烧结坯，烧结坯经过热等静压后达到全致密，最后经过固溶和时效热处理得到注射成形镍基ODS合金。本发明的优点是能够制备出形状复杂和高精度的零件，解决了镍基ODS合金成形加工困难的难题。γ′相和氧化物强化机制相结合大幅度拓展了镍基ODS合金的高温力学性能。

公开(公告)号：CN102184873B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201110100795.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  杨振亮 ,  吴茂 ,  刘荣军 ,  任淑彬 ,  曲选辉

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明提供了一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法，其特征是按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石湿混16～24h。然后在100～200℃和10～50MPa压力下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气气氛中1000～1100℃烧结16～24h，冷却后得到具有一定强度和孔隙度的金刚石/硅/碳多孔基体。将所制备的金刚石/硅/碳多孔基体置于石墨坩埚中，用液相渗透的渗料填埋后将坩埚整体置于高真空烧结炉中进行真空液相渗透0.5-1h，渗透温度1450～1550℃，真空度-0.08～-0.01MPa。冷却后即获得致密的金刚石-碳化硅电子封装材料。

公开(公告)号：CN102176436B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110065272.6

申请日：2011-03-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  杨振亮 ,  吴茂 ,  刘荣军 ,  任淑彬 ,  曲选辉

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺，其特征是首先按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石颗粒湿混，混合时间16～24h。然后在10～50MPa压力和150℃的温度下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气保护气氛中1100℃烧结24h，随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于石墨坩埚中，将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上，然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h，渗透温度1500～1650℃，真空度-0.08～-0.01MPa。随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低，并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。

公开(公告)号：CN102586704A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210080907.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何新波 ,  刘骞 ,  张昊明 ,  任淑彬 ,  吴茂 ,  曲选辉

IPC: C22C47/04 ,  C22C47/14 ,  C22C49/00 ,  C22C101/10 ,  C22C121/02

Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-70%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成1-2μm厚的镀层；然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀，再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法，其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。

公开(公告)号：CN102560223A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210050641.9

申请日：2012-02-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曲选辉 ,  章林 ,  秦明礼 ,  何新波 ,  尹海清

IPC: C22C33/02 ,  B22F1/00

Abstract: 一种高速压制技术成形粘结化铁基粉末的方法，属于粉末冶金技术领域。本发明将粗细两种粒径的水雾化铁粉进行搭配，粗粉末与细粉末的质量比为2∶1～4∶1。按照粒度搭配要求和铁基合金成分配比，在水雾化铁粉中添加Ni、Cu、C和铁磷合金粉末后在行星式球磨机上预混合均匀。在预混合粉末中添加0.3～0.8wt.％的增塑剂后混合2～5小时，得到粘结化粉末。粘结化粉末采用多阶段升温工艺加热到600～950℃进行增塑处理，得到塑化铁基粉末。塑化铁基粉末经过高速冲击成形压机压制得到高密度压坯。压坯在1100～1250℃于氢气气氛中进行烧结，保温2～5小时，得到高密度粉末冶金铁基材料。本发明集成了粉末改性处理、模壁润滑和高速压制的优点，更适于制备高密度粉末冶金铁基材料。

公开(公告)号：CN101871902B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010188608.3

申请日：2010-05-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曲选辉 ,  何东升 ,  何新波 ,  李平 ,  颜丞铭 ,  郭俊国 ,  胡伟华

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明涉及一种热管用多孔材料极限热流密度的测试装置及测试方法，该测试装置包括由绝热材料、不锈钢桶、测试块、冷凝管、传热块、加热器和热电偶组成；该方法通过增加加热器的功率，使多孔材料的热量逐渐增加，多孔材料的沸腾也加剧，直到传热极限的出现，通过各热电偶记录的数据可以推算出材料的极限热流密度。本发明的有益效果是：通过该装置和该方法可以比较不同的毛细结构在沸腾时的热阻和传热能力，测试结果稳定可靠，可以为热管的毛细芯结构设计提供帮助。

公开(公告)号：CN101545057B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200910084424.X

申请日：2009-05-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曲选辉 ,  任淑彬 ,  何新波 ,  沈晓宇 ,  淦作腾 ,  董应虎 ,  秦明礼

IPC: H01L23/36 ,  C22C1/00 ,  C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种制备高导热金刚石/Cu复合材料的方法。其特征是在制备复合材料前，先采用磁控溅射的方法在金刚石粉体表面镀覆0.1-5μm Cr-B复合层后，金刚石表面镀覆Cr-B复合层的厚度为0.1-5μm，Cr与B的比例为30-70∶70-30，金刚石粉体的粒度为10-150μm，金刚石与Cu的体积比为55-75∶45-25。再采用粉末冶金、热压或熔渗工艺与Cu进行复合的方法来提高金刚石/Cu的导热性能，通过在金刚石与Cu之间建立由金刚石+(Cr-B)C+基体Cu组成的强化学键界面过渡层后，复合材料的热导率由原来的170W/m·K左右提高到500W/m·K以上。该方法不仅可以有效地提高金刚石/Cu复合材料的热导率，而且可以防止金刚石粉体的高温石墨化。

公开(公告)号：CN102276152A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110175857.3

申请日：2011-06-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴茂 ,  赵聪 ,  何新波 ,  曲选辉

IPC: C03C12/00 ,  C03C8/24

Abstract: 一种降低氧化铝陶瓷钨金属化层方阻浆料及其制备工艺，属于陶瓷-金属封接技术领域。钨金属化层由钨粉和玻璃相组成。本发明主要通过改变钨粉粒度分布，使钨粉形成良好的级配，钨颗粒之间形成紧密堆积；同时加入用溶胶凝胶法制备的超细玻璃粉，其在烧结过程中熔融后能使钨颗粒迅速再排列和有效地填充空隙，促进金属化层的致密化。本发明可显著增加氧化铝陶瓷钨金属化层的致密度，并将钨金属化层的表面方阻降低至7-9mΩ/□。主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。

公开(公告)号：CN101972901A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010526125.X

申请日：2010-10-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴茂 ,  常玲玲 ,  何新波 ,  曲选辉 ,  彭子榕 ,  冯泽龙 ,  雍玮娜 ,  王维

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明属于微电子封装领域，提供一种钎焊温度在450～510℃之间，用于连接SiCp/Al复合材料与可伐合金的钎料及其钎焊方法。本发明开发了一种钎焊温度在450～510℃之间的中温钎料，该中温钎料组分的质量百分含量为：Ag：30～50；Cu：5～15；Sn：35～60；Ni：0～3；用该钎料钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料与可伐合金，钎焊后外壳气密性优于1×10-9Pa·m3/S，剪切强度高于65MPa，满足国军标要求。特点在于将SiCp/Al复合材料在高于芯片的装片温度(430℃)，而低于SiCp/Al复合材料本身熔点的温度下进行钎焊。这保证了后续的芯片装片工艺能使用Au-Si共晶法(380～430℃)，进而保证封装的整体散热效果。SiCp/Al复合材料外壳主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。