公开(公告)号：CN102276152A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110175857.3

申请日：2011-06-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴茂 ,  赵聪 ,  何新波 ,  曲选辉

IPC: C03C12/00 ,  C03C8/24

Abstract: 一种降低氧化铝陶瓷钨金属化层方阻浆料及其制备工艺，属于陶瓷-金属封接技术领域。钨金属化层由钨粉和玻璃相组成。本发明主要通过改变钨粉粒度分布，使钨粉形成良好的级配，钨颗粒之间形成紧密堆积；同时加入用溶胶凝胶法制备的超细玻璃粉，其在烧结过程中熔融后能使钨颗粒迅速再排列和有效地填充空隙，促进金属化层的致密化。本发明可显著增加氧化铝陶瓷钨金属化层的致密度，并将钨金属化层的表面方阻降低至7-9mΩ/□。主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。

公开(公告)号：CN102276152B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110175857.3

申请日：2011-06-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴茂 ,  赵聪 ,  何新波 ,  曲选辉

IPC: C03C12/00 ,  C03C8/24

Abstract: 一种降低氧化铝陶瓷钨金属化层方阻浆料及其制备工艺，属于陶瓷-金属封接技术领域。钨金属化层由钨粉和玻璃相组成。本发明主要通过改变钨粉粒度分布，使钨粉形成良好的级配，钨颗粒之间形成紧密堆积；同时加入用溶胶凝胶法制备的超细玻璃粉，其在烧结过程中熔融后能使钨颗粒迅速再排列和有效地填充空隙，促进金属化层的致密化。本发明可显著增加氧化铝陶瓷钨金属化层的致密度，并将钨金属化层的表面方阻降低至7-9mΩ/□。主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。