公开(公告)号：CN101972901B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201010526125.X

申请日：2010-10-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴茂 ,  常玲玲 ,  何新波 ,  曲选辉 ,  彭子榕 ,  冯泽龙 ,  雍玮娜 ,  王维

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明属于微电子封装领域，提供一种钎焊温度在450～510℃之间，用于连接SiCp/Al复合材料与可伐合金的钎料及其钎焊方法。本发明开发了一种钎焊温度在450～510℃之间的中温钎料，该中温钎料组分的质量百分含量为：Ag：30～50；Cu：5～15；Sn：35～60；Ni：0～3；用该钎料钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料与可伐合金，钎焊后外壳气密性优于1×10-9Pa·m3/S，剪切强度高于65Mpa，满足国军标要求。特点在于将SiCp/Al复合材料在高于芯片的装片温度(430℃)，而低于SiCp/Al复合材料本身熔点的温度下进行钎焊。这保证了后续的芯片装片工艺能使用Au-Si共晶法(380～430℃)，进而保证封装的整体散热效果。SiCp/Al复合材料外壳主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。

公开(公告)号：CN101972901A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010526125.X

申请日：2010-10-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴茂 ,  常玲玲 ,  何新波 ,  曲选辉 ,  彭子榕 ,  冯泽龙 ,  雍玮娜 ,  王维

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明属于微电子封装领域，提供一种钎焊温度在450～510℃之间，用于连接SiCp/Al复合材料与可伐合金的钎料及其钎焊方法。本发明开发了一种钎焊温度在450～510℃之间的中温钎料，该中温钎料组分的质量百分含量为：Ag：30～50；Cu：5～15；Sn：35～60；Ni：0～3；用该钎料钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料与可伐合金，钎焊后外壳气密性优于1×10-9Pa·m3/S，剪切强度高于65MPa，满足国军标要求。特点在于将SiCp/Al复合材料在高于芯片的装片温度(430℃)，而低于SiCp/Al复合材料本身熔点的温度下进行钎焊。这保证了后续的芯片装片工艺能使用Au-Si共晶法(380～430℃)，进而保证封装的整体散热效果。SiCp/Al复合材料外壳主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。