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公开(公告)号：CN103924119A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163989.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高导热石墨鳞片增强铜基复合材料及制备方法，属于高性能电子封装功能材料领域。复合材料由基体铜或铜合金和已镀覆的增强相高导热石墨鳞片两部分组成，其中镀覆后的石墨鳞片的体积分数为20％-80％。材料制备步骤为：首先对石墨鳞片进行表面改性，在石墨鳞片的表面镀上金属钛、铬、钼、钨或者其相关碳化物的镀层；然后将表面改性后的石墨鳞片与金属基体粉末加入到含有粘结剂、塑性剂的溶剂中，混合均匀得到混合浆料，将浆料放入挤制模具中进行定向挤制，随后脱去粘结剂得到预烧结薄片。将薄片层叠后烧结得到复合材料。本发明所制备的复合材料中鳞片增强相与基体结合良好，鳞片在基体中实现定向排列，具有超高的热导率、可控的热膨胀系数以及良好的加工性。
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公开(公告)号：CN103911565A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410164071.5
申请日：2014-04-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/06 , C22C49/02 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于电子封装复合材料技术领域，涉及一种高导热石墨晶须定向增强金属的复合材料的制备方法。复合材料含有体积分数为20％-80％高导热石墨晶须。该复合材料的生产工艺步骤为：将金属粉末、晶须与包括粘合剂、增塑剂以及溶剂的浆料均匀混合；将混合料倒入单向挤制模具中进行定向挤制得到条状或薄片状的烧结前体；将烧结前提脱去浆料后层叠放入模具中烧结固化得到复合材料。采用该方法生产的复合材料中晶须的一维定向分布程度高，有利用发挥晶须的轴向热导。所得复合材料具有较高的热导率及可调的热膨胀系数，是一种理想的电子封装材料。
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公开(公告)号：CN102586704B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210080907.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/00 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-70%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成1-2μm厚的镀层；然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀，再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法，其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。
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公开(公告)号：CN102628149B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210080906.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/12 , C22C47/04 , C22C49/14 , C22C121/02 , C22C101/10
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须增强铜基复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成0.5-2μm厚的镀层；将经过金属镀覆处理过石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，随后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；最后将预制坯和纯铜叠放，放入熔渗炉，进行真空压力熔渗，得到最终的石墨晶须增强铜基复合材料零件。
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公开(公告)号：CN102586703A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210080138.8
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/06 , C22C47/08 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明公开一种高导热石墨晶须增强铝基复合材料及其制备方法。复合材料由已镀覆的增强相高导热石墨晶须和基体铝或铝合金两部分组成，其中基体铝或铝合金的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。其生产工艺步骤为：1、采用化学镀或真空盐浴镀的方法，将铜或钛镀覆于石墨晶须的表面，形成0.1-1.5μm厚的镀层；2、将表面改性的石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，然后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；3、将预制坯和铝或铝合金叠放，进行真空压力熔渗处理，得到最终的石墨晶须-铝复合材料零件。本发明的材料具有热导率高、热膨胀系数低、重量轻、高致密、易于加工等多项优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103924119B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410163989.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高导热石墨鳞片增强铜基复合材料及制备方法，属于高性能电子封装功能材料领域。复合材料由基体铜或铜合金和已镀覆的增强相高导热石墨鳞片两部分组成，其中镀覆后的石墨鳞片的体积分数为20％-80％。材料制备步骤为：首先对石墨鳞片进行表面改性，在石墨鳞片的表面镀上金属钛、铬、钼、钨或者其相关碳化物的镀层；然后将表面改性后的石墨鳞片与金属基体粉末加入到含有粘结剂、塑性剂的溶剂中，混合均匀得到混合浆料，将浆料放入挤制模具中进行定向挤制，随后脱去粘结剂得到预烧结薄片。将薄片层叠后烧结得到复合材料。本发明所制备的复合材料中鳞片增强相与基体结合良好，鳞片在基体中实现定向排列，具有超高的热导率、可控的热膨胀系数以及良好的加工性。
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公开(公告)号：CN102586703B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201210080138.8
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/06 , C22C47/08 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明公开一种高导热石墨晶须增强铝基复合材料及其制备方法。复合材料由已镀覆的增强相高导热石墨晶须和基体铝或铝合金两部分组成，其中基体铝或铝合金的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。其生产工艺步骤为：1、采用化学镀或真空盐浴镀的方法，将铜或钛镀覆于石墨晶须的表面，形成0.1-1.5μm厚的镀层；2、将表面改性的石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，然后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；3、将预制坯和铝或铝合金叠放，进行真空压力熔渗处理，得到最终的石墨晶须-铝复合材料零件。本发明的材料具有热导率高、热膨胀系数低、重量轻、高致密、易于加工等多项优点。
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公开(公告)号：CN102628149A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210080906.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/12 , C22C47/04 , C22C49/14 , C22C121/02 , C22C101/10
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须增强铜基复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成0.5-2μm厚的镀层；将经过金属镀覆处理过石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，随后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；最后将预制坯和纯铜叠放，放入熔渗炉，进行真空压力熔渗，得到最终的石墨晶须增强铜基复合材料零件。
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公开(公告)号：CN103911565B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410164071.5
申请日：2014-04-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/06 , C22C49/02 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于电子封装复合材料技术领域，涉及一种高导热石墨晶须定向增强金属的复合材料的制备方法。复合材料含有体积分数为20％-80％高导热石墨晶须。该复合材料的生产工艺步骤为：将金属粉末、晶须与包括粘合剂、增塑剂以及溶剂的浆料均匀混合；将混合料倒入单向挤制模具中进行定向挤制得到条状或薄片状的烧结前体；将烧结前提脱去浆料后层叠放入模具中烧结固化得到复合材料。采用该方法生产的复合材料中晶须的一维定向分布程度高，有利用发挥晶须的轴向热导。所得复合材料具有较高的热导率及可调的热膨胀系数，是一种理想的电子封装材料。
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公开(公告)号：CN102586704A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210080907.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/00 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-70%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成1-2μm厚的镀层；然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀，再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法，其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。
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