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公开(公告)号：CN100383989C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410009841.5
申请日：2004-11-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明设计一种在金属热沉上制备激光剥离衬底的功率型LED芯片及其制备方法，具体步骤为：在蓝宝石衬底GaN外延片上大面积蒸镀透明电极Ni/Au；在透明电极上蒸镀Ni/Ag/Ti/Au反射层；在反射层上电镀平整的、周期性的金属热沉单元，厚度50μm以上；镀金属热沉外延片在Kr准分子激光器照射下剥离蓝宝石衬底，得到n面向上的粘接在金属热沉的外延片；在n-GaN表面用离子体刻蚀，然后蒸镀n面电极，电极结构为Ti/Al/Ni/Au；把LED外延片n面贴上蓝膜，得到金属热沉支撑的GaN基LED外延片，并使得管芯单元分裂开。
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公开(公告)号：CN100380694C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410098902.X
申请日：2004-12-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2224/16
Abstract: 本发明的目的是提供一种倒装LED芯片的封装方法，提高LED外量子效率。利用高热导率的Al、Cu，直接与芯片键合，降低封装热阻，同时降低flip-chip封装的成本。本发明利用厚Cu及Au凸点把倒装焊芯片与Al印刷电路板直接键合，然后粘上反射杯，在芯片上涂抹胶体，最后扣上透镜罩得到倒装芯片的Al印刷电路板封装。把LEDflip-chip直接键合到改进的Al基板上，省略了Si基板的制作工艺，同时芯片直接与热沉倒装焊，有效增加了散热效率。厚Cu的优点在于Cu的热导率较高，具有较高的导热速度，同时作为导线，厚Cu线电阻较低，可以降低发热，而Al基板具有较高的散热效率，近一步降低封装热阻。由于Au凸点被垫高，减少热膨胀造成的剪切力，有利于flip-chip与Al基板的键合。
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公开(公告)号：CN101017775A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610167605.5
申请日：2006-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种降低GaN单晶膜与异质基底间应力的方法，属于光电材料和器件领域。该方法包括：在蓝宝石等异质基底上生长GaN薄膜，采用激光透过蓝宝石等异质衬底，辐照生长在基底上的GaN薄膜，在GaN薄膜底部获得预分解态层，实现了释放GaN膜层中的应力应变，降低GaN膜与异质基底间应力的目的。本发明缓解由于应力而导致的GaN单晶开裂问题，可导致更高晶体质量的材料生长。
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公开(公告)号：CN1808801A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510011195.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。
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公开(公告)号：CN1801498A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510011135.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1790753A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410089599.7
申请日：2004-12-15
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN1242091C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02155061.1
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升高到1100-1180℃对成核层进行退火，退火后，在最后的退火温度下，通过线性变化TMGa的流量，开始变速率外延生长GaN缓冲层，在这之后，匀速生长一厚度为2-4微米的GaN缓冲层，在该缓冲层上外延生长器件结构，并通过在其上生长InGaN/GaN多量子阱LED结构，对变化速率进行了优化。本发明可有效实现三维生长向二维生长过渡，以提高外延生长的氮化物发光二极管结构外延片的质量和发光强度。
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公开(公告)号：CN1159776C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02100345.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法，采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源，将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上，形成球冠形，再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物，最后用透明树脂常规封装。这种白光发光二极管可以改善荧光粉涂覆的均匀性；有效保护发光芯片和金丝，增强发光强度；荧光粉与管芯不接触，避免了荧光粉退化引起的发光效率降低及发光颜色改变问题；可调节发光强度的空间分布；改变色坐标、色温等参数。可广泛应用于彩色全色显示、家庭和背景照明、动态显示等领域。
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公开(公告)号：CN1508284A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02155061.1
申请日：2002-12-20
Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490－550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升高到1100－1180℃对成核层进行退火，退火后，在最后的退火温度下，通过线性变化TMGa的流量，开始变速率外延生长GaN缓冲层，在这之后，匀速生长一厚度为2－4微米的GaN缓冲层，在该缓冲层上外延生长器件结构，并通过在其上生长InGaN/GaN多量子阱LED结构，对变化速率进行了优化。本发明可有效实现三维生长向二维生长过渡，以提高外延生长的氮化物发光二极管结构外延片的质量和发光强度。
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公开(公告)号：CN1044840C
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN97115033.8
申请日：1997-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明首次提出了一种以GaN/Al2O3做为一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物外延的复合衬底及其制备方法和有关的质量要求;直接生长GaN等Ⅲ-Ⅴ族氮化物单晶薄膜，提高成品率，有好的重复性，涉及以GaN为基础的光发射二极管(LED)、激光器(LD)、场效应晶体管(FET)、光电探测器等器件的制备，并直接和Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体的光电器件、电子学器件的制备技术有关。
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