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公开(公告)号：CN101452797B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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公开(公告)号：CN101952929A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880124564.9
申请日：2008-12-18
Applicant: 光实验室瑞典股份公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30496 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种制作场致发射显示器(300)的方法，该方法包括将电子发射接收器(302)排列在真空箱中，在电子发射接收器的附近排列波长转化材料(304)，和在真空箱中排列电子发射源(100)，电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子，其中电子发射源是通过以下步骤形成的：提供基底，在基底上形成多个ZnO-纳米结构，其中每个ZnO-纳米结构具有第一端和第二端，第一端与基底连接，排列电绝缘体使ZnO-纳米结构相互电绝缘，将电传导部件与ZnO-纳米结构选择的第二端连接，将支撑结构排列在电传导部件上，并去除基底，由此暴露ZnO-纳米结构的第一端。本发明的优势包括例如增加场致发射显示器的寿命，因为存在更小部分的高度不齐的纳米结构。而且，由于未因为纳米结构高度不齐而使用昂贵的腐蚀、磨光、或相似的方法步骤，从而可以获得更便宜的终产品。本发明还涉及相应的场致发射显示器。
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公开(公告)号：CN103117205B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310036129.3
申请日：2013-01-30
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 王烨文
IPC: H01J63/02 , H01J63/00 , F21S8/00 , G02F1/13357
CPC classification number: H01J1/304 , G02F1/133604 , G02F2001/133614 , G02F2202/108 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明公开了一种显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法。场发射光源装置包括相对设置的第一基板和第二基板；第一电极层形成于第一基板的内侧；第二电极层形成于第二基板的内侧；发光材料层设于第一电极层和第二电极层之间并形成于第一电极层上，发光材料层包括量子点材料；第二电极层用于发射带电粒子轰击发光材料层而发光，进而形成用于背光模组的背光源。本发明采用量子点材料有效地提高场发射光源装置的发光性能。
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公开(公告)号：CN104347335A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410389960.1
申请日：2014-08-08
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/02 , H01J37/073
CPC classification number: H01J1/3044 , G01Q60/10 , G01Q60/16 , G01Q60/24 , G01Q70/08 , G01Q70/16 , H01J1/3048 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , H01J37/28 , H01J37/3002 , H01J2201/30415 , H01J2201/30496 , H01J2237/002 , H01J2237/006
Abstract: 本发明提供铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置。本发明能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的前端部的前端为1个原子的角锥结构，既能够使得杂质不易附着，又能够长时间保持前端的1个原子。铱针尖在锐化的＜210＞方位的单晶的前端部具有角锥结构，该角锥结构的前端仅通过{210}方位的1个铱原子形成，该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的前端的1个铱原子作为第1层，第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子，第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。
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公开(公告)号：CN101752157B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910252315.4
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J1/3046 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件、显示板和信息显示系统。所述电子发射器件包括导电部件和导电部件上的硼化镧层，并且还在导电部件和硼化镧层之间包括氧化物层。所述氧化物层可包含镧元素。所述硼化镧层可上覆有氧化镧层。
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公开(公告)号：CN101752160A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910252313.5
申请日：2009-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J1/3044 , H01J1/3046 , H01J31/127 , H01J2201/30423 , H01J2201/30426 , H01J2201/30446 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0423 , H01J2329/0439 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
Abstract: 本发明提供制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备的方法。具体提供以下的方法：一种容易地制造电子发射器件的方法，所述电子发射器件涂覆有低功函数材料，以高的可再现性具有好的电子发射特性，使得电子发射器件之间的电子发射特性的差异降低。在用低功函数材料涂覆结构体之前，在该结构体上形成金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN101452797A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710124827.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30484 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2203/0272
Abstract: 一种场发射电子源，其包括：一绝缘基底；一阴极发射电极设置于该绝缘基底上，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于该阴极电极上；一隔离体设置于该绝缘基底上；以及一金属栅网设置在该隔离体上，且该金属栅网进一步延伸到阴极发射电极上方；其中，该隔离体与阴极电极间隔设置。一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一绝缘基底；在上述绝缘基底上制备一阴极发射电极，且该阴极发射电极包括一阴极电极和一阴极发射体设置于其上；在绝缘基底上制备一隔离体预制体，并对该隔离体预制体进行曝光；在上述隔离体预制体上制作一金属栅网；以及除去上述隔离体预制体已经曝光部分，形成一隔离体与阴极电极间隔设置，从而得到一场发射电子源。
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