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公开(公告)号：CN1754262A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005377.0
申请日：2004-02-20
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 坂下幸雄
CPC classification number: H01G4/1218 , C01G29/006 , C01P2002/02 , C01P2002/04 , C01P2002/50 , C01P2004/62 , C01P2004/84 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/787 , H01G4/33 , H01L28/55
Abstract: 根据本发明的薄膜电容元件包括在第一电极层和第二电极层之间的由电介质材料形成的电介质层，该电介质材料包含具有由化学计量的组分化学式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－表示的组分但包含超过由化学计量比确定的量的铋(Bi)以使就铋(Bi)而论其过量大于0但小于0.5m摩尔的铋层结构的化合物，这里符号m是正整数，符号A是从如下元素组中选择的至少一种元素：钠、钾、铅、钡、锶、钙和铋，符号B是从如下元素组中选择的至少一种元素：铁、钴、铬、镓、钛、铌、钽、锑、钒、钼和钨。具有上述构造的薄膜电容元件可以被形成得较薄、容易制造并且具有良好的温度补偿特性。
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公开(公告)号：CN1732540A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107746.2
申请日：2003-12-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种尺寸小、电容大、且介电特性优异的薄膜电容器及其制造方法。根据本发明的薄膜电容器包括其表面沿[001]方向定向的支持衬底、形成在支持衬底上且其表面沿[001]方向定向的缓冲层、形成在缓冲层上且其表面沿[001]方向定向的下电极薄膜、形成在下电极薄膜上且其表面沿[001]方向亦即其c轴定向的包含铋层结构化合物的介质薄膜、以及形成在介质薄膜上的上电极薄膜。
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公开(公告)号：CN100431066C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN02821456.0
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/3251 , C04B2235/787 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/30 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板4上依次形成了下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Aa-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。即使减薄也具有比较高的电容率并且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，电容率的温度特性优良，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1295710C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02821471.4
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/475 , B32B18/00 , C04B35/01 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3289 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
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公开(公告)号：CN1761776A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007724.3
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 坂下幸雄
CPC classification number: H01G4/1218 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01P2002/20 , C01P2002/52 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/441 , C04B2235/6585 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30
Abstract: c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，由组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或Bi2Am－1BmO3m+3表示，所述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca以及Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo以及W的至少1种元素，所述铋层状化合物中的Bi，相对于所述组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－、或Bi2Am－1BmO3m+3过剩含有，该Bi的过剩含量，换算为Bi，在0＜Bi＜0.5×m摩尔的范围内。
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公开(公告)号：CN1578994A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02821456.0
申请日：2002-08-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , C04B35/475 , C04B2235/3213 , C04B2235/3251 , C04B2235/787 , C04B2235/963 , H01G4/10 , H01G4/30 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 本发明是在基板4上依次形成了下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am－1BmO3m+1)2－或Bi2Am－1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为奇数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。即使减薄也具有比较高的电容率并且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，电容率的温度特性优良，表面平滑性也优良。
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