-
公开(公告)号：CN105742234B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826
Abstract: 形成电子装置的方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征;(b)在所述多孔特征上施用组合物,其中所述组合物包含聚合物和溶剂,其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元:其中:Ar、Ar、Ar和Ar独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团;X和X独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR‑、‑NRC(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO‑或任选地被取代的C二价烃基,其中R和R独立地表示H或C烃基;m是0或1;n是0或1;并且o是0或1;以及(c)加热所述组合物;其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性,用于形成低k和超低k介电材料。
-
公开(公告)号：CN106249540A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610383259.8
申请日：2016-06-01
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC classification number: G03F7/405 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274 , G03F7/0035 , G03F7/004 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；(b)向图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中氢受体基团是含氮基团，并且第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和环状脂肪族基团；以及(c)将残余图案处理组合物从衬底洗去，留下结合到图案化特征的嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN106249539A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610380663.X
申请日：2016-06-01
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
CPC classification number: G03F7/165 , C08F293/00 , C09D153/00 , G03F7/002 , G03F7/0397 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0274 , G03F7/0035 , G03F7/004 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；(b)向图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中氢受体基团是含氮基团，并且第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和芳族基，其限制条件是第二单体不是苯乙烯；以及(c)将残余图案处理组合物从衬底洗去，留下结合到图案化特征的嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN105319841A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能高于所述第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中以所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体计的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形、片层状或球状结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态是不同的；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
-
公开(公告)号：CN108017971A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711011964.6
申请日：2017-10-26
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D133/10 , C09D7/65 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/11 , C08F20/34 , C08F222/40 , C08L33/16 , C08L2205/025 , C09D133/08 , C09D133/10 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/327 , H01L21/0274
Abstract: 一种面漆组合物，包含：基质聚合物；表面活性聚合物，包含由以下通式(I)的单体形成的聚合单元：其中：R1表示H、F、甲基或氟化甲基；R2表示任选经取代的C1到C8亚烷基或任选经取代的C1到C8氟亚烷基，任选地包含一个或多个杂原子；R3表示H、F、任选经取代的C1到C10烷基或任选经取代的C5到C15芳基，任选地包含一个或多个杂原子；R4表示任选经取代的C1到C8烷基、任选经取代的C1到C8氟烷基或任选经取代的C5到C15芳基，任选地包含一个或多个杂原子；X表示O、S或NR5，其中R5选自氢和任选经取代的C1到C5烷基；并且a是0或1；以及溶剂。还提供利用所述面漆组合物的经涂布衬底和图案形成方法。本发明特别适用于光刻工艺中作为光致抗蚀剂面漆层来制造半导体装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108017970A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710991883.0
申请日：2017-10-23
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D133/10 , C09D7/63 , C09D7/65 , C09D7/20 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/11 , C09D133/10 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/16 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274
Abstract: 本发明提供面漆组合物，其包括：基质聚合物；表面活性聚合物；包含阴离子和阳离子的离子性热酸产生剂，其中所述阴离子、所述阳离子或所述阴离子和所述阳离子经氟化；和溶剂。还提供经涂布衬底和利用所述面漆组合物的图案形成方法。本发明特别适用于光刻工艺，在制造半导体装置中作为光致抗蚀剂面漆层。
-
公开(公告)号：CN107797380A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710741024.6
申请日：2017-08-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: G03F7/00 , C08G77/20 , C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F234/00
CPC classification number: G03F7/11 , C08F20/10 , C08F20/14 , C08F20/28 , C08F20/32 , C08F24/00 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F220/24 , C08F222/06 , C08F222/40 , C08F230/08 , C08F2220/1825 , C08F2220/1858 , C08F2220/1891 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/325 , C08F2800/10 , C08G67/00 , C08G73/128 , C08G77/04 , C08G77/20 , C08G77/80 , C09D5/20 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/161 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/422 , G03F7/423 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0035 , C08F2220/281 , C08F234/00
Abstract: 本发明提供包含一种或多种包含含Si-O键的主链的含硅聚合物、一种或多种有机掺合物聚合物和固化催化剂的可湿剥离底层组合物。这些组合物适用于制造各种电子装置。
-
公开(公告)号：CN105585925A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510756233.9
申请日：2015-11-09
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: C09D133/16 , C09D7/12 , G03F7/20
CPC classification number: C09D133/16 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041
Abstract: 本发明提供一种面涂层组合物，所述面涂层组合物包含：基质聚合物；表面活性聚合物，其包含以下通式(I)基团的第一单元：其中R1表示H、F、C1到C8烷基或C1到C8氟烷基，任选地包含一个或多个杂原子；X1表示氧、硫或NR2，其中R2选自氢和任选地经取代的C1到C10烷基；以及溶剂。所述表面活性聚合物以小于所述基质聚合物的量存在于所述组合物中，并且所述表面活性聚合物所具有的表面能小于所述基质聚合物的表面能。本发明特别适用于光刻工艺中作为光致抗蚀剂面涂层来制造半导体装置。
-
公开(公告)号：CN105273149B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510411991.7
申请日：2015-07-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC: C08G8/04 , C08G8/08 , C08G8/10 , C08G8/20 , C07C39/15 , C07C39/14 , C07D213/30 , C08L61/06 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及用于底层的树脂，具体地，某些经取代的四芳基甲烷单体的聚合反应产物在半导体制造工艺中适用作底层。
-
公开(公告)号：CN106154748A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610300874.8
申请日：2016-05-09
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
CPC classification number: C09D133/02 , C09D4/00 , C09D133/06 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08L33/06 , G03F7/004 , G03F7/00
Abstract: 光致抗蚀剂面漆组合物，其包含：包含通式(I)的第一重复单元和通式(II)的第二重复单元的第一聚合物：其中：R1独立地表示H、F或任选氟化的C1到C4烷基；R2表示任选氟化的直链、分支链或环状C1到C20烷基；L1表示单键或多价键联基团；并且n为1到5的整数；包含通式(III)的第一重复单元和通式(IV)的第二重复单元的第二聚合物：其中：R3独立地表示H、F或任选氟化的C1到C4烷基；R4表示直链、分支链或环状C1到C20烷基；R5表示直链、分支链或环状C1到C20氟烷基；L2表示单键或多价键联基团；并且n为1到5的整数；以及溶剂。还提供涂布有所述面漆组合物的经涂布衬底和加工光致抗蚀剂组合物的方法。本发明尤其适用于制造半导体装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.066 seconds)
