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公开(公告)号：CN105742234A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76837
Abstract: 形成电子装置的方法包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR1-、-NR2C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO2-或任选地被取代的C1-20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105742234B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510993546.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02359 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/3105 , H01L21/76826
Abstract: 形成电子装置的方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征;(b)在所述多孔特征上施用组合物,其中所述组合物包含聚合物和溶剂,其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元:其中:Ar、Ar、Ar和Ar独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团;X和X独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR‑、‑NRC(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO‑或任选地被取代的C二价烃基,其中R和R独立地表示H或C烃基;m是0或1;n是0或1;并且o是0或1;以及(c)加热所述组合物;其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性,用于形成低k和超低k介电材料。
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公开(公告)号：CN105319841A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段的表面能高于所述第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中以所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体计的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体的重量百分比；其中所述第一嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形或片层状结构域的第一形态；其中所述第二嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形、片层状或球状结构域的第二形态；并且其中所述第一形态和所述第二形态是不同的；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
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公开(公告)号：CN105319841B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510368660.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
Abstract: 本文中公开了一种组合物，包含第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段；以及第一聚合物，所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似；以及第二聚合物，所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似；其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
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公开(公告)号：CN105731371B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510938179.X
申请日：2015-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 本文公开一种图案形成方法，其包含提供不含刷状聚合物层的衬底；在所述衬底上安置一种组合物，所述组合物包含：包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同；包含在安置在所述衬底上后与所述衬底形成一键或络合物或配位键的反应性官能部分的添加剂聚合物；以及溶剂；以及使所述组合物以促进所述添加剂聚合物与所述衬底的键合或络合或配位以及所述嵌段共聚物的所述第一聚合物与所述第二聚合物之间的结构域分离以形成由所述第一聚合物和所述第二聚合物形成的周期结构域的形态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486348A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610719050.4
申请日：2016-08-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3105 , H01L21/31144 , H01L21/76828
Abstract: 形成接触孔的方法包含∶(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔。所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。还提供了图案处理组合物和通过所述方法形成的电子装置。本发明尤其适用于制造提供高分辨率接触孔图案的半导体装置。
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公开(公告)号：CN106486348B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201610719050.4
申请日：2016-08-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02282 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3105 , H01L21/31144 , H01L21/76828
Abstract: 形成接触孔的方法包含∶(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔。所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。还提供了图案处理组合物和通过所述方法形成的电子装置。本发明尤其适用于制造提供高分辨率接触孔图案的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105742161B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510959023.X
申请日：2015-12-18
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本文中公开一种包括将包括嵌段共聚物的组合物安置于衬底上的方法；其中所述嵌段共聚物包括第一聚合物和第二聚合物；其中所述嵌段共聚物的所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同，并且所述嵌段共聚物形成相分离结构；和添加剂聚合物；其中所述添加剂聚合物包括可有效与其上安置所述添加剂聚合物的衬底反应的反应性部分；并且其中所述添加剂聚合物包括化学上和结构上与所述嵌段共聚物中的一种聚合物相同的均聚物，或其中所述添加剂聚合物包括与所述嵌段共聚物的一个嵌段具有优先相互作用的无规共聚物；和溶剂；和使所述组合物退火。
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公开(公告)号：CN105731371A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510938179.X
申请日：2015-12-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
CPC classification number: C09D153/00 , C09D133/068 , G03F7/0002 , C08L53/00 , B82B3/0019 , B82Y40/00
Abstract: 本文公开一种图案形成方法，其包含提供不含刷状聚合物层的衬底；在所述衬底上安置一种组合物，所述组合物包含：包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此不同；包含在安置在所述衬底上后与所述衬底形成一键或络合物或配位键的反应性官能部分的添加剂聚合物；以及溶剂；以及使所述组合物以促进所述添加剂聚合物与所述衬底的键合或络合或配位以及所述嵌段共聚物的所述第一聚合物与所述第二聚合物之间的结构域分离以形成由所述第一聚合物和所述第二聚合物形成的周期结构域的形态。
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公开(公告)号：CN106243514B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610384024.0
申请日：2016-06-01
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
Abstract: 本申请提供一种包含嵌段共聚物和有机溶剂的图案处理组合物。还提供使用所描述的组合物的图案处理方法。所述图案处理组合物和方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于提供高分辨率图案。
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