一种无编码CUP-VISAR系统及数据重构方法

    公开(公告)号:CN117492029A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311455541.9

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明涉及一种无编码CUP‑VISAR系统及数据重构方法,属于以采用光学方法为特征的计量设备领域。本发明根据积分相机上采集到的空间混叠二维数据和条纹相机上采集到的时间维度数据构建数学模型,使用适配的最优化方法求解,结合行锚定降噪方法,实现数据在空间和时间上的高质量重构。本发明通过积分相机将干涉仪产生的动态条纹在时间维度上积分,得到高空间分辨率的采样数据,作为第一保真项,同时结合从条纹相机采集的时间维度数据作为第二保真项,共同来构建数学模型;然后使用混合整数非线性规划方法或整数规划方法,完整地重构出三维动态条纹数据;最后使用行锚定降噪方法,得到高质量的重构数据。

    基于改进稀疏自适应滤波算法的自适应声反馈抑制方法

    公开(公告)号:CN117478103A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311554760.2

    申请日:2023-11-21

    Inventor: 张红升 付源 阎周

    Abstract: 本发明涉及一种基于改进稀疏自适应滤波算法的自适应声反馈抑制方法,属于自适应反馈抑制技术领域。采用针对稀疏信道的零吸引惩罚方法,以适宜的吸引权重去吸引估计滤波器系数,引入分段系数比较方法,调整零吸引因子的应用策略。该方法适用于声反馈信道稀疏性的特点,且不含有除法和幂指数运算,稀疏惩罚吸引范围也更广,更能拟合真实声反馈稀疏信道。因此,本发明提出的算法不仅能有力解决声反馈抑制系统中信道未知和稀疏性的问题,而且能适应不同未知信道的变化,拟合性能更佳。此外,该方法在硬件资源占用方面也具有优势,有望在实际应用中得到广泛的应用。

    基于权重化QR分解的OMP信号重构方法及装置

    公开(公告)号:CN117278049A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311299049.7

    申请日:2023-10-09

    Abstract: 本发明公开了基于权重化QR分解的OMP重构方法、装置、设备及介质,涉及信号处理技术领域。本发明的方法包括:第一步,获取测量值并构造传感矩阵;第二步,初始化参;第三步,对原子集、权重、残差向量进行迭代更新,当迭代次数满足阈值,停止迭代,输出迭代结果向量;第四步,根据结果向量计算稀疏向量,并基于稀疏向量重构信号。本方法针对贪婪算法中的正交匹配追踪算法(Orthogonal Matching Pursuit,OMP)算法进行改进,在迭代求解过程中引入了增量式权重,只采用部分元素向量进行迭代运算,保证重构信号质量同时降低资源消耗,使得本发明的实施方案有利于在轻量化硬件平台上实现。

    基于多态可变步长最小均方的自适应信号处理方法及介质

    公开(公告)号:CN112039498B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202010878521.2

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 本发明公开了基于多态可变步长最小均方的自适应信号处理方法,涉及数字信号处理技术领域,其技术方案要点是:第一阶段,计算滤波器系数W(n)与最佳滤波器系数H(n)之间的稳态MSD,选取一个较大的步长μ1以获得较快的收敛速度,并根据步长因子μ1计算得到第一阶段中初始态的稳态MSD1;第三阶段,计算出最小的最终稳态MSDmin值,并根据最终稳态MSDmin值计算出最佳的μopt;第二阶段,在初始态MSD1与最终态MSDmin之间添加多个暂态,根据步长因子μ1与最佳步长因子μopt的倍数因子来调节暂态步长因子#imgabs0#并根据暂态步长因子#imgabs1#计算得到暂态#imgabs2#在突变信道下,既能达到该通道下的最小MSD值,也能以一个较快的收敛速度进行收敛,且在平稳信道的信号突变的情况下保持良好的性能。

    可重构DW卷积和普通卷积的FPGA实现方法及其加速器

    公开(公告)号:CN116775558A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310963503.8

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 本发明涉及一种可重构DW卷积和普通卷积的FPGA实现方法及其加速器,属于计算机领域。该方法包括以下步骤:对FPGA部署卷积神经网络模型时,进行输入特征图的数据重排和权重数据重排;采用数据切片重排,一次将一个切片中的数据存储到FPGA的片上存储中。本发明的方法旨在通过ARM上权重排序程序的简单修改即可完成DW卷积和普通卷积在FPGA上的融合,且不需要再对FPGA上部署的加速器做更多的修改。即在不额外增加任何FPGA硬件资源的情况下,将DW卷积融合到针对普通卷积设计的加速器中。

    一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

    公开(公告)号:CN113611738B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202110914932.7

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上,采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构,通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比,同时,还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层,以减少器件导通压降,提高器件输出电流。

    基于开关滤波组的三模可重构的宽带功率放大器

    公开(公告)号:CN116260404A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211512593.0

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于开关滤波组的三模可重构的宽带功率放大器,属于微波电路领域,包括输入匹配及稳定模块、输入偏置模块、GaN功放晶体管、开关滤波组及基波匹配模块、输出偏置模块;总输入端连接输入匹配及稳定模块,所述输入匹配及稳定模块与输入偏置模块并联接入GaN功放晶体管的栅极端,GaN功放晶体管输出端串联开关滤波组及基波匹配模块,开关滤波组及基波匹配模块并联输出偏置模块并连接输出端;所述开关滤波组及基波匹配模块内设有基于漏源电容的开关滤波组电路,用于对GaN功放晶体管的输出端进行谐波控制及阻抗变换,实现F‑J‑逆F三种模式的功率放大器。

    一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路

    公开(公告)号:CN116032115A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310197431.0

    申请日:2023-03-03

    Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路,属于射频集成电路设计领域。该电路包括时钟缓冲器、分频器、电荷泵和计数器。其中电荷泵包括第一电荷泵和第二电荷泵,第一电荷泵和第二电荷泵在不同频率下工作,并通过计数器选择第一电荷泵或第二电荷泵进行工作;时钟缓冲器分别与分频器和第一电荷泵连接;分频器分别与计数器和第二电荷泵连接;计数器与第一电荷泵连接,同时计数器输出端连接到其输入端,形成反馈环路;电荷泵与电路负载连接。本发明通过将电路工作频率维持在低频状态,从而实现电荷泵的低功耗。

    一种具有单置换网络的分层半并行LDPC译码器系统

    公开(公告)号:CN112636767B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202011411615.5

    申请日:2020-12-03

    Abstract: 本发明涉及一种具有单置换网络的分层半并行LDPC译码器系统,属于译码器硬件设计领域。该系统包括单置换网络的分层译码架构、单置换网络的分层半并行译码架构、分层半并行译码的流水线设计、分层半并行LDPC译码器的硬件构架。本发明通过更改从变量节点传递到校验节点的每个信息块的循环移位值,去掉了校验节点和变量节点之间的置换网络模块,即通过单置换网络就可以完成译码器的循环移位操作,从而减小了译码器的硬件资源。采用半并行的译码结构,同时在半层之间加入流水线。与分层全并行结构的译码器相比,半并行结构的译码器的变量节点并行度仅为码长的一半,但可以实现其3/4的吞吐量,同时将硬件资源减少了一半。

    一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

    公开(公告)号:CN113540224B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202110812047.8

    申请日:2021-07-19

    Abstract: 本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上,从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构,综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。

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