公开(公告)号：CN112858362B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202110023510.0

申请日：2021-01-08

Applicant: 重庆大学

Inventor： 邓超 ,  文婷婷 ,  洪睿 ,  杨帅 ,  周仕远 ,  刘施峰

IPC: G01N23/2251 ,  G01N23/2202 ,  G01N1/32

Abstract: 本发明公开了一种用于电镜观察的微米级球形颗粒截面的制备方法，包括如下步骤：(1)将导电胶带粘贴于导电金属基体上；(2)取微米级球形颗粒粉末平铺粘在导电胶带上，并吹走多余粉末；(3)将粘有粉末的导电金属基体置于离子束抛光机内进行抛光，采用平面抛光模式，抛光角度为0～2°，抛光电压和时间为5～8kV 5～40min+3～5kV 5～20min+0.5～2kV 5～20min，即可获得满足扫描电镜观察的颗粒截面。本发明不需要包埋处理，不用消耗额外的制样耗材；时间短，成本低，操作性强；耗时仅为截面抛光模式的十分之一，抛光效率高；获得的样品有效面积大，用于扫描电镜观察的可选择区域多。

公开(公告)号：CN112877745A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110024987.0

申请日：2021-01-08

Applicant: 重庆大学

Inventor： 邓超 ,  文婷婷 ,  杨帅 ,  陈珊 ,  何鹏飞 ,  刘施峰

IPC: C25D11/26 ,  C01G35/00

Abstract: 本发明公开了一种五氧化二钽超细颗粒的制备方法，包括如下步骤：(1)将清洗干净的钽片作为阳极，采用阳极氧化法制备五氧化二钽纳米管；(2)将得到的五氧化二钽纳米管置于退火炉或等离子火花放电炉中进行650～900℃高温热处理得到五氧化二钽超细晶体颗粒。本发明选用钽片作为基底材料，运用简单的阳极氧化法制备了五氧化二钽纳米管，最后在管式退火炉或等离子火花放电炉里经过高温热处理得到五氧化二钽超细颗粒，粒径约为50‑200nm，产品经过进一步处理可达到电子级纯度99.99％。该工艺方法制备流程短，能耗低，环境污染少，是一种环保高效的制备五氧化二钽颗粒的方法。

公开(公告)号：CN108465700B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810205349.7

申请日：2018-03-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘施峰 ,  林男 ,  柳亚辉 ,  刘庆 ,  姚力军 ,  王学泽

IPC: B21B1/38 ,  C23C14/34 ,  C22F1/18

Abstract: 本发明公开一种获得均匀组织和织构的溅射靶材用钽板轧制方法，按以下步骤进行：对钽板采用多道次异步轧制，每道次完成后，将钽板相对于其进给方向水平旋转90°，并将钽板的两个轧制面互换，整个轧制过程中钽板的水平旋转方向一致。通过异步轧制，结合每道次旋转90°，且每道次互换轧制面的方式对钽板进行塑性变形，制备出的高纯钽溅射靶材的组织、织构分布更为均匀，维氏硬度较高且平均，结合退火处理将得到均匀分布的晶粒，这样的钽板可应用于电子器件、半导体等溅射膜领域。

公开(公告)号：CN105441846B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610042110.3

申请日：2016-01-22

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘施峰 ,  柳亚辉 ,  邓超 ,  刘庆 ,  姚力军 ,  王学泽

IPC: C22F1/18 ,  C22F1/02

Abstract: 本发明公开一种靶材用高纯钽板的热处理方法，将钽板靶坯进行塑性变形后，将其于800℃～900℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第一次淬火；再于1200℃～1300℃条件下恒温热处理60min～90min，取出进行第二次淬火，得到高纯钽板靶材成品。采用本发明的方法，通过对钽板靶坯进行低温退火、第一次淬火、高温退火和第二次淬火，能细化靶材的晶粒，优化组织，因而能获得性能符合要求和质量稳定的高纯钽板溅射靶材。