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公开(公告)号：CN112209725A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011103898.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/622 , C04B35/584
Abstract: 本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，还涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。本发明的前处理方法有效避免了氮化硅陶瓷在空气气氛烧结中的氧化，也可有效减少氮化硅埋粉的氧化，实现了氮化硅陶瓷在空气气氛中的烧结；并且所用氮化硅埋粉和二氧化硅粉容易分离，且可反复多次复用，可大幅降低埋粉消耗，减少成本。
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公开(公告)号：CN111892415A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010740051.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/80 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶须/氧化铝陶瓷复合材料及其制备方法，属于氧化铝陶瓷技术领域。本发明的碳化硅晶须/氧化铝陶瓷复合材料的制备方法，包括以下步骤：将复合粉体振荡压力烧结，即得；所述复合粉体由碳化硅晶须和氧化铝粉体组成。本发明的碳化硅晶须/氧化铝陶瓷复合材料的制备方法，利用振荡压力烧结实现动态压力烧结，通过重排、扩散和迁移等机制加快了坯体的致密化进程，加速了烧结后期晶界处闭气孔的排出，有助于提升复合陶瓷材料的相对密度，提高复合陶瓷材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN119118636A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202311095340.2
申请日：2023-08-29
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/111 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高性能纳米层错氧化铝陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料领域，本发明方法制备的纳米层错氧化铝陶瓷材料内部具有高密度的层错组织，位于晶界区域；晶界区域层错区厚度在5‑50nm之间；材料的晶粒粒径在0.1‑2μm之间；材料的晶体结构为α‑Al2O3。通过本发明方法合成得到的纳米层错氧化铝陶瓷材料具有较高的致密度、抗弯曲强度、高硬度和高断裂韧性的特性，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113387705B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110835865.X
申请日：2021-07-23
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种碳化硼陶瓷的制备方法，该制备方法首先对碳化硼施加较低的恒定压力，然后在最高烧结温度时将恒定压力调整为振荡压力，最后在冷却阶段调整为较低的恒定压力得到碳化硼陶瓷。该方法将振荡压力施加在烧结中期至烧结末期，其改变了碳化硼烧结过程的致密化机理，能够在1700‑1800℃实现纯碳化硼的致密化，且烧结压力较小，此种烧结方式可引入大量晶体缺陷，实现材料性能的大幅提升，所制备得到的碳化硼陶瓷致密度高。且本发明采用的较低的烧结压力降低了对烧结设备和所用石墨模具的要求，有助于制备更大尺寸的高性能碳化硼陶瓷构件。
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公开(公告)号：CN111285667A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010109555.5
申请日：2020-02-22
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/103
Abstract: 本发明公开了一种含原位碳耐火浇注料，包括A组分和B组分，A组分由耐火原料刚玉质颗粒、烧结镁砂、活性氧化铝微粉、铝酸钙水泥和硅微粉组成，B组分为过渡金属原位掺杂聚合物溶液。本发明在原料中添加过渡金属原位掺杂聚合物水溶液，一方面在制备过程中赋予耐火浇注料原料拌合物流动性；另一方面，在烧结过程中，聚合物热解生成碳材料，实现碳材料在浇注料中弥散分布，同时过渡金属改善原位生成碳材料的石墨化程度，根据原位合成理论，使含原位碳耐火浇注料中碳材料具有良好的分散性，能发挥碳材料熔渣不润湿特性，赋予含碳耐火浇注料优越的力学性能及抗侵蚀性。本发明还提供一种含原位碳耐火浇注料的制备方法，工艺过程简单、利于工业化生产。
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