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公开(公告)号：CN101527198B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200910126781.8
申请日：2009-02-23
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01G4/005 , H01G4/228 , H01L2224/16225 , H05K1/0231 , H05K1/0298 , H05K1/112 , H05K1/162 , H05K3/429 , H05K2201/09309 , H05K2201/09672 , H05K2201/09845 , H05K2201/10734
Abstract: 本发明提供一种电容模块。该电容模块包括：包括第一电极和第二电极的第一电容器，第一电极和第二电极中的一个连接到至少一个第一导电通路并且第一电极和第二电极中的另一个连接到至少一个第二导电通路。该电容模块还具有与该第一电容器分开的第二电容器，该第二电容器具有第三电极和第四电极，该第三电极和第四电极中的一个连接到该至少一个第一导电通路并且该第三电极和第四电极中的另一个连接到该至少一个第二导电通路。而且，该电容模块包括通过该至少一个第一导电通路电连接到具有第一极性的第一导电面，和通过该至少一个第二导电通路电连接到具有与第一极性相反的第二极性的第二导电面。
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公开(公告)号：CN101295585B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810090553.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01G4/30 , H01G4/35 , H05K1/16 , H05K1/18 , H05K1/03 , H01L23/00 , H01L23/498 , H01L23/64 , H01L23/66
CPC classification number: H05K1/162 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H05K1/112 , H05K3/429 , H05K3/4688 , H05K2201/0792 , H05K2201/09309 , H05K2201/09536 , H05K2201/09636 , H05K2201/10734 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明公开了一种电容器、包含该电容器的电路板及集成电路承载基板，该电容器是为相关于降低电容器的等效串联电感(ESL)的线路结构。该电容器包括多个电极、一沿着该电容器的厚度方向从顶部电极延伸至底部电极的第一连通孔、及一沿着该电容器的厚度方向从顶部电极延伸至底部电极的第二连通孔。该电极包括一组第一电极及一组第二电极。该第一连通孔电性连接至该第一电极，且，该第二连通孔电性连接至该第二电极。该电容器尚包括一介于该第一连通孔及该第二连通孔之间的额外连通孔。该额外连通孔的长度短于第一连通孔及第二连通孔的长度。此外，该额外连通孔电性连接至第一电极及第二电极其中之一。
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公开(公告)号：CN101035406B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610127270.4
申请日：2006-09-19
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0209 , H05K2201/09309 , Y10T29/43 , Y10T29/49126
Abstract: 本发明揭示一种埋入式电容核，其包括第一组电容、第二组电容、及该第一组电容与该第二组电容之间一层间介电膜。该第一组电容包括：第一导电图案，其包含至少两个导电电极；以及第二导电图案，其包含至少两个导电电极，其对应于该第一导电图案之两个导电电极；以及第一介电膜，其位于该第一导电图案及该第二导电图案之间。该第二组电容包括：第三导电图案，其包含至少两个导电电极；第四导电图案，其包含对应于该第三导电图案之两个导电电极之至少两个导电电极；以及位于该第三导电图案及该第四导电图案之间的第二介电膜。
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公开(公告)号：CN1882218A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510117656.2
申请日：2005-11-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/024 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01P3/081 , H01P3/085 , H05K1/0298 , H05K3/386 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09881 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有复合介质的基板及其所组成的多层基板，所述基板包括：一第一介电层、一第一讯号信号传输线路以及一第一导体层。此第一介电层具有第一介质区和第二介质区，其中第二介质区系位于第一介电层的表面，并且与第一介质区系是不同介电材料，以及第一讯号信号传输线路系位于第二介电层中，而第一导体层则系位于第一介电层下。于在此，第二介质区的介电常数可高于或低于第一介质区的介电常数，或者系是其介电损耗可低于第一介质区的介电损耗。本发明主要是在介电层中局部分布一种以上的介电材料，也就是说，在信号传输线路周边/上方/下方的介电材料不同于邻近的介电材料，借此以符合于高频电路中的特定需求。
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公开(公告)号：CN102569216A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110068111.2
申请日：2011-03-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/165 , H01L23/3107 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率元件封装结构，是将功率元件封装结构的金属基板作为电容单元的下电极，并于该金属基板上依序设置介电材料层与上金属层，该上金属层为上电极，而该金属基板为下电极，使形成电容单元，简化并整合电容单元于功率元件封装结构中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101562433B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910130723.2
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H03H1/02 , H01G4/40 , H05K1/0231 , H05K1/0233 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/1006
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置。该电容器装置包括至少一个电容器。该电容器装置还包括第一电容器和连接该第一电容器与导电区域的第一滤波器，其中该第一电容器具有第一共振频率，并且该第一滤波器被配置为工作在覆盖该第一共振频率的第一频带内。
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公开(公告)号：CN101930846A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010105736.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/1209 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01L28/86 , H05K3/429 , H05K2201/0187 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , H05K2201/09672 , H05K2201/09718 , Y10T29/43
Abstract: 本发明公开一种多层电容器及其制造方法。该电容器元件包括第一电极、第二电极、第三电极、第一介电层以及第二介电层。第一电极与电容器元件的第一电极接点电性耦合。第二电极位于第一电极的下方且与电容器元件的第二电极接点电性耦合。第二电极与第一电极电性绝缘。第三电极位于第一电极以及第二电极的下方，第三电极与第二电极电性绝缘并与第一电极电性耦合。第一介电层位于第一电极与第二电极之间，而且第一介电层具有第一介电常数。第二介电层位于第二电极与第三电极之间，而且第二介电层具有第二介电常数。在一实施例中，第二介电常数比第一介电常数至少大五倍。
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公开(公告)号：CN100592842C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710188130.2
申请日：2007-11-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电路板的电性连通结构与具有此结构的电路板，其是将电子元件的电源接点与接地接点分别连接至电路板的电源层与接地层，电性连通结构包括第一导电结构及第二导电结构，此二个导电结构的一端均为导接段，二导接段各别电性连接于电源接点与接地，各导电结构的另一端则自其导接段延伸形成多个对偶段，此两导电结构的二对偶段是成对配置，此两导电结构的成对对偶段是呈交错数组方式配置，以形成两个电流方向相反的回路，产生磁通量相互抵消的效果，使得电子电路电源系统中的去耦合电容的阻抗随着电子元件切换频率上升而增加的情形趋缓。
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公开(公告)号：CN101431859A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710188130.2
申请日：2007-11-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电路板的电性连通结构与具有此结构的电路板，其是将电子元件的电源接点与接地接点分别连接至电路板的电源层与接地层，电性连通结构包括第一导电结构及第二导电结构，此二个导电结构的一端均为导接段，二导接段各别电性连接于电源接点与接地，各导电结构的另一端则自其导接段延伸形成多个对偶段，此两导电结构的二对偶段是成对配置，此两导电结构的成对对偶段是呈交错数组方式配置，以形成两个电流方向相反的回路，产生磁通量相互抵消的效果，使得电子电路电源系统中的去耦合电容的阻抗随着电子元件切换频率上升而增加的情形趋缓。
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公开(公告)号：CN100431394C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200510117656.2
申请日：2005-11-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/024 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01P3/081 , H01P3/085 , H05K1/0298 , H05K3/386 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09881 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有复合介质的基板及其所组成的多层基板，所述基板包括：一第一介电层、一第一讯号信号传输线路以及一第一导体层。此第一介电层具有第一介质区和第二介质区，其中第二介质区系位于第一介电层的表面，并且与第一介质区系是不同介电材料，以及第一讯号信号传输线路系位于第二介电层中，而第一导体层则系位于第一介电层下。于在此，第二介质区的介电常数可高于或低于第一介质区的介电常数，或者系是其介电损耗可低于第一介质区的介电损耗。本发明主要是在介电层中局部分布一种以上的介电材料，也就是说，在信号传输线路周边/上方/下方的介电材料不同于邻近的介电材料，借此以符合于高频电路中的特定需求。
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