公开(公告)号：CN114784103A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210233913.2

申请日：2022-03-09

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  王萌 ,  袁嘉惠 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种基于硅钝化的p‑GaN栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次设置的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层的两侧分别开设有隔离区，所述隔离区自所述势垒层的上表面延伸至所述缓冲层的上表面；所述势垒层的上表面的中间位置自下而上依次设置有帽层、钝化层、氧化层和栅电极，所述势垒层的上表面两侧分别设置有源电极和漏电极。本发明通过在帽层上淀积钝化层，能够隔离氧化层与势垒层，大幅度钝化p‑GaN材料的表面态和缺陷，有效提升p‑GaN栅极耐压性，改善器件的阈值电压漂移，增大输出电流，减小栅极泄露电流。

公开(公告)号：CN114937597A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210434393.1

申请日：2022-04-24

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院

Inventor： 李祥东 ,  袁嘉惠 ,  王峻博 ,  王萌 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种双层钝化耗尽型MIS‑HEMT器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层；在上一步得到的样品两侧形成器件的隔离区；在AlGaN势垒层上表面生长Si钝化层，并通过热氧化工艺在Si钝化层表面形成一层SiO2氧化层，从而形成Si‑SiO2双层钝化结构；刻蚀掉栅极区域两侧的SiO2氧化层和Si钝化层；在整个样品表面淀积SiO2钝化层；制作器件的源漏极和栅极。本发明通过在栅极氧化物和半导体之间生长一层Si钝化层，并经热氧化形成Si‑SiO2双层钝化结构，有效减少了栅极介质和势垒层之间的界面态，减小了器件阈值电压负漂，避免了现有器件因栅极不稳定导致的失效问题，实现了具有优异可靠性的耗尽型MIS‑HEMT器件。

公开(公告)号：CN110376561A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910482669.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王彤 ,  马欣 ,  刘程 ,  王萌

IPC: G01S7/40

Abstract: 本发明属于雷达技术领域，具体涉及一种时域降维的多快拍迭代阵元幅相误差估计方法，方法步骤如下：步骤1，根据回波数据xl构建基矩阵；步骤2，利用时域降维方法得到降维后的回波数据zK,l和杂波表示基矩阵ψK,l；步骤3，根据降维后的回波数据zK,l得到降维后的回波数据的范数；步骤4，计算第i次迭代的各个距离单元杂波数据的复幅度 步骤5，计算阵元幅相误差的最优估计es,opt。本方法是一种时域降维的、估计精度较高的、能自动收敛的阵元幅相误差估计方法。

公开(公告)号：CN110221253A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910458745.5

申请日：2019-05-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 黄进 ,  林先觉 ,  康乐 ,  王萌 ,  周金柱 ,  王睿

IPC: G01S7/282 ,  G01S7/285 ,  G01S7/35 ,  G01S13/00

Abstract: 本发明属于有源相控阵技术领域，公开了一种X波段温度自补偿T/R组件系统。首先构建T/R组件射频波控硬件电路，实现温度实时采集及监控功能，实现对组件的幅值相位数据的采集和控制功能。其次基于在线序贯极限学习机模型，利用温度频率-幅值相位反馈补偿方法对单通道T/R组件的幅值相位进行补偿，包括：构造训练数据集、训练在线序贯网络模型、预测实时幅值相位、补偿幅值相位。本发明实时采集组件温度、频率及幅相信息，在线预测并能够在线更新模型，实时补偿温度对T/R组件电性能的影响。

公开(公告)号：CN110376561B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201910482669.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王彤 ,  马欣 ,  刘程 ,  王萌

IPC: G01S7/40

Abstract: 本发明属于雷达技术领域，具体涉及一种时域降维的多快拍迭代阵元幅相误差估计方法，方法步骤如下：步骤1，根据回波数据xl构建基矩阵；步骤2，利用时域降维方法得到降维后的回波数据zK,l和杂波表示基矩阵ψK,l；步骤3，根据降维后的回波数据zK,l得到降维后的回波数据的范数；步骤4，计算第i次迭代的各个距离单元杂波数据的复幅度步骤5，计算阵元幅相误差的最优估计es,opt。本方法是一种时域降维的、估计精度较高的、能自动收敛的阵元幅相误差估计方法。

公开(公告)号：CN220753434U

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202321908132.5

申请日：2023-07-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李祥东 ,  韩占飞 ,  王峻博 ,  王萌 ,  袁嘉惠 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  常晶晶 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了一种GaN基PN结栅p沟道器件，本实用新型包括：衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、Mg掺杂的p‑GaN层、凹槽、栅金属电极、源金属电极、漏金属电极和隔离区。本实用新型通过在Mg掺杂的p‑GaN层中刻蚀出凹槽，在凹槽内利用Si掺杂的n型GaN或n型AlGaN和Mg掺杂的p型GaN形成PN结，其耗尽区在栅压的调控下展宽或收缩，从而切断或连通Mg掺杂的p‑GaN层和势垒层因极化效应产生的二维空穴气，Si掺杂的n型GaN或AlGaN和栅金属形成的肖特基接触工作在反偏的状态，可以降低工作时的栅极漏电，最终得到栅极漏电流小、具有负阈值电压逻辑的增强型p沟道器件。

公开(公告)号：CN219832664U

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202320135793.2

申请日：2023-01-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李祥东 ,  王萌 ,  袁嘉惠 ,  王峻博 ,  杨伟涛 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氧处理的高性能p‑GaN栅增强型晶体管，包括：衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN帽层、氧离子注入区、栅极、隔离区、源极以及漏极，其中，衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层自下而上依次设置；p‑GaN帽层位于AlGaN势垒层的上表面中心位置；氧离子注入区位于AlGaN势垒层的内部，并且，氧离子注入区位于p‑GaN帽层的正下方；栅极位于p‑GaN帽层的上方；隔离区位于GaN高阻层的上方，源极和漏极位于GaN沟道层的上方，分别位于AlGaN势垒层5两侧。本实用新型提供的晶体管能够充分耗尽栅极区域下GaN沟道层和AlGaN势垒层之间产生的二维电子气，同时削弱晶体管栅极区域势垒层的极化效应，进而提高晶体管阈值电压和导通电流。