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公开(公告)号：CN116260327A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310160863.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT功率半桥电路系统，包括：死区时间控制电路(1)、电平移位电路和上侧逻辑电路(2)、逻辑和控制电路(3)、高侧驱动(4)、低侧驱动(5)、电流检测电路(6)、高侧器件(7)、低侧器件(8)、二极管(D)、第一电容(C101)、电感(L)、第二电容(C102)和第一电阻(R101)。本发明实施例的GaN HEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时，提高电路性能，且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时，提升了电路的可靠性，降低了设备损坏的风险。
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公开(公告)号：CN115692184A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211354448.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P‑AlGaN栅增强型晶体管及制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P‑AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层，露出P‑AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P‑AlGaN层，形成P‑AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层，并在金属层、P‑AlGaN层、P‑AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P‑AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P‑GaN侧墙缺陷产生的问题。
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公开(公告)号：CN114937597B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210434393.1
申请日：2022-04-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种双层钝化耗尽型MIS‑HEMT器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层；在上一步得到的样品两侧形成器件的隔离区；在AlGaN势垒层上表面生长Si钝化层，并通过热氧化工艺在Si钝化层表面形成一层SiO2氧化层，从而形成Si‑SiO2双层钝化结构；刻蚀掉栅极区域两侧的SiO2氧化层和Si钝化层；在整个样品表面淀积SiO2钝化层；制作器件的源漏极和栅极。本发明通过在栅极氧化物和半导体之间生长一层Si钝化层，并经热氧化形成Si‑SiO2双层钝化结构，有效减少了栅极介质和势垒层之间的界面态，减小了器件阈值电压负漂，避免了现有器件因栅极不稳定导致的失效问题，实现了具有优异可靠性的耗尽型MIS‑HEMT器件。
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公开(公告)号：CN114937597A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210434393.1
申请日：2022-04-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种双层钝化耗尽型MIS‑HEMT器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层；在上一步得到的样品两侧形成器件的隔离区；在AlGaN势垒层上表面生长Si钝化层，并通过热氧化工艺在Si钝化层表面形成一层SiO2氧化层，从而形成Si‑SiO2双层钝化结构；刻蚀掉栅极区域两侧的SiO2氧化层和Si钝化层；在整个样品表面淀积SiO2钝化层；制作器件的源漏极和栅极。本发明通过在栅极氧化物和半导体之间生长一层Si钝化层，并经热氧化形成Si‑SiO2双层钝化结构，有效减少了栅极介质和势垒层之间的界面态，减小了器件阈值电压负漂，避免了现有器件因栅极不稳定导致的失效问题，实现了具有优异可靠性的耗尽型MIS‑HEMT器件。
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