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公开(公告)号：CN116260327A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310160863.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT功率半桥电路系统，包括：死区时间控制电路(1)、电平移位电路和上侧逻辑电路(2)、逻辑和控制电路(3)、高侧驱动(4)、低侧驱动(5)、电流检测电路(6)、高侧器件(7)、低侧器件(8)、二极管(D)、第一电容(C101)、电感(L)、第二电容(C102)和第一电阻(R101)。本发明实施例的GaN HEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时，提高电路性能，且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时，提升了电路的可靠性，降低了设备损坏的风险。
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公开(公告)号：CN115692184A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211354448.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P‑AlGaN栅增强型晶体管及制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P‑AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层，露出P‑AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P‑AlGaN层，形成P‑AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层，并在金属层、P‑AlGaN层、P‑AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P‑AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P‑GaN侧墙缺陷产生的问题。
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公开(公告)号：CN114937597B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210434393.1
申请日：2022-04-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
Abstract: 本发明公开了一种双层钝化耗尽型MIS‑HEMT器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层；在上一步得到的样品两侧形成器件的隔离区；在AlGaN势垒层上表面生长Si钝化层，并通过热氧化工艺在Si钝化层表面形成一层SiO2氧化层，从而形成Si‑SiO2双层钝化结构；刻蚀掉栅极区域两侧的SiO2氧化层和Si钝化层；在整个样品表面淀积SiO2钝化层；制作器件的源漏极和栅极。本发明通过在栅极氧化物和半导体之间生长一层Si钝化层，并经热氧化形成Si‑SiO2双层钝化结构，有效减少了栅极介质和势垒层之间的界面态，减小了器件阈值电压负漂，避免了现有器件因栅极不稳定导致的失效问题，实现了具有优异可靠性的耗尽型MIS‑HEMT器件。
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公开(公告)号：CN110244273B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910525534.9
申请日：2019-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
Abstract: 本发明公开了一种基于均匀分布式阵列的目标角度估计方法，包括以下步骤：在同一发射信号波长、同一子阵间距条件下，将雷达天线阵列接收到的信号υ重排成一个M×N维的矩阵C；对矩阵C做二维快速傅氏变换处理，得目标的空间模糊频率f；根据f求得目标角度θ，将θ中对应的目标的模糊角度正弦值u以最大不模糊频率△为间隔拓展，得目标向量v1；在X个不同子阵间距条件下，重复步骤1‑3，分别求得X个目标向量，对其求并集，得并集向量a；将并集向量a做差分处理，将差分最小值对应的数值的平均值作为目标角度的正弦值估计值。该方法对目标角度的估计精度高、计算量小，适用于分布式雷达，来实现对目标的多载频/多间距的无模糊定位。
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公开(公告)号：CN110221253B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910458745.5
申请日：2019-05-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于有源相控阵技术领域，公开了一种X波段温度自补偿T/R组件系统。首先构建T/R组件射频波控硬件电路，实现温度实时采集及监控功能，实现对组件的幅值相位数据的采集和控制功能。其次基于在线序贯极限学习机模型，利用温度频率‑幅值相位反馈补偿方法对单通道T/R组件的幅值相位进行补偿，包括：构造训练数据集、训练在线序贯网络模型、预测实时幅值相位、补偿幅值相位。本发明实时采集组件温度、频率及幅相信息，在线预测并能够在线更新模型，实时补偿温度对T/R组件电性能的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110244273A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910525534.9
申请日：2019-06-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
Abstract: 本发明公开了一种基于均匀分布式阵列的目标角度估计方法，包括以下步骤：在同一发射信号波长、同一子阵间距条件下，将雷达天线阵列接收到的信号υ重排成一个M×N维的矩阵C；对矩阵C做二维快速傅氏变换处理，得目标的空间模糊频率f；根据f求得目标角度θ，将θ中对应的目标的模糊角度正弦值u以最大不模糊频率△为间隔拓展，得目标向量v1；在X个不同子阵间距条件下，重复步骤1-3，分别求得X个目标向量，对其求并集，得并集向量a；将并集向量a做差分处理，将差分最小值对应的数值的平均值作为目标角度的正弦值估计值。该方法对目标角度的估计精度高、计算量小，适用于分布式雷达，来实现对目标的多载频/多间距的无模糊定位。
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公开(公告)号：CN103929384B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410178660.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于最大似然二维搜索的盲频偏估计方法，根据通信接收机接收到的信号信息，得到接收信号矩阵。初始化频偏搜索列表和码参数搜索列表。依据频偏搜索列表补偿接收信号矩阵得到频偏补偿信号矩阵。依据码参数搜索列表，对每个频偏补偿信号矩阵分别计算频偏‑码参数最大似然函数值。判决频偏‑码参数最大似然函数值中最大值所对应的频偏。由于本发明对接收信号采取了分组合并处理，使得频偏‑码参数最大似然函数的结果不依赖于数据起始位置，对于非完整性数据有很好的估计性能，因此本方法对同步误差有一定的容忍度。
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公开(公告)号：CN103929384A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410178660.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于最大似然二维搜索的盲频偏估计方法，根据通信接收机接收到的信号信息，得到接收信号矩阵。初始化频偏搜索列表和码参数搜索列表。依据频偏搜索列表补偿接收信号矩阵得到频偏补偿信号矩阵。依据码参数搜索列表，对每个频偏补偿信号矩阵分别计算频偏-码参数最大似然函数值。判决频偏-码参数最大似然函数值中最大值所对应的频偏。由于本发明对接收信号采取了分组合并处理，使得频偏-码参数最大似然函数的结果不依赖于数据起始位置，对于非完整性数据有很好的估计性能，因此本方法对同步误差有一定的容忍度。
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公开(公告)号：CN114823891A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210232493.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中，势垒层的两侧分别设置有第一隔离区和第二隔离区；第一隔离区和第二隔离区的内侧分别设置有漏电极和源电极，漏电极和源电极的至少一部分均镶嵌在势垒层中，漏电极和源电极的下表面均与沟道层接触；漏电极与源电极之间的势垒层上开设有栅极区凹槽，栅极区凹槽的内表面及势垒层的上表面涂覆有双层钝化层；位于栅极区凹槽内的双层钝化层上设置有栅电极。本发明通过双层钝化层在垂直沟道方向形成绝缘层，阻断了载流子在垂直方向的运输，使得器件具有界面态缺陷密度低，PBTI效应小，阈值电压稳定的特性。
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公开(公告)号：CN114725214A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210158910.7
申请日：2022-02-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种多层钝化凹槽栅MIS‑HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；势垒层左右两侧分别设有源极和漏极；势垒层中间靠近源极一侧设有一凹槽栅极区，凹槽栅极区上设有多层钝化层；其中，多层钝化层包括第一钝化层、过渡层、掩膜层、第二钝化层；第一钝化层选择性生长于势垒层的凹槽栅极区底部，并与沟道层上表面接触；过渡层位于第一钝化层上表面；掩膜层位于凹槽栅极区两侧的势垒层上；第二钝化层位于过渡层上，并向上延伸至掩膜层的上表面。本发明通过将多层钝化结构与选择性生长技术相结合，实现了钝化层在栅极区域内有效、精确可控的沉积，改善了介质界面缺陷问题，提升了器件性能。
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