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公开(公告)号：CN114725094B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210096697.1
申请日：2022-01-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种Si‑GaN单片异质集成反相器，包括：衬底、衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层之间具有隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有Si有源层；Si有源层上覆盖有栅介质层，栅介质层上设有第一栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极；第一漏电极与第二漏电极通过第一金属互联条电气连接；第一栅电极与第二栅电极通过第二金属互联条电气连接。本发明还提供一种Si‑GaN单片异质集成反相器制备方法，本发明的反相器可实现低静态功耗、高开关频率等特性。
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公开(公告)号：CN118484836A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410321934.9
申请日：2024-03-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种面向匿名交易的区块链账本可问责修改方法及系统，涉及区块链技术领域，解决了现有技术中单个属性密钥分发授权机构可能会遭受各种攻击，且修改者一经授权即可修改任何内容且编辑权限极有可能泄露，严重威胁区块链生态系统安全的问题；该方法包括：利用基于策略的变色龙哈希算法将可编辑区域添加至区块链账本中，并将匿名交易数据上传至可编辑区域中；交易修改者对可编辑区域中的匿名交易数据进行修改后，并对交易修改者使用匿名可撤销的环签名进行签名，得到交易提案；将交易提案进行上链；该方法实现了平衡了隐私保护和可编辑两种需求，不仅能防止用户的双花攻击，还能有效保障区块链系统安全。
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公开(公告)号：CN114531447B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210048194.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L67/104 , H04L67/10 , H04B7/06 , H04B7/0413 , H04B7/185 , H04L9/40 , G06F16/23
Abstract: 本发明属于区块链领域和边缘计算技术领域，公开了一种基于区块链的移动边云结合监管任务协同调度方法及系统。无人机辅助的边缘监管节点，以下简称为无人机监管节点，基于区块链智能合约，选择不同重要性和截止日期的监管任务上传至区块链中，上链的监管任务通过多天线的方式点对点传输给组织内其他分布式节点；无人机监管节点对上链监管任务进行查询，并根据监管任务的重要性和截止日期进行选择和计算来获得最大的计算收益，并将完成的任务上传到区块链；无人机监管节点根据剩余监管任务进行移动来改善信道状态，并将无法在无人机监管节点及时处理的任务卸载到云端执行。本发明提高了监管任务的执行效率，有助于实现任务执行的低延迟和高吞吐量。
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公开(公告)号：CN114531447A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210048194.7
申请日：2022-01-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04L67/104 , H04L67/10 , H04B7/06 , H04B7/0413 , H04B7/185 , H04L9/40 , G06F16/23
Abstract: 本发明属于区块链领域和边缘计算技术领域，公开了一种基于区块链的移动边云结合监管任务协同调度方法及系统。无人机辅助的边缘监管节点，以下简称为无人机监管节点，基于区块链智能合约，选择不同重要性和截止日期的监管任务上传至区块链中，上链的监管任务通过多天线的方式点对点传输给组织内其他分布式节点；无人机监管节点对上链监管任务进行查询，并根据监管任务的重要性和截止日期进行选择和计算来获得最大的计算收益，并将完成的任务上传到区块链；无人机监管节点根据剩余监管任务进行移动来改善信道状态，并将无法在无人机监管节点及时处理的任务卸载到云端执行。本发明提高了监管任务的执行效率，有助于实现任务执行的低延迟和高吞吐量。
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公开(公告)号：CN114420748A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111301947.2
申请日：2021-11-04
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/205 , H01L29/15 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaN/GaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaN/GaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。本发明提供的器件结构降低了杂质散射对载流子迁移率的影响，提高了空穴迁移率，增加了空穴浓度，提高了器件阈值电压，进而提升了器件可靠性，为实现高性能GaN基电力电子器件和集成电路夯实了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119783552A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510272127.7
申请日：2025-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于交通法规权重的自动驾驶测试方法及电子设备，在测试场景生成过程中，引入了交通法规的重要性权重，这些重要性权重引导注意力机制对词块向量分配不同的关注度，例如对高风险行为以及关键法规对应的词块向量分配较高的关注度，以确保后续的场景生成优先覆盖高风险行为以及关键交通法规的违规场景；并通过注意力机制对词块向量序列中各个词块向量及其上下文进行学习，获得全局上下文表示，该全局上下文表示能够反映复杂场景中的全局动态交互信息，进而能够生成多样化且复杂的测试场景，从而使得利用本发明生成的测试场景对自动驾驶系统进行测试时，能够更准确地反映自动驾驶系统在复杂且高风险交通场景下的合规性表现。
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公开(公告)号：CN118484814A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410948200.3
申请日：2024-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种切片级特征驱动的软件漏洞精准检测方法，涉及软件安全技术领域，本发明提出了一种GRU语句嵌入方法，结合程序切片技术，以获取更完整的程序特征表示，引入了漏洞字典的概念，利用漏洞检测模型挖掘和利用程序切片中的漏洞特征，实现了对待测程序的函数级和语句级漏洞的有效检测。
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公开(公告)号：CN118228612A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410650181.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于自动驾驶技术领域，公开了一种基于强化学习的自然性自动驾驶场景生成方法及装置，通过生成多个多智能体模型，每个多智能体模型包括具有一种驾驶风格的多个虚拟车辆，然后利用至少一个多智能体模型生成自然性自动驾驶场景，从而实现了对不同驾驶风格的真实人类驾驶员的驾驶情况的模拟。其中，虚拟车辆的驾驶风格由一组自然性量化指标指定，且每个虚拟车辆在行驶过程中根据自身的驾驶风格和外界信息进行驾驶策略的调整，外界信息包括周边交通设备信息以及周围虚拟车辆信息，由此利用虚拟车辆准确地还原了真实驾驶场景，为自动驾驶系统的类人行为测试场景提供了可靠的支持。
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公开(公告)号：CN118133016A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410255672.0
申请日：2024-03-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F18/214 , G06F18/10 , G06N3/042 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供了一种面向合约中间表示的智能合约安全检测模型的训练方法、检测方法、装置和设备，包括构建联盟链智能合约数据集；对联盟链智能合约数据集进行预处理操作，生成多个相应的中间表示；确定各中间表示对应的多关系图；根据各多关系图对初始门控图神经网络模型进行训练，得到训练好的面向合约中间表示的智能合约安全检测模型，该方法能够捕获智能合约中隐藏的语义信息和上下文信息，有效降低误报率，同时能够减少人工参与，自动化程度高，检测效率更高。
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公开(公告)号：CN114420742A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111300410.4
申请日：2021-11-04
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/80 , H01L29/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。
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