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公开(公告)号:CN112601184A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011506978.7
申请日:2020-12-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04W4/029 , H04W4/38 , H04B1/3827
Abstract: 本发明公开了一种便携式野外移动应急通信系统,主要解决现有应急通信设备不便于携带、无法移动式定位的问题。其包括全双工多方协同语音通信模块、基于LoRa的GPS定位模块、路径显示模块、语音/路径显示自动切换模块和生命体征监测模块。通过生命体征监测模块实现用户的生命体征监测;通过基于LoRa的GPS定位模块实现实时定位和位置信息的共享;通过语音/路径显示自动切换模块实现在设定距离内的语音和路径显示的切换,即切换至全双工多方协同语音通信模块时,及时有效的沟通现场情况,切换至路径显示模块时,显示出运动轨迹。本发明具有能实现语音与路径显示的切换、生命体征监测和实时定位的优点,可用于野外应急救援工作。
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公开(公告)号:CN108777580B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201810508691.4
申请日:2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种混合电容翻转技术控制的逐次逼近型模数转换器SARADC电平开关方法,其实现过程是:(1)采用上极板采样技术对输入信号进行采样;(2)比较器第一次比较完成后采用电容阵列同时翻转技术,切换电容阵列开关;(3)在后续转换过程中,采用多电平开关技术,根据比较结果切换电容阵列开关,直至转换完成。本发明提出的混合电容翻转技术由上极板采样技术,电容阵列同时翻转技术和多电平开关技术组成,该技术提高了转换速度,减少了差分电容阵列的电容数量,降低了转换过程需要的能量。
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公开(公告)号:CN108777580A
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201810508691.4
申请日:2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种混合电容翻转技术控制的逐次逼近型模数转换器SARADC电平开关方法,其实现过程是:(1)采用上极板采样技术对输入信号进行采样;(2)比较器第一次比较完成后采用电容阵列同时翻转技术,切换电容阵列开关;(3)在后续转换过程中,采用多电平开关技术,根据比较结果切换电容阵列开关,直至转换完成。本发明提出的混合电容翻转技术由上极板采样技术,电容阵列同时翻转技术和多电平开关技术组成,该技术提高了转换速度,减少了差分电容阵列的电容数量,降低了转换过程需要的能量。
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公开(公告)号:CN104113315A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410336320.4
申请日:2014-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种PMOS四相电流源开关驱动电路,主要解决现有PMOS四相电流源的开关驱动信号同步性较差的问题。其包括信号产生电路、一级锁存电路、二级锁存电路、通路控制电路、交叉点调整电路;信号产生电路产生四相开关信号;一级锁存电路及二级锁存电路对该四相开关信号依次作两次延迟;通路控制电路利用四相开关信号及其二次延迟信号产生通路控制信号输出给交叉点调整电路;交叉点调整电路利用通路控制信号对一次延迟的四相开关信号进行调整,并将该调整后的信号输出至外部的PMOS四相电流源。本发明提高了开关驱动信号的同步性,降低了四相开关信号的交叉点,可用于数模转换器集成电路的制作。
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公开(公告)号:CN103441747A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201310391182.5
申请日:2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H17/00
Abstract: 一种低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器,基于硅基RF CMOS工艺,由传输线TL0、π型结构的8dB衰减模块、电感L1、T型-桥T型组合结构的0~7dB组合衰减模块、电感L2、π型结构的16dB衰减模块、传输线TL1顺序级联的单一信号通路构成,采用MOS管作为控制开关,由五个独立控制端控制三个衰减模块工作,利用电感网络进行相位补偿,工作频率范围为Ku波段,以1dB长度步进在的0~31dB的衰减范围内,可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、生产成本低、芯片面积小和兼容数字处理模块的优点,可用于单芯片超宽带通信系统集成。
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公开(公告)号:CN103427781A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201310391271.X
申请日:2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器,包括1dB、2dB、4dB、8dB、16dB五个衰减模块,采用带有沟道并联电阻结构和体悬浮结构的两种锗硅BiCMOS工艺的NMOS场效应晶体管作为控制开关,由五组互补数字信号独立控制五个衰减模块工作,利用低通网络进行相位补偿,通过电感进行相邻衰减模块间匹配,通过传输线匹配到50Ω的输入和输出阻抗,工作频率范围为1~25GHz,以1dB长度步进在的0~31dB的衰减范围内,可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、生产成本低、芯片面积小的优点,可用于大幅度信号处理和单芯片集成。
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公开(公告)号:CN111291320B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202010047045.X
申请日:2020-01-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于HXDSP芯片的双精度浮点复数矩阵运算优化方法,属于数字信号处理器的底层函数优化领域;双精度浮点复数矩阵运算包含由多次第一双精度浮点复数矩阵中的一个元素与第二双精度浮点复数矩阵的前四列的对应行的四个元素相乘后并与第三双精度浮点复数矩阵对应元素相加的过程构成的内循环;多次由第一双精度浮点复数矩阵中的一行与第二双精度浮点复数矩阵的每个四列的对应四个元素相乘的过程构成的外循环;本发明通过对矩阵乘法的优化避免了内存中的读数冲突带来的卡顿现象,同时,充分利用硬件资源,提高运算效率。
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公开(公告)号:CN117060923A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202310833563.8
申请日:2023-07-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于差分输入的极性自控宽带大幅度dither结构,包括:计数器、两个过零比较器、改进的PN码生成器、DAC、寄存器、两个加法器、差分ADC、查找表模块、延迟模块和减法器;本发明在输入端增加过零比较器能以较低的复杂度控制随机噪声的正负极性,保证最终的信号幅度不超过量化范围;除了采用乘同余法与斐波那契数列结合的方法外,利用改进的随机数生成公式更改了斐波那契数列生成的初始序列使随机性增强;对生成的PN码以简单的逻辑结构产生一组不同的均匀分布随机序列以供差分输入。增加了对应差分输入结构ADC的PN码使得该结构的应用范围得以拓宽;且运算需求没有明显增加,结构简单,整体的复杂度较低。
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公开(公告)号:CN113422605B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202110763310.9
申请日:2021-07-06
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种溢出校准电路、模数转换器及模数转换方法,基于流水线型ADC第一子级和第二子级输出的数字码同时进行溢出判断,并将判断的结果传输到校准输出电路进行校准,在发生下溢出的时候将校准输出电路的输出全部置0,在发生上溢出的时候将校准输出电路的输出全部置1,完成溢出判断,并校准输出。如果存在因误差导致的溢出判断比较器判断结果出错,可以在溢出判断电路和校准输出电路校准判断失误的溢出位,保证电路的正常输出。
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公开(公告)号:CN111273889B
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202010043946.1
申请日:2020-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于信号处理技术领域,具体涉及一种基于HXDSP1042处理器的浮点复数FIR优化方法,包括:设定浮点复数FIR的函数接口,根据HXDSP1042处理器的寄存器传参规则确定函数接口中每个函数参数对应的传参寄存器;根据每个函数参数对应的传ss参寄存器分别得到输入序列、滤波器序列、输出序列的首地址及输入序列、滤波器序列、输出序列对应的长度;对HXDSP1042处理器进行压栈保护得到压栈保护后的HXDSP1042处理器;根据输入序列、滤波器序列、输出序列对应的长度得到循环控制变量;根据循环变量对输入序列和滤波器序列进行卷积操作得到输出序列,并将输出序列存入输出序列的首地址;对压栈保护后的HXDSP1042处理器进行复位操作。具有处理性能高,应用范围广的有益效果。
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