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公开(公告)号：CN109743027A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910013093.4
申请日：2019-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度低噪声放大器电路，主要解决现有技术线性度较差的问题。其包括：第一级放大电路A1、第二级放大电路A2，两级电路之间采用电容C1耦合。第一级放大电路A1主要由两个NPN双极型晶体管Q1、Q2构成的共射共基结构以及第一负载阻抗网络Z1和第一偏置电阻R1组成，第二级放大电路A2主要由两个NMOS管M1、M2构成的共源共栅结构以及第二负载阻抗网络Z2和第二偏置电阻R2组成。本发明与传统的双极型晶体管级联结构低噪声放大器相比，由于级联电路结构不同所产生的三阶非线性项大小不同，可获得更高的输入三阶截取点，有效改善了低噪声放大器的线性度，可用于无线通信接收机前端芯片中。
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公开(公告)号：CN104297566B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410571026.1
申请日：2014-10-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频识别电子标签上天线输入阻抗的测量方法，主要解决阻抗测量设备本身精度对测量精度影响的问题。其实现步骤为：1.用电子校准件校准测量用矢量网络分析仪；2.用测量线将矢量网络分析仪端口与差分巴伦夹具单端SMA接头连接；3.依次测量差分巴伦夹具差分端在短路、开路、接50Ω电阻的三种状态下的输入阻抗；4.测量差分巴伦夹具差分端接待测平衡天线状态下其单端SMA接头处的输入阻抗值；5.根据上述四个已测参数计算得到一个电子标签平衡天线的输入阻抗。本发明避免了测量设备精度对测量结果的影响，且具有操作简单快速、测量精度高的优点，可用于大批量超高频射频识别电子标签上平衡天线的输入阻抗测量。
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公开(公告)号：CN107154788A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710266417.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/38
CPC classification number: H03H7/38
Abstract: 本发明涉及一种射频能量采集电路中的L型阻抗匹配系统及方法，其系统包括采样比较模块、逻辑算法控制模块和可调阻抗匹配网络；采样比较模块用于在逻辑控制模块的控制下对倍压整流电路输出的电压进行连续两次采样并对连续两次采样的电压进行比较；逻辑算法控制模块用于根据连续两次采样的电压的比较结果逐次调整并入可调阻抗匹配网络中L型可调电容阵列的数量；可调阻抗匹配网络用于根据并入的L型可调电容阵列的数量来匹配所述天线与倍压整流电路之间的阻抗。本发明通过判断倍压整流电路输出电压得到当前阻抗匹配效果，避免了复杂的ADC采样或者信号处理单元，电路简单，功耗极低，仅在开关过程消耗能量，适用于微弱能量采集环境。
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公开(公告)号：CN104113315B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410336320.4
申请日：2014-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种PMOS四相电流源开关驱动电路，主要解决现有PMOS四相电流源的开关驱动信号同步性较差的问题。其包括信号产生电路、一级锁存电路、二级锁存电路、通路控制电路、交叉点调整电路；信号产生电路产生四相开关信号；一级锁存电路及二级锁存电路对该四相开关信号依次作两次延迟；通路控制电路利用四相开关信号及其二次延迟信号产生通路控制信号输出给交叉点调整电路；交叉点调整电路利用通路控制信号对一次延迟的四相开关信号进行调整，并将该调整后的信号输出至外部的PMOS四相电流源。本发明提高了开关驱动信号的同步性，降低了四相开关信号的交叉点，可用于数模转换器集成电路的制作。
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公开(公告)号：CN103973261B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201410188025.9
申请日：2014-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/24
Abstract: 本发明公开了一种高频宽衰减范围有源可变衰减器电路，由以下部分组成：一个共射级输入电路，完成电路高频信号的输入；一个电流舵结构作为衰减负载，控制信号直接控制电流舵工作状态，调节电路衰减量；两个并联场效应管用于提供有效信号低阻泄放通路，场效应管偏置于深线性状态，消耗少量面积实现可变电阻；两个电容用于消除电路互连线在高频时的寄生电感；实现高频信号有效泄放，衰减。本发明的有益效果是提供一种有源可变衰减器，易于集成，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105424222A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510741959.5
申请日：2015-11-01
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G01K13/00 , G06K17/0022
Abstract: 本发明提供一种基于射频识别技术的多目标温度状态监测系统，包括一个主机，至少一个读写器、多个温控电子标签以及各个模块之间的连接线或接口单元，所述温控电子标签内设有伪随机序列产生器模块，本发明还包括一种基于射频识别技术的多目标温度状态监测方法，包括以下步骤：读写器识别和配置待测温控电子标签，然后通过温度监测命令激活待测目标群；温控电子标签则将目标物所处的温度状态转换为不同的伪随机序列发送给读写器；读写器则通过检测标签返回的伪随机序列判断其所处的温度状态，传递给主机。本发明的有益效果是实现对多个目标物的温度状态进行实时地智能化地监测。
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公开(公告)号：CN105375099A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510623338.7
申请日：2015-09-25
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01Q1/48 , H01Q1/2216 , H01Q1/38
Abstract: 本发明涉及一种用于微波射频识别读写器的二频段天线及天线的信号发射、接收方法，包括介质基板，介质基板作为衬底，设置有辐射单元、金属地、弯折微带馈电线和SMA接头，辐射单元贴附在介质基板的一面，金属地贴附在介质基板的另一面，并且辐射单元与介质基板在水平面上无投影重合，弯折微带馈电线与金属地对称贴附在介质基板的两个面上，且弯折微带馈电线将辐射单元与SMA接头连接。本发明能够适用于多应用的微波射频识别读写器天线。
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公开(公告)号：CN103427780B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310391024.X
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器，包括0～7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块，采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构，以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关，由五位数字信号独立控制工作，通过共面波导传输线进行相邻衰减模块间，以及与50Ω的输入和输出阻抗之间的匹配，工作频率范围为0～50GHz，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、工作频段宽、电路结构简单的优点，可用于处理大功率信号的射频/微波系统。
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公开(公告)号：CN103986439A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410200749.0
申请日：2014-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/16
Abstract: 本发明公开了一种基于正交矢量调制的超宽带五位有源移相器，输入信号经过正交信号发生器后形成两路正交的差分信号I路信号和Q路信号；其中I路信号经过I路相位象限控制器、I路压控增益放大器后到达加法器的一端，Q路信号经过Q路相位象限控制器、Q路压控增益放大器后到达加法器的另路一端；加法器把两路信号相加后从输出端输出；逻辑编码器主要完成对外部输入的五位数字控制信号的编码用来控制DAC、I路相位象限控制器和Q路相位象限控制器；DAC控制I路压控增益放大器和Q路压控增益放大器和加法器。本发明的有益效果是采用无源移相器件，可以实现很高的集成度，占用面积小，且损耗小。
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公开(公告)号：CN103633183A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310583494.6
申请日：2013-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯中远红外探测器及其制备方法，该红外探测器包含一层石墨烯薄膜，其基本单元为一个以胶体量子点层作为光控顶栅的石墨烯红外光电晶体管。该器件克服了石墨烯对光的吸收率低的问题，同时石墨烯沟道的电学可调特性得到了保持，因此该器件可同时受到光学与电学偏置的控制。该晶体管具有超高的红外光吸收率、内量子效率、增益和很低的噪声水平，且可根据所探测红外波长范围的不同选用不同的胶体量子点层材料。该器件易与现有硅基CMOS集成电路工艺相兼容，因此可以实现大规模、低成本传感器阵列的生产。该敏感器件的成功制备，将为高性能石墨烯基红外焦平面阵列传感器的研究奠定基础。
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