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公开(公告)号：CN117293024A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311320412.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/3205 , C30B29/40 , C30B25/18 , C23C16/06
Abstract: 本发明涉及半导体物理学技术领域，且公开了一种基于Si基GaN材料结构的高性能半导体衬底片及其使用方法，包括薄膜层，所述薄膜层的底表面设置有金属层，所述金属层的底表面设置有导电聚合物层。该基于Si基GaN材料结构的高性能半导体衬底片及其使用方法，通过设置导电聚合物层，其聚苯胺(PANI)材料是柔软和可塑性材料，可以根据需要进行弯曲、拉伸或形状变换，金属层和导电聚合物层具有较低的热膨胀系数，金属层和导电聚合物层具有较低的热膨胀系数，并且具备一定的柔韧性，可以在衬底片和其他材料之间起到缓冲作用，吸收和缩减由于热膨胀引起的应力，从而减轻衬底片的变形和应力集中，通过优异的导热性，可以减少热应力的产生。
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公开(公告)号：CN106290546A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610627663.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G01N27/622 , H01J49/0018 , H01J49/022
Abstract: 本发明涉及离子迁移检测领域，特别涉及一种离子迁移谱仪。离子迁移谱仪，包括硅底板，所述硅底板上表面依次设有离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器，硅底板上面设有盖体，将离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器均封装在盖体内部，其中离子源的出口与迁移管入口相连，迁移管出口处依次设有检测电极和气流驱动器。本发明所述离子迁移谱仪，利用电压控制介质阻挡放电电路的动作，进而控制迁移管内的气体流速，从而精确地获得离子的注入量，从而提高离子迁移谱仪的分辨率，利用本发明可以将离子迁移谱仪分别率提高至90左右。
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公开(公告)号：CN101109077A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710018519.2
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜，利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体，并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜，具体过程为：衬底清洗并放入工艺室；对工艺室抽真空；通入混合气体；在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜；净化工艺室。其中，在淀积氟化非晶碳膜前后，可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点，可用于集成电路互连或者某些光学器件的制造。
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公开(公告)号：CN110442969B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201910717760.7
申请日：2019-08-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 一种系统级封装热可靠性综合优化设计方法，属于系统级封装技术领域，其特征在于：通过建立系统级封装结构模型，选取影响翘曲的因素及水平建立组合试验表，以结构翘曲为响应进行分析，利用田口方法望大特性筛选因素组合保证结构翘曲的热可靠性；将影响翘曲的筛选结果所包括的因素与微凸点尺寸组合，建立新的组合试验表后进行分析，以微凸点的热应力为响应，利用田口方法望小特性得到最优化组合结构，完成系统级封装热可靠性的综合优化设计。本发明以系统级封装结构的翘曲为基准，在保证翘曲可靠性的前提下，利用田口方法的望小特性对系统级封装结构的微凸点的热可靠性进行优化分析，得到最终的优化结构，提高系统级封装结构热可靠性。
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公开(公告)号：CN110442969A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910717760.7
申请日：2019-08-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种系统级封装热可靠性综合优化设计方法，属于系统级封装技术领域，其特征在于：通过建立系统级封装结构模型，选取影响翘曲的因素及水平建立组合试验表，以结构翘曲为响应进行分析，利用田口方法望大特性筛选因素组合保证结构翘曲的热可靠性；将影响翘曲的筛选结果所包括的因素与微凸点尺寸组合，建立新的组合试验表后进行分析，以微凸点的热应力为响应，利用田口方法望小特性得到最优化组合结构，完成系统级封装热可靠性的综合优化设计。本发明以系统级封装结构的翘曲为基准，在保证翘曲可靠性的前提下，利用田口方法的望小特性对系统级封装结构的微凸点的热可靠性进行优化分析，得到最终的优化结构，提高系统级封装结构热可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106290546B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610627663.5
申请日：2016-08-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及离子迁移检测领域，特别涉及一种离子迁移谱仪。离子迁移谱仪，包括硅底板，所述硅底板上表面依次设有离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器，硅底板上面设有盖体，将离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器均封装在盖体内部，其中离子源的出口与迁移管入口相连，迁移管出口处依次设有检测电极和气流驱动器。本发明所述离子迁移谱仪，利用电压控制介质阻挡放电电路的动作，进而控制迁移管内的气体流速，从而精确地获得离子的注入量，从而提高离子迁移谱仪的分辨率，利用本发明可以将离子迁移谱仪分别率提高至90左右。
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公开(公告)号：CN100584999C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710018520.5
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100℃；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100℃以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。
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公开(公告)号：CN101109078A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710018520.5
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100℃；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100℃以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。
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公开(公告)号：CN101104925A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710018518.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的硅源气体和氮化源气体进行电离分解，并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面，在衬底上淀积氮化硅薄膜，该工艺条件是：工艺室的压力为0.1Pa～5Pa；微波功率为600W～2000W；淀积温度为室温～300℃范围；气体总流量为50～300sccm；硅源气体和氮化源气体的流量比为1∶6～1∶12；衬底旋转速率为60转/分钟。本发明可在300℃以下低温下高速均匀淀积6英寸的的低氢含量的氮化硅薄膜，作为集成电路钝化层或光学器件材料。
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公开(公告)号：CN201072680Y
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200720032543.7
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种磁铁磁场装置，主要解决现有磁场装置体积大、均匀性差的问题。整个装置包括磁铁200，屏蔽板301、无磁模板302，该无磁模板上设有数个梯形固定孔201和一个圆形固定孔202，梯形固定孔由圆心向外在半径R1、R2、R3处分别以角度θ1、θ2、θ3等间隔分布，且θ1∶θ2∶θ3＝4∶2∶1，每个磁铁嵌入无磁模板的固定孔中，与固定孔紧配合，磁铁底面与模板底面处于同一平面，通过环形相间排列形成大面积高强度永磁磁场，模板下方设有屏蔽板，该屏蔽板通过磁铁的吸力与模板固定为一体，形成磁铁、无磁模板、屏蔽板的组合整体。本实用新型具有均匀性好、体积小、正面磁场强度高、安装组合简单的优点，可作为电子回旋共振等离子体源设备的部件。
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