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公开(公告)号:CN106290546A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610627663.5
申请日:2016-08-03
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G01N27/622 , H01J49/0018 , H01J49/022
Abstract: 本发明涉及离子迁移检测领域,特别涉及一种离子迁移谱仪。离子迁移谱仪,包括硅底板,所述硅底板上表面依次设有离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器,硅底板上面设有盖体,将离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器均封装在盖体内部,其中离子源的出口与迁移管入口相连,迁移管出口处依次设有检测电极和气流驱动器。本发明所述离子迁移谱仪,利用电压控制介质阻挡放电电路的动作,进而控制迁移管内的气体流速,从而精确地获得离子的注入量,从而提高离子迁移谱仪的分辨率,利用本发明可以将离子迁移谱仪分别率提高至90左右。
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公开(公告)号:CN106290546B
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201610627663.5
申请日:2016-08-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及离子迁移检测领域,特别涉及一种离子迁移谱仪。离子迁移谱仪,包括硅底板,所述硅底板上表面依次设有离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器,硅底板上面设有盖体,将离子源、迁移管、检测电极和气流驱动器均封装在盖体内部,其中离子源的出口与迁移管入口相连,迁移管出口处依次设有检测电极和气流驱动器。本发明所述离子迁移谱仪,利用电压控制介质阻挡放电电路的动作,进而控制迁移管内的气体流速,从而精确地获得离子的注入量,从而提高离子迁移谱仪的分辨率,利用本发明可以将离子迁移谱仪分别率提高至90左右。
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