公开(公告)号：CN113410306B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202110663181.6

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王成熙 ,  杜欣荣 ,  王清波 ,  赵杰 ,  卓青青 ,  温富刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之间的寄生电容；场氧化层内侧紧邻设置嵌入沟道的环状第一接触电极，且场氧化层内侧沉淀栅氧化层；环状第一接触电极上表面设置平整条状的多晶硅栅极，多晶硅栅极两端补分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层区域重叠设置，多晶条形带界定了有源区的边界，可挡住注入的离子，注入离子的区域形成有源区。

公开(公告)号：CN110854179B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201911114902.7

申请日：2019-11-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王清波 ,  薛东风 ,  赵杰 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  杜欣荣 ,  卓青青

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73

Abstract: 本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位层的自建电场。该自建电场抑制总剂量辐射在二氧化硅绝缘层中产生的正电荷向硅‑二氧化硅界面运动，从而减小辐射诱生正电荷到达硅‑二氧化硅界面并形成新的界面态的数量，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN113410306A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663181.6

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王成熙 ,  杜欣荣 ,  王清波 ,  赵杰 ,  卓青青 ,  温富刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之间的寄生电容；场氧化层内侧紧邻设置嵌入沟道的环状第一接触电极，且场氧化层内侧沉淀栅氧化层；环状第一接触电极上表面设置平整条状的多晶硅栅极，多晶硅栅极两端补分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层区域重叠设置，多晶条形带界定了有源区的边界，可挡住注入的离子，注入离子的区域形成有源区。

公开(公告)号：CN112993015A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110218622.1

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 孙有民 ,  王清波 ,  赵杰 ,  卓青青 ,  温富刚 ,  王成熙

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。

公开(公告)号：CN110828560A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911114870.0

申请日：2019-11-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 赵杰 ,  薛东风 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王清波 ,  卓青青 ,  杜欣荣

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度Wb所在位置由N型外延层表面推向N型外延层体内。当基区环结构的横向PNP晶体管处于总剂量辐照环境中时，虽然氧化层中正电荷积累会导致P型集电区的耗尽和反型以及P型发射区表面的耗尽和反型，但由于基区宽度Wb位置已下移至P型集电区的耗尽和反型和P型发射区表面的耗尽和反型下方，所以并不会影响横向PNP晶体管的基区宽度，故这种基区环结构横向PNP晶体管具有较强的抗总剂量辐射能力。