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公开(公告)号：CN114050155A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264689.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于收发器的高耐压抗静电结构，多个对应端口两侧均连接有高耐压二极管结构，端口均为仅一侧导通高耐压二极管结构的阳极，形成多个对应端口线路组，且每个对应端口线路组至少形成两条放电通道；通过反偏二极管和正偏二级管的组合，端口到端口之间至少存在两条放电通道，大幅度减小了单条放电通道的压力，满足超高电压静电放电要求，当端口到端口的其中一条放电通道负荷过重，另外一条放电通道负荷较轻，则均衡放电通道平衡器件被触发，承受电压过大的一侧，通过均衡放电通道平衡器件向负荷较轻的一侧分流，实现双侧均衡放电，双侧均衡放电技术，有效避免了单一通道放电负荷过大而另一通道负荷较小的放电不平衡问题，显著提升器件的抗静电特性。
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公开(公告)号：CN111757033A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010613941.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的列读出电路校准系统及方法，通过在CMOS图像传感器上集成与有效列读出电路通过选通开关并联的校准列读出电路；利用有效列读出电路的读出数据判断CMOS图像传感器上有效列读出电路列的失效情况；通过校准列读出电路获取CMOS图像传感器上校准列读出电路的读出数据，根据校准列读出电路的读出数据判断校准列读出电路列的失效情况；利用校准列读出电路的有效列电路替换有效列读出电路的失效列电路，实现CMOS图像传感器的列读出电路校准，通过测试确定有效列读出电路中失效列，利用校准列读出电路实现失效列校准，可有效降低坏列影响，提升电路成品率。
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公开(公告)号：CN111313851A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010121621.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种LVDS用高速数据传输预加重电路及其控制方法，采用两条预加重电流源电路、两个高增益宽带运算放大器以及四个预加重状态切换开关形成基本电路架构，在经典桥型开关电流源拓扑结构基础上增加四个预加重状态切换开关以及一个高增益宽带运算放大器实现对高速数据信号传输过程中高频分量进行幅度增强，以补偿高速信号传输过程信号幅值信息的衰减。本发明能够实现高速数据传输时明显提升共模电压的负反馈调节速度和精度，通过双高增益和宽带运放设计能够解决高速数据传输时共模信号恶化的问题，同时能够有效改善差分信号波形一致性差的问题，达到提升LVDS发送器电路整体信号完整性和减小误码率目的。
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公开(公告)号：CN111263088A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010117697.6
申请日：2020-02-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 一种用于8T像元的高速采样电路及其控制方法，采样电路中包括运算放大，外接测试光电信号选通开关，外接测试复位信号选通开关，列采样开关，可调采样电容控制开关，可调反馈电容控制开关，缓冲开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，采样电容，反馈电容以及输出采样电容。不同于传统的相关双采样电路，本发明通过连续流水采样电路提高读出电路的输出速率，具有外部可测性设计、去失调设计、低噪声时序设计和高速输出采样设计，提高了数据处理速度。
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公开(公告)号：CN118174733A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410368778.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明涉及高精度数据转换器领域，尤其涉及一种双极性轨对轨差分型数字隔离器，包括积分动态比较模块、差分转换模块、双极性转单端VGA模块、片外高阻分压模块和阻抗缓冲模块；片外高阻分压模块的输入为外部输入直流/交流电压信号Ain，片外高阻分压模块的输出端与阻抗缓冲模块的输入端连接，阻抗缓冲模块的输入栅电阻接近无穷大；阻抗缓冲模块的输出端与双极性转单端VGA模块的输入端连接，双极性转单端VGA模块的输出端与差分转换模块的输出端连接。本发明基于数字隔离器应用，sigma delta调制的输出为单行数字码流，便于后续数字隔离器处理，结合现在工业应用对隔离器的高阻输入、高压技术要求，提出了应用解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117879581A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410108469.0
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175 , H03M3/00
Abstract: 本发明属于数字隔离器领域，公开了一种用于sigma delta ADC的双极性轨对轨差分型前端输入电路，包括输入分压电路、双极性转单端VGA电路以及全差分转换电路；输入分压电路用于将输入信号电压降至预设范围内，得到降压输入信号并输出至双极性转单端VGA电路；双极性转单端VGA电路用于将降压输入信号进行幅值调整，转换为电源电压至地电压之间的正信号，得到单极性模拟电压信号并输出至全差分转换电路；全差分转换电路用于将单极性模拟电压信号转换为以预设的共模电压VCM为共模电平的全差分信号。在应用至数字隔离器时，输入信号可以是单极性或者双极性单端输入，也可以是全差分型输入，幅值可达到电源电压，更适用于工业高压隔离应用，具有较高实用性。
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公开(公告)号：CN115842965A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211230357.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/671 , H04N25/20
Abstract: 本发明公开了一种超大面阵红外图像传感器的成像均匀度的校准装置及方法，属于红外图像传感器成像领域。本发明通过优化Gpol信号的传输方向，补偿地电平的浮地效应，通过二者的逆向传输，实现Gpol信号和地电平电压变化趋势一致的目标；另一方面，通过差异监测机制，检测Gpol信号和地电平的电压差异，通过配置Gpol信号的对地漏电二极管级联数目，调整Gpol信号从中间到两侧的压降程度，达到Gpol信号和地电平电压变化趋势相同且幅值一致的目标，保证Gpol信号与地电平之间的压差恒定，实现高均匀成像。本发明有效解决了传统图像传感器由于大面阵浮地效应而引起的Gpol信号和地电平压差异不恒定问题。
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公开(公告)号：CN115172399A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210907860.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法，包括NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区；所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区呈匚型结构，NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区对称设置，所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区开口方向背离共有的有源区。解决在较小像元级电路面积约束的条件下的抗辐照加固问题。面向小尺寸背照式像元电路结构设计，满足空间用超大规模背照式图像传感器的抗辐照需求。
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公开(公告)号：CN114051107A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264687.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够显示1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
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公开(公告)号：CN111355907B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010172479.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的列级ADC及其实现方法，属于CMOS图像传感器的模拟数字转换器领域。本发明的列级ADC，比较器第一级负端输入为光电信号Vin，其正端输入为斜坡参考信号，比较器第一级的输出端与比较器第二级的输入端相连，比较器第二级的输出端通过补偿电容与比较器第一级的正端相连接，比较器第二级的输出端还提供有外部输出；比较器第一级和比较器第二级的翻转方向相反。本发明可有效抑制斜坡信号畸变，提升转换精度。
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