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公开(公告)号：CN111129286A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911358469.1
申请日：2019-12-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种柔性磁电异质结及其制备方法，柔性钛酸钡铁电层、金属层和钽保护层；柔性钛酸钡铁电层、金属层和钽保护层从下至上依次设置；柔性钛酸钡铁电层包括钛酸锶SrTiO3衬底、铝酸锶Sr3Al2O6牺牲层和钛酸钡BaTiO3铁电层；本发明的一种金属与柔性铁电材料形成的复合磁电异质结可以得到柔性钛酸钡/金属磁电薄膜，克服了目前磁电复合结构大多都离不开衬底束缚和磁电耦合效应的提高受到衬底极大制约的问题。
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公开(公告)号：CN118946251A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411033975.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供基于镍基氧化物异质结的光控阻变存储器、制备方法及应用，包括基底、氧化物层、光敏层和顶电极；氧化物层、光敏层和顶电极依次自下而上沉积在基底上；氧化物层为镍基氧化物层，光敏层为有机光敏层。所述光电异质结中的镍基氧化物层具有金属绝缘转变性能，利于实现电阻控制。同时在可见光照射下能够实现材料阻值的可逆瞬态改变，可以完成数据的快速写入或读取。
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公开(公告)号：CN117135991A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311279231.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种转角结合磁电单晶异质结的制备方法及磁电异质结，包括：在衬底上依次外延生长的单晶牺牲层和铁磁单晶层，得到单晶薄膜；将单晶薄膜粘合在长有电极的压电单晶基片上，测量外延衬底边沿与压电单晶基片边沿夹角，并扭转薄膜调整至所需角度；使用去离子水溶解单晶牺牲层以将外延衬底与目标薄膜分离，得到转角磁电异质结。本发明提供了一种转角磁电单晶异质结异质结构的制备工艺，可经由外延生长、薄膜转角结合与牺牲层溶解等步骤制备新型氧化物异质层状复合结构，以实现可编辑应力模式对目标薄膜磁性能的调控。
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公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN111020499A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911244800.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种柔性微波铁氧体薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，选用云母片作为基底，步骤2，将步骤1所准备的基底置于反应室内，进行铁氧体材料的沉积工作；步骤3，使用管式炉对薄膜进行后退火处理；步骤4，使用机械剥离的方式来分离薄膜和基底；本发明使用云母作为基底生长薄膜，因而制备的薄膜具有良好的柔性。本发明制备的薄膜线宽较低，且在经过管式炉后退火能够使线宽进一步降低。在不同弯曲条件下对铁氧体薄膜的微波特性进行了测试，验证了本发明方法可以制备出高质量的柔性微波铁氧体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113737134A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111028756.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜，通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜，下层薄膜溅射功率小，材料密度大，原子间距小，原子间存在小空隙；而上层薄膜溅射功率大，材料密度小，原子间距较大，原子之间存在大空隙，上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。
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公开(公告)号：CN113718220A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028755.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法，包括基片和碳基纳米薄膜；碳基纳米薄膜设置在基片上，基片为铝合金基片。包括以下步骤：步骤1：安装靶位；步骤2：关闭腔室盖子，调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数；步骤3：设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝的共溅射的生长；步骤4：打开真空腔室盖板，将溅射生长结束的样品取出，得到铝掺杂碳基纳米薄膜。本发明铝掺杂碳制备碳基纳米薄膜，其通过晶粒位错滑移应变释放出sp3键的内应力，从而使得部分sp3杂化键向sp2杂化键转化，提高表面涂层的导电性降低微波传输中的损耗；由碳掺杂改性的机理分析，通过铝掺杂影响费米能级的位置进而可以有效降低二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN113649249A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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公开(公告)号：CN111342184A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010113811.8
申请日：2020-02-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种可调的柔性微波器件及其制备方法，包括柔性基底、铌镁酸铅-钛酸铅PMN-PT层、钛酸锶钡薄膜层和铜层；铌镁酸铅-钛酸铅PMN-PT层、钛酸锶钡BST薄膜层和铜层依次自下而上设置在柔性基底上，形成PMN-PT/BST/Cu多层薄膜复合结构。本发明提供的一种可调柔性微波器件及其制备方法可以使制备得到的柔性微波器件具有较好的可选择性地隔离不同频带、低损耗以及优良的柔韧性的特性，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110202880A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910477178.8
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: B32B19/08 , B32B19/04 , B32B27/28 , B32B27/36 , C23C14/28 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 一种柔性微波器件及其制备方法，包括柔性波导和柔性铁氧体薄膜；柔性铁氧体薄膜设置在柔性波导上表面；柔性波导表面开设有两条并行的S型槽道，柔性铁氧体薄膜位于S型槽道的中部；S型槽道的一端外接电磁波发生装置。本发明涉及的柔性微波器件结构简单、体积小、造价低、性能好。可用于制备隔离器、环行器、移相器、双工器、滤波器、微波介质天线和铁氧体开关等柔性微波信号处理器件，在微波通信、物联网、智能家电等领域具有重要的应用前景。
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