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公开(公告)号：CN113649249B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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公开(公告)号：CN113718221A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028757.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN113649249A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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公开(公告)号：CN113792416B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110960738.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 一种计算线性调频信号下微波部件微放电的方法，首先对二次电子出射速度和角度的概率密度函数进行离散化处理，将线性调频信号进行离散化，将放电区域等分为相互平行的薄层，结合平行平板结构获得电子运动的离散轨迹，根据电子的每次运动和碰撞更新介质表面电荷和空间薄层(每层)的电量，采用更新电量后的介质表面电荷和空间薄层电荷计算电场分布，结合线性调频信号离散值的电场进行电子的加速，碰撞时分别调用金属和介质材料的二次电子发射系数，更新二次电子数量，对整个迭代过程中二次电子的数量进行加权计算，获得线性调频信号条件下微波部件微放电的演化过程。
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公开(公告)号：CN115261776B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110569564B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201910764621.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/17 , G06F30/15 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10
Abstract: 一种穿舱法兰介质窗微放电阈值预测方法，首先设置输入和输出端口，并进行直六面体网格剖分，在真空一侧介质表面加载正的初始面电荷，并采用静电场求解方法获得所加载初始电荷的静态电场分布，将该静态电场作为偏置，在外加射频激励信号的作用下，采用PIC算法对微放电过程进行仿真，通过判断电子数目随时间的变化来判断是否发生了微放电，对输入信号的功率进行迭代，最终获得满足指定阈值精度的微放电阈值。
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公开(公告)号：CN110555186B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910672840.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/10
Abstract: 一种确定介质窗微放电二次电子数目的方法，首先对二次电子发射的能量和角度进行随机处理，根据初始直流电场和射频场确定电子与介质的碰撞能量，获得二次电子发射系数，根据二次电子产额更新介质表面的累积电荷，并更新直流电场。在微放电分析中采用多个电子进行平均处理，并考虑了直流电场的动态变化，获得动态直流场和射频场耦合作用下的介质窗微放电二次电子数目的变化过程。
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公开(公告)号：CN108387597A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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公开(公告)号：CN106156440A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610585498.1
申请日：2016-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
CPC classification number: G06F17/5009 , H01P1/207
Abstract: 一种快速确定腔体滤波器无源互调电平的方法，首先将腔体滤波器接触部位进行等分，在两个载波频率处进行两次频域电磁场仿真，分别获得接触部位的表面电流。然后结合接触电阻确定接触部位每部分的电压降，根据接触部位非线性电流电压特性确定每部分的非线性电流。最后以该非线性电流为激励，在无源互调频率处进行电磁场仿真，最终确定出腔体滤波器端口无源互调功率电平，从而实现腔体滤波器无源互调电平的快速确定。本发明方法解决了腔体滤波器无源互调仿真的问题，可在滤波器设计阶段，有效仿真优化其无源互调性能。
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公开(公告)号：CN104852154A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510205187.3
申请日：2015-04-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种确定网状反射面天线无源互调量的方法，属于星载微波部件空间特殊效应技术领域。本发明通过建立实际网状反射面天线的等效网孔模型简化计算，将电大尺寸网状反射面天线的时域计算变为可能，同时保证了计算准确度，结合非线性电路模型的无源互调分析方法，通过一次仿真得到不同频率输入时产生每一阶的无源互调输出量，通过理想电路模型消除由于输入大信号对无源互调量小信号的湮没效应，消除时域分析中积累误差对无源互调量小信号的湮没效应，成功解决了电大尺寸网状反射面天线准确的电磁场分布计算与无源互调分析难题，填补了网状反射面天线无源互调分析技术空白，具有广阔的技术市场与应用前景。
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