公开(公告)号：CN108754574A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810612993.6

申请日：2018-06-14

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 杨峰 ,  余艳梅 ,  孙柏 ,  赵勇

IPC: C25D11/26

CPC classification number: C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种亮黄色忆阻器的制备方法，包括以下步骤：a、准备钛片和铌片，剪成需要大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超声15min，吹干待用；b、配制0.05mol/L的草酸溶液，将草酸溶液作为电解液，钛片作为阴极，在40v直流电压下氧化铌片10秒，以获得亮黄色的氧化铌薄膜；氧化完成后将样品冲洗干净，静置风干；c、待风干后滴上银胶，以银作为上电极，以铌为下电极在电化学工作站测I‑V循环曲线。本发明方法能耗低、设备简单，一步合成氧化铌薄膜，耗时少，操作简单，得到的忆阻性能优良。

公开(公告)号：CN109613475B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201910122620.5

申请日：2019-02-18

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李冰 ,  刘仕奇 ,  赵德双 ,  胡斌杰 ,  孙柏

IPC: G01S3/14

Abstract: 本发明公开了一种自适应优化互质阵的排布方法及目标DOA估算方法，包括以下步骤，步骤1：将互质阵中的任意一个子阵位置反转，即坐标位置从正轴反转到负轴；步骤2：将步骤1中反转后的子阵进行平移，平移因子通过优化方程得到为FA；本发明自适应优化互质阵的排布算法简便、易行，具有更强的普适性；不需要针对不同单元数的互质阵重新计算最优的排布方式；利用本发明得到的差分互质阵与传统差分互质阵相比具有更多连续的单元数，孔径数更大，用于通信、成像、定位等领域，可在不增加单元个数的前提下，获得更好的信息处理效果。

公开(公告)号：CN108428700B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201810212502.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 郭涛 ,  郑平平 ,  孙柏 ,  余洲 ,  刘连 ,  赵勇

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明公开了一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中，备用；S2：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装Cu2ZnSnSe4化合物靶材，预溅射以除去Cu2ZnSnSe4化合物靶材表面的污染物；S3：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：经步骤S2处理后，保持溅射条件在基片进行溅射沉积，溅射时间为20min，获得Cu2ZnSnSe4薄膜。S4：制备上电极：在沉积好的Cu2ZnSnSe4薄膜表面沉积上电极，获得所需器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。

公开(公告)号：CN110718631A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910968428.8

申请日：2019-10-12

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 赵勇 ,  李腾腾 ,  雷鸣 ,  孙柏 ,  许艳君 ,  赵乙椤

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05

Abstract: 一种低能耗、高可靠的生物忆阻器的制备方法，包括以下步骤：A、将藕块超声清洗后，打碎成粉并用滤网过滤，获得细藕粉；B、将0.02-0.05mm厚的紫铜片超声清洗、干燥后备用；C、将1-2份质量的浓度为25％-50％的聚偏氟乙烯的高氯酸钠溶液与7-10份质量的细藕粉搅拌混合，制得藕材料胶体；D、将C步的藕材料胶体，以每分钟2000-5000转的转速旋涂在B步的紫铜片上形成藕介电层；E、D步的紫铜片干燥后，在藕介电层表面真空沉积一层银，即得具有银电极/藕介电层/铜电极结构的生物忆阻器。该法制得的生物忆阻器,其触发电压脉冲的幅值低，能耗低，发热量小，忆阻效应稳定；以其制得的忆阻型存储器稳定、可靠。

公开(公告)号：CN109613475A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201910122620.5

申请日：2019-02-18

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 李冰 ,  刘仕奇 ,  赵德双 ,  胡斌杰 ,  孙柏

IPC: G01S3/14

Abstract: 本发明公开了一种自适应优化互质阵的排布方法及目标DOA估算方法，包括以下步骤，步骤1：将互质阵中的任意一个子阵位置反转，即坐标位置从正轴反转到负轴；步骤2：将步骤1中反转后的子阵进行平移，平移因子通过优化方程得到为FA；本发明自适应优化互质阵的排布算法简便、易行，具有更强的普适性；不需要针对不同单元数的互质阵重新计算最优的排布方式；利用本发明得到的差分互质阵与传统差分互质阵相比具有更多连续的单元数，孔径数更大，用于通信、成像、定位等领域，可在不增加单元个数的前提下，获得更好的信息处理效果。

公开(公告)号：CN109599488A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811312239.7

申请日：2018-11-06

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  郭柏林 ,  付国强 ,  李冰 ,  陈元正 ,  赵勇

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种毛发在制备忆阻器中的应用，涉及存储器制造技术领域。将0.25mol/L的氢氧化钠一份、0.4mol/L的硫化钠一份和0.05mol/L的十二烷基硫酸钠一份，三者等量配制成混合溶液；将碎毛发与混合溶液按质量体积比为1:15的比例混合均匀；并进行过滤操作，得到碎毛发的溶解液，经离心操作取离心得到的上清液，用300目的透析袋透析48小时并干燥，研磨成超细的角蛋白粉末；得到的角蛋白粉末与高氯酸钾电解液1:1等质量混合制备成混合胶体；用铟锡金属氧化物透明导电玻璃ITO做基片，将混合胶体作为中间层旋涂到ITO薄膜上作为介电层，并在环境温度为60℃的干燥箱里干燥；通过真空沉积法在涂敷介电层的基片表面沉积金属银做上电极，得到具有银/角蛋白/ITO结构的忆阻器件。

公开(公告)号：CN108666418A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810393589.4

申请日：2018-04-27

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  朱守辉 ,  毛双锁 ,  郑良 ,  夏钰东 ,  赵勇

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1608

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件的制备方法，其步骤包括：将干燥的红薯皮用粉碎机粉碎，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将制备好的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；将干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银(Ag)作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。

公开(公告)号：CN108447985A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810315095.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 雷鸣 ,  郑良 ,  孙柏 ,  赵勇 ,  张勇 ,  李腾腾 ,  朱守辉 ,  毛双锁 ,  郑平平

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于香蕉皮的生物忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：以香蕉皮为原料，采用分离法获得粒径为10μm以下的香蕉皮粉末，备用；S2：将香蕉皮粉末与聚偏氟乙烯、N-甲基吡咯烷酮均匀混合，制得稀泥状前驱胶体备用；S3：采用磁控溅射法在基底上溅射沉积下电极；S4：采用旋涂法，将步骤S2获得的前驱胶体均匀涂覆在钛基膜上形成生物膜；S5：待生物膜干燥后，在生物膜上制备上电极，即获得的基于香蕉皮的生物忆阻器，该忆阻器具有上电极/香蕉皮粉末/下电极结构。该方法制备过程简单，制备成的忆阻器件结构简单、性能优异，稳定性好，且制备成本低，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN108428700A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810212502.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 郭涛 ,  郑平平 ,  孙柏 ,  余洲 ,  刘连 ,  赵勇

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明公开了一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中，备用；S2：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装Cu2ZnSnSe4化合物靶材，预溅射以除去Cu2ZnSnSe4化合物靶材表面的污染物；S3：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：经步骤S2处理后，保持溅射条件在基片进行溅射沉积，溅射时间为20min，获得Cu2ZnSnSe4薄膜。S4：制备上电极：在沉积好的Cu2ZnSnSe4薄膜表面沉积上电极，获得所需器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。

公开(公告)号：CN106953009A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710291749.X

申请日：2017-04-28

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 孙柏 ,  张欣 ,  赵勇 ,  张勇

IPC: H01L45/00 ,  H01L45/02 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/00 ,  G11C13/0002 ,  H01L45/04 ,  H01L45/14 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的制备方法，涉及存储器制造技术领域。它能有效地解决半导体材料的负面影响的问题。包括步骤一、收集足够的干枯树叶；步骤二、将步骤一收集到的树叶通过分离法获取超细的树叶粉末，备用；步骤三、将步骤二得到的超细树叶粉末溶解在乙基纤维素溶液中，制备成胶体；步骤四、用掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃FTO做基片，利用旋涂法将步骤三得到的胶体在基片导电的一面旋涂成薄膜作为介电层；步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在60℃的干澡箱里干燥12小时以上；步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备；步骤七、通过真空沉积法将基片上介电层的表面沉积金属银做上电极，得到具有银/树叶/FTO结构的忆阻器件。