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公开(公告)号：CN117577390A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311560146.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种增强磁通钉扎能力的Nb3Al超导线材制备方法，包括以下步骤：S1、在惰性气氛中，将纳米ZnO粉、Nb粉和Al粉混合均匀，得到混合粉体；将所述混合粉体进行成型处理，得到掺杂纳米ZnO的Nb/Al前驱线材；S2、将所述步骤S1得到掺杂纳米ZnO的Nb/Al前驱线材进行RHQ处理，得到过饱和固溶体Nb(Al)ss线材；S3、将所述步骤S2得到的过饱和固溶体Nb(Al)ss线材进行低温退火，得到掺杂纳米ZnO的Nb3Al超导线材。本发明采用上述一种增强磁通钉扎能力的Nb3Al超导线材制备方法，通过掺杂纳米ZnO，使Al与ZnO发生氧化还原反应，生成更稳定的Al2O3和粒径更小的纳米级别的Zn，在线材中可形成弥散分布的纳米二相粒子作为有效的磁通钉扎中心，从而提高制备的所述Nb3Al超导线材的超导性能。
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公开(公告)号：CN107267942A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710462199.3
申请日：2017-06-19
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0623
Abstract: 本发明公开了一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In2S3靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；S3：溅射沉积In2S3薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝2，溅射气压为0.8～1.2Pa，在基片进行溅射沉积，溅射时间为60～300s，获得In2S3薄膜。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。
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公开(公告)号：CN103531661B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310498733.8
申请日：2013-10-22
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其技术方案主要是：A：清洗基片，B：预溅射；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为5W/cm2，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2小时的溅射，即得到具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出的CIGS薄膜取向为(220)，用作铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的吸收层，能有效降低晶界处的“电子-空穴”复合，提高电池转换效率。且其制备工艺简单、成本低，制备过程中无毒无污染，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103526172A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499546.1
申请日：2013-10-22
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 片状纳米形貌和带状纳米形貌的可控六方相In2Se3的制备方法，其中片状纳米形貌的In2Se3的制备方法是：A、将基片超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室，B、在氩气气氛下用In2Se3靶材进行70-80秒的磁控溅射，溅射功率为4-8W/cm2，衬底温度为350-370℃。带状纳米形貌的In2Se3的制备方法则是：A、B两步操作后，再将衬底温度升高至基片的软化温度，纵向加机械压力，使基片发生曲率半径为3～50m的弯曲，并持续8-12min；然后再次沉积200-250秒。该方法能制备出具有完整纳米片状形貌和带状形貌的In2Se3，且其制备效率高，成本低，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102412341A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110348538.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102400098A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110343687.5
申请日：2011-11-03
Applicant: 西南交通大学 , 成都欣源光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
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公开(公告)号：CN119289006A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411489930.8
申请日：2024-10-24
Applicant: 西南交通大学
IPC: F16D55/226 , F16D65/092 , F16D69/04
Abstract: 本发明公开了一种可实现高效急停的高速列车制动系统，包括制动盘结构、夹钳结构和闸片结构；制动盘结构包括沉头台和相对设置在所述沉头台上的上盘体、下盘体，上盘体、下盘体之间设有散热筋，外盘面上开设有气流槽，内盘面上开设有环形气流槽和弧形气流槽、连通槽，上盘体的外壁上设有气流口；闸片结构包括环形闸片受力板、固定螺栓和环形闸片装夹板，环形闸片装夹板上设有闸片，环形闸片受力板通过固定螺栓安装固定在所述环形闸片装夹板的外侧面上。本发明从制动盘体结构、闸片结构、夹钳结构等三个方面对制动系统进行改进设计，本发明旨在解决在突发情况下，需要在最短距离或时间内实现刹车的问题。
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公开(公告)号：CN118969393B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411467165.X
申请日：2024-10-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/06
Abstract: 本发明提供了一种钆钡铜氧高温超导膜及其制备方法，具体而言，涉及高温超导材料技术领域，所述方法包括：按钆:钡:铜：锂的摩尔比为1:2:（3‑X）:X，0.001≤X≤0.05,用乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜和乙酸锂配制涂层溶液；将所述涂层溶液涂覆于基片上，每涂覆一层后对所述涂层溶液进行干燥和热解；将覆有非晶膜的基片置于多温区管式炉中，在干燥的惰气/氮气和氧气混合气氛下，升至炉膛中心温度为800‑850℃，同时控制氧分压为20‑200ppm；让非晶膜依次在由低到高的不同温区进行外延生长，得到织构的钆钡铜氧高温超导厚膜；再进行渗氧热处理，得到具有正交晶体结构的钆钡铜氧高温超导厚膜。本发明的方法可有效提升厚膜的织构、改善其微结构和表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118686874A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410979446.7
申请日：2024-07-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: F16D65/12 , F16D65/847 , F16D65/02 , F16D65/78
Abstract: 本发明公开了一种采用气流引导结构的高效散热列车制动盘，包括法兰以及套设在所述法兰上的上制动盘体和下制动盘体，所述上制动盘体与所述下制动盘体之间设有散热筋；所述上制动盘体与所述下制动盘体的外表面相同，且所述上制动盘体与所述下制动盘体的外表面的截面为非矩形的气流引导结构一。本发明能够引导气体在制动盘表面的流向，加速制动盘表面摩擦热的耗散，减缓制动盘热应力的累积，降低裂纹萌生和扩展的速率；为列车制动盘散热结构设计提供新思路。
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公开(公告)号：CN116230316A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310148057.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/00
Abstract: 本发明公开了一种轧制结合快热急冷提高Nb3Al超导线材载流性能的方法，涉及超导线材制备技术领域。本发明提出采用室温轧制结合快热急冷(RHQ)提高Nb3Al超导带材的载流性能。本发明通过室温轧制把RHQ制备得到的韧性Nb(Al)ss塑形变形，引入晶格畸变、位错缺陷，为800℃热处理转变为Nb3Al超导相提供额外的形核功，使得生成的超导相晶粒变小、尺寸分布范围变窄，进而提高Nb3Al超导带材的临界电流密度(Jc)；本发明与传统RHQ仅有120℃的温区相比，第一次和第二次RHQ的温度范围得到扩展，有助于降低线材RHQ热处理过程的工艺参数控制精度，有利于超导长线的制备和生产。
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