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公开(公告)号：CN117199057A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311393739.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·M·利夫 , A·A·埃尔谢尔比尼 , J·M·斯旺
IPC: H01L25/065 , H01L23/485 , H10B80/00
Abstract: 本文公开了微电子组件、以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括第一面和第二面；所述第二管芯包括第一面和第二面，其中，所述第二管芯还包括在所述第一面处的多个第一导电触点和在所述第二面处的多个第二导电触点，并且所述第二管芯在所述微电子组件的第一级互连触点与所述第一管芯之间。
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公开(公告)号：CN115527950A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210571356.5
申请日：2022-05-24
Applicant: 英特尔公司
Inventor： F·艾德 , J·M·斯旺 , S·M·利夫 , A·A·埃尔谢尔比尼 , A·阿列克索夫
Abstract: 本文公开的实施例包括多管芯模块和组装多管芯模块的方法。在实施例中，多管芯模块包括第一管芯。在实施例中，第一管芯包括第一基座，围绕第一基座的台状物，以及从台状物向上延伸的短截部。在实施例中，多管芯模块还包括第二管芯。在实施例中，第二管芯包括第二基座，其中，第二基座附接到第一基座。本公开内容涉及用于改进混合接合自组装中的管芯尺寸和取向区分的特征。
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公开(公告)号：CN111149201A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780095385.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 英特尔公司
Inventor： S·M·利夫 , A·A·埃尔谢尔比尼 , J·M·斯旺
IPC: H01L25/065 , H01L23/485
Abstract: 本文公开了微电子组件、以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括第一面和第二面；所述第二管芯包括第一面和第二面，其中，所述第二管芯还包括在所述第一面处的多个第一导电触点和在所述第二面处的多个第二导电触点，并且所述第二管芯在所述微电子组件的第一级互连触点与所述第一管芯之间。
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公开(公告)号：CN111133574A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780095210.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括封装衬底，该封装衬底包括：具有第一表面和相对的第二表面的电介质材料、在第二表面的至少一部分上的第一光可限定材料、以及在第一光可限定材料的至少一部分上的第二光可限定材料，其中，第二光可限定材料具有与第一光可限定材料不同的材料成分。
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公开(公告)号：CN105874590B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201380079122.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： H·布劳尼施 , F·艾德 , A·A·埃尔谢尔比尼 , J·M·斯旺 , D·W·纳尔逊
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L21/52 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/473 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/021 , H05K1/185 , H05K2201/066 , H05K2201/10416 , H05K2201/10545 , H01L2924/00
Abstract: 一种设备包括：管芯，所述管芯的第一侧包括第一类型的系统级触点并且第二侧包括第二类型的触点；以及封装基板，所述封装基板耦接到所述管芯和所述管芯的所述第二侧。一种设备包括：管芯，所述管芯的第一侧包括多个系统级逻辑触点并且第二侧包括第二多个系统级电力触点。一种方法包括将管芯的第一侧上的第一类型的系统级触点和管芯的第二侧上的第二类型的系统级触点中的一者耦接到封装基板。
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公开(公告)号：CN109997156A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680091151.X
申请日：2016-12-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·M·罗伯茨 , A·A·埃尔谢尔比尼 , S·利夫 , J·M·斯旺 , R·考迪罗 , Z·R·约斯科维茨 , N·K·托马斯 , R·皮拉里塞泰 , H·C·乔治 , J·S·克拉克
Abstract: 本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。
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公开(公告)号：CN109844945A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680088848.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/00 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 所公开的各种实施例涉及半导体封装。本半导体封装包括衬底。衬底由交替的导电层和电介质层形成。第一有源电子部件设置于衬底的外表面上，并且第二有源电子部件至少部分地嵌入在衬底内。第一互连区域由第一有源电子部件和第二有源电子部件之间的多个互连形成。在第一有源电子部件和衬底之间，由多个互连形成第二互连区域。此外，第三互连区域由第二有源电子部件和衬底之间的多个互连形成。
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公开(公告)号：CN104094077B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380004614.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: F41H3/02 , G02B6/0008 , G02B6/02171 , G02B6/34 , G03B21/10
Abstract: 本文描述的是一种关于被动或主动隐身设备的技术。特别的，被动或主动隐身设备利用输入/输出光栅耦合器和波导，以在被动或主动隐身设备覆盖的物体上创建隐形的印象。
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公开(公告)号：CN102668068B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080058105.2
申请日：2010-11-11
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/112 , H01L21/4803 , H01L21/486 , H01L23/15 , H01L23/3675 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H05K3/0014 , H05K3/4605 , H05K3/4644 , H05K2201/096 , H05K2201/09827 , H05K2201/10287 , H05K2201/10371 , H05K2201/10674 , H05K2203/0108 , H05K2203/0228 , H05K2203/025 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 披露了集成电路(IC)器件的玻璃芯衬底的实施例。玻璃芯衬底包括玻璃芯和在玻璃芯相对侧上的堆积结构。导电端子可形成在玻璃芯衬底的两侧上。IC管芯可与衬底一侧上的端子耦合，而相对侧上的端子可与下一级组件(例如电路板)耦合。玻璃管芯可包括单片玻璃，其中形成有导体，或者玻璃芯可包括已结合在一起的两个或更多个玻璃段，每个玻璃段具有导体。导体通过玻璃芯延伸，并且导体中的一个或多个可与设置在玻璃芯上的堆积结构电耦合。描述和要求了其它实施例。
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公开(公告)号：CN102668068A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058105.2
申请日：2010-11-11
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/112 , H01L21/4803 , H01L21/486 , H01L23/15 , H01L23/3675 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H05K3/0014 , H05K3/4605 , H05K3/4644 , H05K2201/096 , H05K2201/09827 , H05K2201/10287 , H05K2201/10371 , H05K2201/10674 , H05K2203/0108 , H05K2203/0228 , H05K2203/025 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 披露了集成电路(IC)器件的玻璃芯衬底的实施例。玻璃芯衬底包括玻璃芯和在玻璃芯相对侧上的堆积结构。导电端子可形成在玻璃芯衬底的两侧上。IC管芯可与衬底一侧上的端子耦合，而相对侧上的端子可与下一级组件(例如电路板)耦合。玻璃管芯可包括单片玻璃，其中形成有导体，或者玻璃芯可包括已结合在一起的两个或更多个玻璃段，每个玻璃段具有导体。导体通过玻璃芯延伸，并且导体中的一个或多个可与设置在玻璃芯上的堆积结构电耦合。描述和要求了其它实施例。
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