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公开(公告)号：CN103193224A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310132019.7
申请日：2013-04-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105331950B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510627135.5
申请日：2015-09-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种二维钙钛矿薄膜的制备方法，将MAX源、卤化铅源及目标衬底分别放在温区a，b及c位置。在设定的温度条件下，在衬底表面按照成核‑长大‑成膜的机理，实现二维大面积钙钛矿薄膜的制备。首先对控温区域b，c进行加热，使卤化铅源在目标衬底表面随机成核，生长在低覆盖度时形成分散的几十纳米尺寸的卤化铅岛状结构；此时开始对控温区域a进行加热，使所形成的岛状卤化铅转化为岛状钙钛矿；随着覆盖度的增加，卤化铅岛状结构逐渐长大，并不断被MAX转化为钙钛矿，最后不断长大的岛状钙钛矿直接拼接最终形成连续的二维连续钙钛矿薄膜，覆盖整个衬底表面。本发明所制备的钙钛矿薄膜厚度可控，具有较高的连续性、均匀性及结晶性。
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公开(公告)号：CN103219403B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310135955.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了基于二维层状原子晶体材料的光探测器，包括一二氧化硅覆盖的硅衬底，二氧化硅覆盖的硅衬底上依次叠加覆盖有第一石墨烯导电层、二维层状原子晶体半导体材料层和第二石墨烯导电层，第一石墨烯导电层和第二石墨烯导电层分别与二维层状原子晶体半导体材料层形成异质结结构；在第一、第二石墨烯导电层的一端上分别设有第一、第二电极层，且无任何交叠，同时第一、第二电极层又在第一、第二石墨烯导电层和二维层状原子晶体半导体材料层的交叠区之外；各层的上方设置有一钝化层。本发明采用了二维层状原子晶体材料，具有探测波谱范围宽、超快响应速度和高截止频率的工作特性，同时也具备了器件的光响应度高，光生载流子的提取简单的特性。
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公开(公告)号：CN104836103A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510174430.X
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于黑磷的可饱和吸收体器件的方法，这种方法将机械剥离法得到的二维层状黑磷，或者是超声震荡得到的分布在酒精溶液里的二维层状黑磷，通过定向转移的方法沉积到光纤头上，作为器件的可饱和吸收层。本发明所涉及的定向转移的方法，可以有效、高效的将黑磷转移到光纤头上，避免了人工转移过程中对材料造成的损害，并且能够精确定位纳米级材料所在的位置，避免了盲目转移的问题，提高了饱和吸收体制备的成功率。采用本发明方法制成的黑磷可饱和吸收体采用透射方式工作，可实现近中红外工作波段激光器的超短脉冲输出，具有性能好、兼容性强的特点，适用于激光器的调Q和锁模、光信号处理等应用。
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公开(公告)号：CN103531664A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310518367.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828 , H01L31/1836
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上制备石墨烯基光电晶体管的方法，包括以下步骤，在柔性塑料衬底上通过印刷或磁控溅射方法覆盖一层金属材料，然后光刻和刻蚀形成栅电极结构的栅电极层；在栅电极层上通过电镀或磁控溅射方法覆盖一绝缘介质层；在绝缘介质层上通过印刷技术转移单层或数层的石墨烯层；在石墨烯层上通过印刷技术转移一层二硫化物薄膜，二硫化物薄膜位于石墨烯层和栅介质层之上；通过印刷或磁控溅射的方法分别在石墨烯层和二硫化物薄膜上淀积第一电极层和第二电极层。本发明基于柔性衬底的光电晶体管的构建方法，可以采用印刷的方法构建，制作方法简单、成本低。同时具有柔性、轻便、体积小、集成度高的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103296211A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310178647.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种有机-二维晶体-无机杂化的异质结太阳能电池器件及其制备方法，太阳能电池器件从下至上依次包括金属背电极、n型硅基衬底、共轭有机物与二维层状纳米晶体材料均匀混合的有机共轭薄膜、以及金属栅电极。本发明在硅基衬底的表面旋涂二维层状纳米晶体材料与共轭有机物的混合溶液，或者直接分别依次旋涂不同浓度的二维层状纳米晶体材料与共轭有机物到硅基衬底的表面作为空穴传输层，通过对有机-无机物杂化异质结的修饰改性提高电池的稳定性，增强了太阳能电池的电荷传输能力，对表面态密度缺陷进行有效的改善，操作简单易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104779352B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510199426.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯与纳米结构钙钛矿材料的光探测器及制备方法，包括一覆盖有二氧化硅的硅衬底，硅衬底上设有石墨烯导电层，石墨烯导电层的中部分布有纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层，并形成异质结结构，石墨烯导电层的左右两端分别设有一电极层；硅衬底的最上方设有一钝化层，钝化层将石墨烯导电层、纳米结构有机铅卤化物钙钛矿材料层和两个电极层全部覆盖；位于两个电极层上方的钝化层上经光刻和刻蚀分别形成电极的一个接触孔，两个接触孔上分别淀积有金属引出电极。本发明构建光探测器件的技术与当前的硅电子工艺平台相比具有良好的兼容性，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有实现快速、宽带响应、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号：CN106450009A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610635175.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法，双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括：ITO导电玻璃作为阳极，旋涂一层20nm左右的聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层；采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层，采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿；在钙钛矿层上旋涂一层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层；最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明一方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度，得到一个最优的带隙，降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒，从而降低发光二极管的开启电压，同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率；另一方面，通过调节钙钛矿中的卤素配比，可以实现不同颜色发光。
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公开(公告)号：CN104876211A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510174415.5
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在电场环境下旋转剪切制备石墨烯的方法，采用的实验装置包括装有电解液的反应容器、作为阴极的高纯石墨、作为阳极的惰性电极和搅拌器，步骤为：将阴极阳极接通直流电源，用搅拌器搅拌电解液；在恒定电压下，阴极极化剥离高纯石墨，同时电解液在搅拌器作用下，受到一定的速度搅拌，使阴极剥离下来的多层石墨烯再受到一个剪切力，制得含有石墨烯的溶液；将含有石墨烯的溶液清洗至少5次，超声分散，低速离心；接着将得到的产物的上层清液高速离心；最后干燥即得到石墨烯。本发明的制备方法简便快捷、安全绿色、成本较低且可以直接剥离天然石墨，该方法改进了传统的电化学剥离制备石墨烯的技术，提高了制备石墨烯薄膜的产率与质量。
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公开(公告)号：CN103219403A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310135955.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了基于二维层状原子晶体材料的光探测器，包括一二氧化硅覆盖的硅衬底，二氧化硅覆盖的硅衬底上依次叠加覆盖有第一石墨烯导电层、二维层状原子晶体半导体材料层和第二石墨烯导电层，第一石墨烯导电层和第二石墨烯导电层分别与二维层状原子晶体半导体材料层形成异质结结构；在第一、第二石墨烯导电层的一端上分别设有第一、第二电极层，且无任何交叠，同时第一、第二电极层又在第一、第二石墨烯导电层和二维层状原子晶体半导体材料层的交叠区之外；各层的上方设置有一钝化层。本发明采用了二维层状原子晶体材料，具有探测波谱范围宽、超快响应速度和高截止频率的工作特性，同时也具备了器件的光响应度高，光生载流子的提取简单的特性。
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