-
公开(公告)号：CN106246296B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610839872.6
申请日：2016-09-22
Applicant: 苏州大学
IPC: F01N3/01
Abstract: 本发明涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的装置，包括高压直流电源、相对设置的两个绝缘板，其中一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气进口，另一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气出口，两个所述绝缘板之间设置有接地电极和多个导电管，所述接地电极与所述高压直流电源的接地端相连接，多个所述导电管均与所述高压直流电源的高压端相连接，多个所述导电管呈环状分布，每个所述导电管沿长度方向均设置有多个钢针。本发明还涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的方法。本发明可以获得较大的处理空间；能够快速将本装置安装到汽车排气管上，随时随地方便汽车尾气的处理；能够实现车载化；高效分解且处理能耗低。
-
公开(公告)号：CN105755449B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610328633.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
-
公开(公告)号：CN107968240A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711472734.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种可调的等离子体光子晶体选频滤波器，包括支撑箱、设于支撑箱内的等离子体发生装置，支撑箱的顶面和底面分别设置有第一接口和第二接口，第一接口的内部和第二接口的内部均与等离子体发生装置相连接，第一接口的外部和第二接口的外部其中之一与驱动电源相连接，另一个与地相连接，支撑箱的左侧面设置有矩形波导，支撑箱的右侧面设置有光电信号转换装置，光电信号转换装置包括光电探测器、与光电探测器相连接的信号输出接口。本发明等离子体光子晶体制成的滤波器，在禁带范围内，滤波效果良好，透射的频率成分单一性好，且实际效果与设计吻合度高；制作成本低；通过等离子体的调节，实现了可调的窄带选频。
-
公开(公告)号：CN105338723A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510645834.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H05H1/2406 , H02M5/458 , H05H1/46 , H05H2001/2431
Abstract: 本发明涉及一种高压高频源驱动的DBD等离子体放电装置，包括高压电源、地电极、支架、进气管、多个放电管和高压电极，高压电源包括驱动电路、辅助电源以及依次电连接的整流电路、逆变电路和变压器，驱动电路与逆变电路电连接，辅助电源给驱动电路供电，支架包括中空的筒体、依次间隔设于筒体内且与筒体密封连接的第一支板、第二支板、第三支板，进气管穿过第三支板、第二支板，放电管包括同心圆式的外石英管和内石英管，外石英管的一端穿过第一支板，进气管与外石英管连通，内石英管的一端穿过第二支板，高压电极包括极板、与极板连接的多个铜棒，极板与变压器的输出端相连接，铜棒穿过第三支板插入内石英管内。本发明放电效率高、稳定、均匀。
-
公开(公告)号：CN103311104B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310233173.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103898458A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410125282.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生成二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物，高温烧结成靶材，以螺旋波等离子体溅射技术，沉积至所述的二氧化硅层上。通过控制衬底的温度，不需要再经高温退火，即可在上述二氧化硅层上，制得4-6nm直径的硅纳米晶薄膜。本发明所涉及的方法与成熟的硅基光电子工艺相兼容，在半导体材料的制备与加工领域，有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102618828A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210079826.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)采用双离子束溅射沉积系统，将其本底真空调成3×10-4~5×10-4Pa，工作气压调成3.0×10-2~3.2×10-2Pa；(b)辅源干法清洗；(c)辅源对衬底表面进行钝化处理；(d)沉积薄膜；即可得到Hf基复合高k栅介质薄膜。采用本发明制得的高k栅介质薄膜的表面非常均一平整，表面均方根粗糙度RMS仅有0.16nm，结晶温度高达1100℃，具有优异的C-V饱和特性，几乎可忽略的C-V滞回现象；因而为最终制备出满足45~32nm以下技术节点CMOS应用的高k材料体系，奠定坚实的材料和技术基础。
-
公开(公告)号：CN106028614B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610602628.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置，包括放电电源、框架、安装在框架上的氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管，框架包括上下平行设置的两个第一有机玻璃板以及连接两个第一有机玻璃板的多个支撑管，氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管均穿过两个第一有机玻璃板，等离子体放电管位于所述氧化铝陶瓷棒阵列之间，等离子体放电管与放电电源相连接。本发明还涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的方法。本发明具有结构简单，操作方便，缺陷模连续可调节的优点，为等离子体光子晶体的研究提供了更为广阔的空间，有望在工业应用中产生重要的作用。
-
公开(公告)号：CN108043345A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711472731.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
IPC: B01J19/08 , C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种电弧放电装置，包括放电腔室、设于放电腔室内的放电阴极、放电阳极、加料斗以及一端伸入所述放电腔室内的钨丝，放电腔室上设置有抽气阀和进气阀，放电阴极与放电阳极之间具有间隙，加料斗位于间隙的上方，放电阴极的一端连接有第一导电杆，放电阳极的一端连接有第二导电杆，第一导电杆或第二导电杆连接有驱动机构，第一导电杆连接有负载电阻，负载电阻与第一电源的负极相连接，钨丝的另一端与第二电源的负极相连接，第一电源的正极、第二导电杆和第二电源的正极均与地相连接。本发明还涉及一种制备氮化硼纳米管的方法。本发明显著增加了电弧放电过程中的稳定性，制备出的氮化硼纳米管比传统工艺的产物尺径更集中，形态更完美。
-
公开(公告)号：CN104689692B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510144834.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 苏州大学
IPC: B01D53/32
Abstract: 本发明涉及一种空气等离子体处理废气的装置，包括高压交流电源、壳体、安装在所述壳体上的两个第一介质板以及设置在所述壳体内的接地电极，所述壳体的两端分别设置有废气进口和废气出口，每个所述第一介质板上均安装有高压电极，所述高压电极包括导电管、一端伸入所述导电管内的毛细管，所述导电管的至少一端设置有空气进口，所述导电管与所述高压交流电源的高压端相连接，所述接地电极与所述高压交流电源的接地端相连接，所述毛细管的另一端与所述壳体相通。本发明还涉及一种空气等离子体处理废气的方法。使用本发明的装置及方法，具有高效分解且处理能耗低的特点，为工业废气的处理开辟了一条新的思路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.018 seconds)
