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公开(公告)号：CN111668089A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010546964.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体领域，为降低外延生长氮化镓的位错密度，公开了一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III-V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN109870809A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711254538.5
申请日：2017-12-01
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有光学屈光度的近眼显示镜片、一种用于近眼显示设备的视力矫正装置及近眼显示装置，至少包含一层光栅结构，所述光栅结构的参数中的一个、两个或多个以改变光场相位为目的随位置变化，且所述光栅结构具有成像、屈光矫正功能。本发明创造性的通过光栅的整体结构设计，使光栅结构同时具备虚拟3D景物的显示及视力矫正的功能，使得具有视力缺陷的人士可以无需佩戴眼镜就可以直接使用近眼显示设备，体验的舒适性和便利性大大提高，具有较高的商业价值和社会价值。
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公开(公告)号：CN108333655A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810385935.4
申请日：2018-04-26
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/003
Abstract: 本发明涉及一种偏振不敏感电磁吸收结构及制备方法，该偏振不敏感电磁吸收结构包括：金属光栅层，具有光栅凹槽；非金属填充介质，设置于所述光栅凹槽内；该制备方法包括如下步骤：S1：提供在其上形成有金属平面层的基底；S2：在所述金属平面层上形成光栅凹槽；S3：在所述光栅凹槽内填充非金属填充介质。本发明的偏振不敏感电磁吸收结构及制备方法通过在金属光栅层上形成光栅凹槽，并在光栅凹槽内设置非金属填充介质，从而使其结构更为简单，提高了吸收效率，且针对不同偏振光的入射情况，均有较好的吸收效果。
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公开(公告)号：CN113130296B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN114705280A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210373596.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G01G19/12
Abstract: 本发明涉及一种车载称重传感器，设置在承载车架与车轴之间，用于将承载车架上的压力传递到车轴上，并检测传递压力的大小，车载称重传感器包括：压力传递杆，一端与承载车架连接，另一端与车轴连接；压力传感器，设置在车轴与压力传递杆之间，通过卡接块套设在压力传递杆的端部，压力传感器包括设置在外部与车轴接触的应变片和设置内部与应变片电连接的处理单元；承载车架用于支撑物料，并将物料的压力通过压力传递杆传递到压力传感器中，使应变片在压力的作用下形变，处理单元根据应变片的应变量计算物料的重量。本发明即装即用，安装方便快速，成本低，可以同时适配前装和后装市场，适用于物流运输中对货物的精确称重。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105929085A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610567200.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 苏州大学卫生与环境技术研究所
CPC classification number: G01N30/02 , G01N30/08 , G01N2030/025
Abstract: 本发明公开了一种职业卫生中溴甲烷含量的测定方法，所述测定方法包括以下步骤：（1） 配置溴甲烷的标准曲线；（2） 通过采样仪器采集空气中的溴甲烷到活性炭中；（3） 富集溴甲烷的活性炭在密闭条件下放置过夜使其平衡；（4） 采用1 ml有机溶剂对活性炭中吸附的溴甲烷进行解析；以及（5） 利用气相色谱仪对有机溶剂中的溴甲烷进行定量分析。本发明所提供的测定方法解吸效率高；活性碳管体积小，易于搬运和存储，并且采样体积可随需要变化；存储时间长，可保存5‑7天；解吸后溶剂解吸瓶可放置在自动进样器上，易于实现大规模自动进样分析；检测器换为电子俘获检测器，灵敏度提高几个数量级，提高了分析的可靠性。
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公开(公告)号：CN217847978U
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202221605160.5
申请日：2022-06-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供了一种Micro‑LED器件。该Micro‑LED器件包括LED外延片，所述LED外延片包括衬底层，衬底层上表面依次沉积无掺杂层、N型层、量子阱层、P型层；LED外延片的上表面设置有隔离槽，隔离槽深入N型层中；隔离槽侧壁及隔离槽底设置绝缘钝化层；P型层的上表面设置电流扩展层；N型层与P型层分别连接阴极电极、阳极电极。本申请实Micro‑LED器件有效避免侧壁损伤层，容易获得竖直化Micro‑LED侧壁，解决侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
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公开(公告)号：CN213071068U
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202021109584.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本实用新型属于半导体领域，公开了一种石墨烯掩膜法生长氮化镓的半导体结构，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN208488562U
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201820611147.8
申请日：2018-04-26
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型涉及一种偏振不敏感电磁吸收结构，该偏振不敏感电磁吸收结构包括：金属光栅层，具有光栅凹槽；非金属填充介质，设置于所述光栅凹槽内；所述光栅凹槽在金属光栅层上呈周期性布置，其周期不大于500nm；所述光栅凹槽在所述金属光栅层上的占空比为0.4-0.8；所述光栅凹槽的高度为50-400nm；所述偏振不敏感电磁吸收结构所接收的光的偏振角度为0°-45°；所述光栅凹槽呈条状；所述金属光栅层为一维金属光栅。本实用新型的偏振不敏感电磁吸收结构通过在金属光栅层上形成光栅凹槽，并在光栅凹槽内设置非金属填充介质，从而使其结构更为简单，提高了吸收效率，且针对不同偏振光的入射情况，均有较好的吸收效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208044193U
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201721655435.5
申请日：2017-12-01
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本实用新型提供一种近眼显示镜片、视力矫正装置及近眼显示装置，至少包含一层光栅结构，所述光栅结构的光栅结构参数中的一个、两个或多个以改变光场相位为目的随位置变化，所述具有光学屈光度的近眼显示镜片还包括至少一个用于矫正视力的曲面衬底。利用光栅结构实现虚拟三维景物的显示，利用曲面衬底进行视力矫正，直接将视力矫正衬底整合到一个镜片组件中，使之在构建三维近眼显示装置时，能获得和普通三维近眼显示装置一样简洁的结构，视力缺陷认识佩戴该近眼三维显示装置和普通视力正常的人佩戴普通近眼三维显示装置的体验相似，舒适自然。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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