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公开(公告)号：CN116555723A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310435656.5
申请日：2023-04-21
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B29/02 , C30B29/40 , C30B33/08 , H01L27/15 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及Micro‑LED器件的方法。在氮化镓衬底上进行PECVD沉积反应得到石墨烯层，采用刻蚀工艺得到长条状排列或方块形呈矩阵排列的石墨烯掩膜结构图案；采用MOCVD外延工艺，在MOCVD生长过程中改变温度、压强、V/III等条件，有效调控氮化镓沿着窗口和掩膜分界的台阶成核；通过不同时间的侧向外延生长，得到较低位错密度的氮化镓薄膜，及性能优的Micro‑LED器件。
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公开(公告)号：CN113130296A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN113299803A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110657401.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置，该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构；在Mi cro‑LED晶粒侧面及凹槽内沉积绝缘层；在Mi cro‑LED晶粒阵列表面沉积电流扩展层；在Mi cro‑LED晶粒阵列外围沉积两圈电极作为阳极与阴极，其中内圈电极置于电流扩展层之上，外圈电极置于N型GaN之上，所有晶粒共用阳极与阴极。该方式利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，同时可实现特定区域内的Mi cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN115274939A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210731564.7
申请日：2022-06-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种M i cro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复，能沿纵向腐蚀完M i cro‑LED侧壁的非晶区，沿横向M i cro‑LED结构破坏性较弱，腐蚀后的样品侧壁晶格完整且侧壁垂直；Micro‑LED晶粒形成之后，通过激光共聚焦显微镜与光致发光光谱相结合的光学评价方式对其进行早期性能评估，在封装之后对M i cro‑LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照。本申请实能有效处理M i cro‑LED侧壁损伤层，竖直化M i cro‑LED侧壁，解决干法刻蚀后侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
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公开(公告)号：CN113299803B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110657401.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置，该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构；在Mi cro‑LED晶粒侧面及凹槽内沉积绝缘层；在Mi cro‑LED晶粒阵列表面沉积电流扩展层；在Mi cro‑LED晶粒阵列外围沉积两圈电极作为阳极与阴极，其中内圈电极置于电流扩展层之上，外圈电极置于N型GaN之上，所有晶粒共用阳极与阴极。该方式利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，同时可实现特定区域内的Mi cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130296B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN117144328A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310435684.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法，在衬底层的表面采用等离子体增强化学气相沉积法生长多层石墨烯层；将石墨烯层通过光刻和刻蚀制备图案化六方石墨烯掩膜结构；对掩膜结构进行无机清洗，去除窗口区域内刻蚀残留的氧化物，采用金属有机化学气相沉积法两步生长氮化镓外延层，氮化镓第一步先在六方掩膜的窗口成核生长，氮化镓第二步再横向生长向掩膜中心聚合，得到完整的氮化镓薄膜。采用本发明提供的技术方案，通过调控温度、压强和Ⅴ/Ⅲ比等生长参数改变氮化镓的生长模式，生长的氮化镓最终侧向合并，得到高质量的氮化镓薄膜。结果显示图案化六方石墨烯掩膜能有效降低氮化镓因失配而产生的高位错密度，弛豫氮化镓的应力，提高氮化镓的晶体质量。
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公开(公告)号：CN214898480U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202121313390.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置，该单体器件包括蓝光外延片、层叠于蓝光外延片上的Micro‑LED晶粒阵列、P电极及N电极，所述P电极与所述N电极皆配置于所述Micro‑LED晶粒阵列的外侧，且所有M icro‑LED晶粒配置成共用所述P电极与所述N电极。该单体器件利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，实现特定区域内的M i cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN220079259U
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202320916189.3
申请日：2023-04-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓薄膜的结构，属于半导体技术领域。它包括氮化镓薄膜层、掩膜层和衬底层，裸露衬底层的区域为窗口区域，石墨烯覆盖区域为掩膜区域，在衬底层的窗口区域氮化镓层成核生长并覆盖掩膜层表面；所述掩膜层为呈六方形图案排列的石墨烯掩膜层结构；所述的窗口区域宽度为3～5微米，掩膜区域的宽度为15～25微米。本实用新型提供的掩膜层结构能有效降低氮化镓薄膜因异质外延产生的高位错密度；石墨烯掩膜材料的弱范德华力使氮化镓克服失配问题，大幅降低氮化镓薄膜的应力；六方掩膜结构具有六个窗口区域有效加快氮化镓薄膜的合并时间；因氮化镓本身的各向异性特征，使用六方掩膜层生长的氮化镓薄膜具有更好的均匀性。
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公开(公告)号：CN217847978U
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202221605160.5
申请日：2022-06-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供了一种Micro‑LED器件。该Micro‑LED器件包括LED外延片，所述LED外延片包括衬底层，衬底层上表面依次沉积无掺杂层、N型层、量子阱层、P型层；LED外延片的上表面设置有隔离槽，隔离槽深入N型层中；隔离槽侧壁及隔离槽底设置绝缘钝化层；P型层的上表面设置电流扩展层；N型层与P型层分别连接阴极电极、阳极电极。本申请实Micro‑LED器件有效避免侧壁损伤层，容易获得竖直化Micro‑LED侧壁，解决侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
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