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公开(公告)号：CN119121370A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411001618.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高质量钙钛矿薄单晶生长的预成核辅助的空间限域方法，包括，配置有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液，将有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液溶解于DMF溶剂中搅拌，室温静置后得到近饱和溶液；利用强力夹将不对称的基底组合形成微米级的二维限域空间；将近饱和溶液加入二维限域空间固定后，进行热处理，得到预成核的钙钛矿薄单晶；将预成核的钙钛矿薄单晶在恒温恒湿下进行生长得到所述高质量钙钛矿薄单晶；所述恒温温度为23℃～27℃，恒湿湿度为35％～45％。由该方法生长的晶体所制备的器件表现出更高的器件性能和工作稳定性。
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公开(公告)号：CN115207141B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210826977.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在硅基底表面上刻蚀硅金字塔的制备方法，涉及光伏器件制造领域。本发明先提供一单晶硅片，并在单晶硅片的表面刻蚀出柱状体结构，之后将四甲基胍和邻苯二酚作为刻蚀液，以对表面刻蚀有柱状体结构的单晶硅片进行刻蚀，从而将柱状体结构刻蚀为金字塔结构，四甲基胍的质量分数为范围在1％～4％之间的任一数值，邻苯二酚的质量分数为范围在0.2％～0.8之间的任一数值。上述技术方案使用邻苯二酚作为添加剂、四甲基胍溶液作为刻蚀液进行湿法刻蚀，可以避免金属离子残留，提升了硅片品质，并且能够避免添加剂的挥发，不需要定时添加添加剂，工艺简单，成本低且加工效率高，适合大规模加工制造应用。
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公开(公告)号：CN116163022A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310178498.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶C8‑BTBT的制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用光刻法制备获得图案化水滴结构，所述图案化水滴结构由下至上包括硅基底和形成在硅基底上的非结晶高透明的氟化聚合物，所述图案化水滴结构的表面具有多个阵列式排布的水滴状凹部，所述水滴状凹部暴露出所述硅基底；将C8‑BTBT溶于由良溶剂和不良溶剂混合而成的混合溶剂体系中，得到C8‑BTBT的混合溶液；利用喷墨打印方法将所述混合溶液打印到所述图案化水滴结构中，以在所述水滴状凹部的尖端优先成核，随后从所述尖端开始生长，并沿单一取向自组装生长满整个所述水滴状凹部，以得到有机单晶C8‑BTBT。本发明方案可以得到单一取向的高质量的有机单机C8‑BTBT。
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公开(公告)号：CN110943166B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911223049.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种单层有机半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：将具有烷基支链的小分子有机化合物与所述小分子有机化合物的长链同系物溶解并配置成混合溶液；将所述混合溶液旋涂在第一衬底上，并将旋涂有所述混合溶液的所述第一衬底覆盖在第二衬底上；然后将其放置在真空加热系统中加热处理，以在所述第二衬底上制备出单层有机薄膜。本发明的单层有机半导体薄膜的制备方法，通过在有机分子中引入其相应的长链同系物，利用不同长度分子层间的几何失配以及衬底之间的限域作用可以实现有机半导体薄膜的单层大面积生长。并且在该单层有机半导体薄膜的制备方法中，通过在第二衬底上构筑亲疏水区域可以实现单层有机半导体薄膜的图案化生长。
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公开(公告)号：CN114242905A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111578873.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了光电晶体管、仿生偏振导航设备的制备方法及偏振光探测器。该光电晶体管的制备方法包括如下步骤：提供表面具有阵列式微沟道的生长模板；在生长模板的靠近阵列式微沟道一端的一侧施加小分子有机半导体粉末；在生长模板的形成有阵列式微沟道的一面覆盖石英片；使生长模板倾斜；加热生长模板使小分子有机半导体粉末熔化成小分子有机半导体液体，使得小分子有机半导体液体在毛细力作用下填充阵列式微沟道，冷却后在生长模板上得到小分子有机半导体晶体阵列；在小分子有机半导体晶体阵列上形成源极和漏极，以制备获得光电晶体管。本发明实施例的方案解决现有技术中对偏振敏感的光电探测器的偏振灵敏度不高且二向色比一般低于10的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111697134A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010449299.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底；在基底上设置绝缘层；在绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻，以在基底上构筑三维立体通道；配置C60溶液，将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中，并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来，以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法，可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单，有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长，适合大面积推广应用。
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公开(公告)号：CN111564558A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010408880.1
申请日：2020-05-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层；通过光刻技术在绝缘层表面形成正胶沟道阵列；正胶沟道阵列的端部为周期性变化的漏斗状，以用于对晶体取向进行过滤，使具有相同取向的晶体沿漏斗状两侧外延生长并进入正胶沟道阵列；对正胶沟道阵列进行亲疏水处理，以在基底上得到具有不同亲疏水性的亲疏水模板；利用刮涂法在亲疏水模板上铺展有机单晶小分子溶液，以得到晶体取向一致的有机晶态薄膜。本发明的有机晶态薄膜的制备方法，可以实现大面积范围内的高取向性的有机单晶的定向定位生长。同时该制备方法操作简单，易于控制，有利于大面积推广使用。
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公开(公告)号：CN110158152B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910329579.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶阵列薄膜的制备方法，包括：在氧化硅基底上施加聚合物绝缘材料；将氧化硅基底放置在加热装置上，并在70‑100℃下进行加热；向氧化硅基底滴加预先配置的混合溶液直至覆盖整个氧化硅基底，混合溶液为有机半导体小分子材料、有机聚合物以及挥发性有机溶剂的溶液，其中，有机半导体小分子材料和有机聚合物在挥发性有机溶剂中均可溶；待混合溶液在氧化硅基底上的液面开始收缩时，将气流均匀地吹向混合溶液的液面的边缘，以推动混合溶液在三相接触线附近成核结晶，从而在氧化硅基底上获得有机单晶阵列薄膜。本发明方案仅需利用加热以及气流即可在短时间(8‑15s)内制备获得较大面积的有机单晶阵列薄膜。
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公开(公告)号：CN111192960A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201811354384.1
申请日：2018-11-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法、紫外-可见光双波段光电探测器件及其制备方法。该钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法包括：获得钙钛矿的二甲基甲酰胺或二甲基亚砜溶液；将上述溶液加入易挥发有机溶剂中并搅拌直至溶液呈灰褐色；将呈灰褐色溶液离心分离，去除上清液后获得钙钛矿纳米颗粒；获得钙钛矿纳米颗粒与有机半导体溶液的混合溶液；将生长基底浸入混合溶液；以预定速度提拉生长基底，从而在生长基底上获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构。本发明利用一种新的方法制备获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构，可应用在紫外-可见光双波段光电探测器件上，并具有极高的光电性能。
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公开(公告)号：CN110158152A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910329579.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶阵列薄膜的制备方法，包括：在氧化硅基底上施加聚合物绝缘材料；将氧化硅基底放置在加热装置上，并在70-100℃下进行加热；向氧化硅基底滴加预先配置的混合溶液直至覆盖整个氧化硅基底，混合溶液为有机半导体小分子材料、有机聚合物以及挥发性有机溶剂的溶液，其中，有机半导体小分子材料和有机聚合物在挥发性有机溶剂中均可溶；待混合溶液在氧化硅基底上的液面开始收缩时，将气流均匀地吹向混合溶液的液面的边缘，以推动混合溶液在三相接触线附近成核结晶，从而在氧化硅基底上获得有机单晶阵列薄膜。本发明方案仅需利用加热以及气流即可在短时间(8-15s)内制备获得较大面积的有机单晶阵列薄膜。
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