公开(公告)号：CN111564558B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202010408880.1

申请日：2020-05-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 揭建胜 ,  邓巍 ,  张秀娟 ,  张夏丽

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供了一种有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层；通过光刻技术在绝缘层表面形成正胶沟道阵列；正胶沟道阵列的端部为周期性变化的漏斗状，以用于对晶体取向进行过滤，使具有相同取向的晶体沿漏斗状两侧外延生长并进入正胶沟道阵列；对正胶沟道阵列进行亲疏水处理，以在基底上得到具有不同亲疏水性的亲疏水模板；利用刮涂法在亲疏水模板上铺展有机单晶小分子溶液，以得到晶体取向一致的有机晶态薄膜。本发明的有机晶态薄膜的制备方法，可以实现大面积范围内的高取向性的有机单晶的定向定位生长。同时该制备方法操作简单，易于控制，有利于大面积推广使用。

公开(公告)号：CN111564558A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010408880.1

申请日：2020-05-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 揭建胜 ,  邓巍 ,  张秀娟 ,  张夏丽

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供了一种有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层；通过光刻技术在绝缘层表面形成正胶沟道阵列；正胶沟道阵列的端部为周期性变化的漏斗状，以用于对晶体取向进行过滤，使具有相同取向的晶体沿漏斗状两侧外延生长并进入正胶沟道阵列；对正胶沟道阵列进行亲疏水处理，以在基底上得到具有不同亲疏水性的亲疏水模板；利用刮涂法在亲疏水模板上铺展有机单晶小分子溶液，以得到晶体取向一致的有机晶态薄膜。本发明的有机晶态薄膜的制备方法，可以实现大面积范围内的高取向性的有机单晶的定向定位生长。同时该制备方法操作简单，易于控制，有利于大面积推广使用。