一种用于高质量钙钛矿薄单晶生长的预成核辅助的空间限域方法

    公开(公告)号:CN119121370A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411001618.X

    申请日:2024-07-25

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于高质量钙钛矿薄单晶生长的预成核辅助的空间限域方法,包括,配置有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液,将有机‑无机杂化钙钛矿前驱体溶液溶解于DMF溶剂中搅拌,室温静置后得到近饱和溶液;利用强力夹将不对称的基底组合形成微米级的二维限域空间;将近饱和溶液加入二维限域空间固定后,进行热处理,得到预成核的钙钛矿薄单晶;将预成核的钙钛矿薄单晶在恒温恒湿下进行生长得到所述高质量钙钛矿薄单晶;所述恒温温度为23℃~27℃,恒湿湿度为35%~45%。由该方法生长的晶体所制备的器件表现出更高的器件性能和工作稳定性。

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