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公开(公告)号:CN101427366A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200680054394.2
申请日:2006-04-28
Applicant: 艾利森电话股份有限公司
Inventor: P·利冈德
IPC: H01L23/31
CPC classification number: H01L23/24 , H01L23/057 , H01L23/5385 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16152 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H05K1/0243 , H05K1/183 , H05K2201/10727 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及微波芯片支撑结构(1、1′、1″),包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)以及外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)的第一微波层压层(2、49)。至少一个导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第一侧(3、50)上形成,向所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)延伸。微波芯片支撑结构(1、1′、1″)还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33″;57),第二微波层压层(33、33″,57)的第二侧(35、59)固定到第一层压层(2、49)的第一侧(3、50)的至少一部分。第一层压层(2、49)和/或第二层压层(33、33″;57)包括至少一个凹槽(10、36、66),设置所述凹槽(10、36、66)以用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67)。第二层压层(33、57)延伸出第一层压层(2、49)的外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56),所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在第二层压层(33、57)的第二侧(35、59)上延续而不接触第一层压层(2、49)。
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公开(公告)号:CN101167414A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200580049583.6
申请日:2005-04-25
Applicant: 艾利森电话股份有限公司
IPC: H05K1/02
CPC classification number: H05K1/0204 , H05K3/0061 , H05K3/3426 , H05K7/205 , H05K2201/1031 , H05K2201/10409 , H05K2201/10757 , H05K2201/10848 , Y02P70/611 , Y10T29/49826
Abstract: 本发明涉及电子设备的表面装配组件。更具体说,涉及用于高效冷却且具有低成本电路板的高频电子元件的装配。尤其涉及在微波设备中高效地传热和消除空气间隙。
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