公开(公告)号：CN103313172B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201310067550.0

申请日：2013-03-04

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.埃伦普福特 ,  M.布吕恩德尔 ,  A.格拉赫 ,  C.莱嫩巴赫 ,  S.克尼斯 ,  A.法伊 ,  U.肖尔茨

IPC: H04R19/00 ,  H04R1/00 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明实现了微机械声变换器装置和相应的制造方法。微机械声变换器装置包括电印制电路板（1），所述印制电路板具有前侧（VS）和背侧（RS）；其中在前侧（VS）上以倒装芯片方法施加有微机械声变换器结构（3）；并且其中印制电路板（1）在微机械声变换器结构（3）的区域中具有用于放射出声波（S）的开口（5）。

公开(公告)号：CN103130175B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210473930.X

申请日：2012-11-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R.埃伦普福特 ,  M.布吕恩德尔 ,  A.格拉赫 ,  C.莱南巴赫 ,  S.克尼斯 ,  A.法伊 ,  U.朔尔茨

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0067 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00325

Abstract: 本发明涉及MEMS芯片封装以及用于制造MEMS芯片封装的方法，该MEMS芯片封装具有：第一芯片，该第一芯片具有第一和第二芯片表面；第二芯片，该第二芯片具有第一和第二芯片表面；第一耦合元件，该第一耦合元件把该第二芯片的第一芯片表面与该第一芯片的第一芯片表面相耦合，使得在该第一与第二芯片之间形成第一空腔；第一布线层，该第一布线层设计用于提供至衬底的连接，这两个芯片之一具有至少一个微机电结构元件、框架元件，其中该框架元件包围了该微机电结构元件。相应另一芯片具有浇注材料层、嵌入该浇注材料层中的控制电路以及在该第一芯片表面所施加的第三布线层，其中该控制电路构造用于控制至少一个微机电结构元件。

公开(公告)号：CN102403277B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110269152.8

申请日：2011-09-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.皮尔克 ,  J.布茨 ,  A.弗兰克 ,  F.哈格 ,  H.韦伯 ,  A.赫希斯特 ,  S.克尼斯

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/58 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01M6/40 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及构造电路的方法和电路。建议了一种用于构造具有至少一个半导体芯片（130）的电路的方法，所述至少一个半导体芯片（130）被注入有浇注材料（140）。该方法包括施加产生电流的层装置（370）的步骤，用于在具有所述至少一个半导体芯片（130）的电路的元件上构造电化学元件。

公开(公告)号：CN102403277A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110269152.8

申请日：2011-09-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.皮尔克 ,  J.布茨 ,  A.弗兰克 ,  F.哈格 ,  H.韦伯 ,  A.赫希斯特 ,  S.克尼斯

IPC: H01L21/98 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/58 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01M6/40 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及构造电路的方法和电路。建议了一种用于构造具有至少一个半导体芯片（130）的电路的方法，所述至少一个半导体芯片（130）被注入有浇注材料（140）。该方法包括施加产生电流的层装置（370）的步骤，用于在具有所述至少一个半导体芯片（130）的电路的元件上构造电化学元件。