公开(公告)号：CN107564836B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201710523906.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  崔重奉 ,  許瓒宁 ,  許弼覠 ,  姜秉万

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 公开了一种基板处理装置。基板处理装置包括：旋转头；支撑轴，其与旋转头的下部连接以支撑旋转头；销，其位于旋转头的上表面上以支撑基板并且在其内部具有空间；和喷嘴构件，其被构造成向位于旋转头上的基板供应液体。

公开(公告)号：CN117174562A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210595709.5

申请日：2022-05-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 严永堤 ,  朴玩哉 ,  丘峻宅 ,  金东勋 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够改善线边缘粗糙度(LER)的基板处理装置和方法。所述基板处理装置包括：等离子体生成空间，其配置在电极与离子阻滞件之间；处理空间，其配置在离子阻滞件的下方，并用于处理基板；第一气体供给模块，其向所述等离子体生成空间提供用于生成等离子体的第一气体；以及第二气体供给模块，其向所述处理空间提供未被激发的第二气体，所述第一气体是含氢气体，所述第二气体包括含氮气体，所述基板包括含碳的光刻胶图案。

公开(公告)号：CN114156152A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110972940.7

申请日：2021-08-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 丘峻宅 ,  严永堤 ,  朴玩哉 ,  金东勳 ,  李城吉 ,  李知桓 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金杜里

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够控制根据基板的位置的蚀刻率和/或均匀度的、利用等离子体的基板处理装置及基板处理方法。所述基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡器之间；第二空间，布置在所述离子阻挡器与喷头之间；处理空间，在所述喷头的下方，并且用于处理基板；第一气体供给模块，向所述第一空间提供用于生成等离子体的第一气体；第二气体供给模块，向所述处理空间提供与所述等离子体的流出物混合的第二气体；以及第三气体供给模块，向所述处理空间提供与所述等离子体的流出物混合的第三气体，其中，所述第一气体是含氟气体，所述第二气体是含氮、氢气体，所述第三气体是与所述第二气体不同的含氮气体，且所述基板包括暴露的含硅、氧区域。

公开(公告)号：CN112908889A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202011293430.9

申请日：2020-11-18

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  李城吉 ,  吴东燮 ,  卢明燮 ,  金东勋 ,  朴玩哉

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供一种用于处理基板的方法，用于处理所述基板的所述方法包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等离子体状态的处理气体执行预处理以对形成在所述基板上的所述膜进行表面处理；以及通过在所述预处理之后将处理液体供应到所述基板上来执行液体处理以从所述基板去除所述膜。

公开(公告)号：CN112786490A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011239668.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 提供传送单元、包括该传送单元的基板处理装置以及基板处理方法。所述基板处理装置包括：支撑板；多个突起，其从支撑板向上突出以支撑基板；温度调节构件，其设置在支撑板中以用于加热或冷却基板；和超声施加构件，其在放置于多个突起上的基板与支撑板之间施加超声。

公开(公告)号：CN112201557A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010638699.X

申请日：2020-07-06

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李城吉 ,  吴世勳 ,  吴东燮 ,  李知桓 ,  金东勳 ,  朴玩哉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种使用等离子体处理基板的装置和方法，所述装置和方法具有提升的等离子体稳定性和工艺重复性。基板处理方法包括：提供基板处理装置，基板处理装置包括等离子体生成区域和与等离子体生成区域分隔开的处理区域；在处理区域内布置包括硅层和氧化物层的基板；在不经过等离子体生成区域的情况下，向处理区域提供氢基气体，从而在处理区域中形成氢气氛；通过向等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及将所生成的等离子体提供到处理区域，以相对于氧化物层选择性地去除硅层。

公开(公告)号：CN106711081A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611011607.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李知桓 ,  崔重奉 ,  许瓒宁 ,  许弼覠

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6875 ,  B08B3/04 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明涉及一种旋转头、包括所述旋转头的基板处理装置和方法。根据本发明的实施方式，所述旋转头包括放置基板的支撑板和放置在所述支撑板上并支撑所述基板侧部的卡盘销，其中所述卡盘销包括外本体和插入所述外本体中并且具有与所述外主体不同材料的内本体，其中所述外本体和所述内本体中的每个具有第一材料或第二材料中的任一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种材料包括具有比另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。