公开(公告)号：CN1979883A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610161889.7

申请日：2006-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 糸长总一郎

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件，其包括像素，该像素包括光电转换部分和转换部分，所述转换部分将由光电转换所产生的电荷转换为像素信号。在固态成像器件中，基本上仅栅绝缘膜被形成在与像素中的至少一个晶体管的栅电极下面的区域相对应的衬底上。

公开(公告)号：CN101640210B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910162578.6

申请日：2009-08-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  田谷圭司 ,  舘下八州志 ,  糸长总一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H04N5/335 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种固体摄像器件及其制造方法以及包括该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件在半导体基板中包括：设有对入射光进行光电转换以得到电信号的光电转换部的像素部，以及设在像素部周围的周边电路部，其中周边电路部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，像素部中的MOS晶体管的栅极绝缘膜由氮氧化硅膜构成，并且在像素部中的光电转换部的正上方设有氧化物膜。本发明可以防止隧道电流的产生，从而改善周边电路部和像素部的晶体管特性。而且，由于可以防止因光电转换部中的固定电荷所致的白色缺陷和暗电流的恶化，所以优点在于改善了图像质量。

公开(公告)号：CN101615621A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910142237.2

申请日：2009-06-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 糸长总一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0352 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641

Abstract: 一种固体摄像装置以及包括该固体摄像装置的电子装置，所述固体摄像装置包括：光电转换部；浮动扩散区域；由n型半导体制成的传输栅极；通过绝缘膜形成于传输栅极的光电转换部一侧的由n型半导体制成的侧壁；以及形成于传输栅极的浮动扩散区域一侧的由绝缘层构成的侧壁。在根据本发明的固体摄像装置中，可以改善信号电荷的读出特性。在根据本发明的电子装置中，可以改善固体摄像装置中的信号电荷的读出特性。

公开(公告)号：CN102938408A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210409870.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 糸长总一郎 ,  大屋雄

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14654 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件和照相机。该固态成像器件由像素排列形成，所述像素中的每一个包括：光电转换元件和用于将在所述光电转换元件中经光电转换的电荷读至浮动扩散部的读晶体管，其中与所述浮动扩散部毗连的元件隔离区由浅槽元件隔离区形成，并且除了所述浅槽元件隔离区之外的其他元件隔离区由杂质扩散隔离区形成。

公开(公告)号：CN101640209B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。

公开(公告)号：CN101320744A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810110368.8

申请日：2008-06-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 糸长总一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置及其制作方法。该固态成像装置包括光电转换单元、晶体管和隔离光电转换单元和晶体管的元件隔离区。光电转换单元和晶体管构成像素。元件隔离区由导电类型与晶体管的源极区和漏极区的导电类型相反的半导体区形成。晶体管的栅电极的部分朝向元件隔离区侧突出超出晶体管的有源区。具有与晶体管的栅电极的栅极绝缘膜的厚度基本相同厚度的绝缘膜，形成在元件隔离区上从元件隔离区的位于晶体管的栅电极之下的部分到与位于晶体管的栅电极之下的部分连续的部分。

公开(公告)号：CN101276830A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810088071.6

申请日：2008-03-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 城户英男 ,  糸长总一郎 ,  吉次快 ,  千叶健一

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。

公开(公告)号：CN1764246A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510124964.8

申请日：2005-10-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 糸长总一郎 ,  远藤表德 ,  吉原郁夫

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供了一种具有单位象素的阵列的固态成像装置，每个单位象素包括光电转换元件和用于放大对应于由通过光电转换元件的光电转换获得的电荷的信号并输出所得到信号的放大晶体管。放大晶体管包括埋入沟道MOS晶体管。根据本发明，1/f噪声基本上可以被减小。

公开(公告)号：CN1979883B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200610161889.7

申请日：2006-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 糸长总一郎

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种固态成像器件，其包括像素，该像素包括光电转换部分和转换部分，所述转换部分将由光电转换所产生的电荷转换为像素信号。在固态成像器件中，基本上仅栅绝缘膜被形成在与像素中的至少一个晶体管的栅电极下面的区域相对应的衬底上。

公开(公告)号：CN101276830B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810088071.6

申请日：2008-03-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 城户英男 ,  糸长总一郎 ,  吉次快 ,  千叶健一

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。